變?nèi)?a target="_blank">二極管（Varactor Diodes）又稱“可變電抗二極管”，是利用pN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻O管的電容量一般較小，其最大值為幾十皮法到幾百皮法，最大區(qū)容與最小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機的調(diào)諧回路中作可變電容。
作用特點
1、變?nèi)荻O管的作用是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導體器件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。
變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關系是非線性的，如右圖所示。
變?nèi)荻O管與反向偏壓
2、變?nèi)荻O管的電容值與反向偏壓值的關系圖解：
（a） 反向偏壓增加，造成電容減少；
（b） 反向偏壓減少，造成電容增加。
電容誤差范圍是一個規(guī)定的變?nèi)荻O管的電容量范圍。數(shù)據(jù)表將顯示最小值、標稱值及最大值，這些經(jīng)常繪在圖上。
變?nèi)荻O管又稱“可變電抗二極管”。所用材料多為硅或砷化鎵單晶，并采用外延工藝技術。反偏電壓愈大，則結(jié)電容愈小。變?nèi)荻O管具有與襯底材料電阻率有關的串聯(lián)電阻。
圖 是變?nèi)荻O管的電路圖形符號。
變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關系是非線性的。
變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝（玻封）、塑料封裝（塑封）、金屬外殼封裝（金封）和無引線表面封裝等多種封裝形式、如圖所示。通常，中小功率的變?nèi)荻O管采用玻封、塑封或表面封裝，而功率較大的變?nèi)荻O管多采用金封。
構造原理
圖1 變?nèi)荻O管的構造原理、簡化等效電路及電路符號
變?nèi)荻O管的構造原理
參見圖1（a）。從本質(zhì)上講，它屬于反偏壓的二極管，其結(jié)電容就是耗盡層的電容?？山品春谋M層視為平行板電容器，兩個導電板之間有介質(zhì)。因此，結(jié)電容C1的容量與耗盡層的寬度d成反比，有公式C1∝1/d，又因為d與反向偏壓VR的n次方成正比（n是與摻雜濃度有關的常數(shù)），故C1∝1/VRn，因此，反向偏壓愈高，耗盡區(qū)就愈寬，而結(jié)電容量愈小。反之亦然。（a）圖中，VR1＞VR2，故d2＞d1，Cj2＜Cj1。
變?nèi)荻O管的簡化等效電路及電路符號分別如圖1（b）、（c）所示。圖中用一只可變電容來表示結(jié)電容。R2是半導體材料的電阻。
正負極區(qū)分
選擇500型萬用表的R×1k檔。首先將紅表筆接一端，黑表筆接另一端，若測得電阻值為6.5kΩ，與此同時記下表針倒數(shù)偏轉(zhuǎn)格數(shù)n′≈19.7格。然后交換管腳位置后重新測量，電阻值變成無窮大。由此判定第一次為正向接法，正向電阻為6.5kΩ，正向?qū)妷篤F=0.03V/格×9.7格=0.59V。第二次則屬于反向接法。該管子具有單向?qū)щ娦?，并且靠近紅色環(huán)的管腳為正極。欲測量變?nèi)荻O管的結(jié)電容，可選用100pF量程的線性電容表。
特性參數(shù)
?、僮罡叻聪蚬ぷ麟妷篤R：是指加在變?nèi)荻O管兩端的反向電壓不能超過的電壓允許值。
②反向擊穿電壓VB。：在施加反向電壓的情況下，使變?nèi)荻O管擊穿的電壓。
③結(jié)電容C：它是指在一特定的反偏壓下，變?nèi)荻O管內(nèi)部PN結(jié)的電容。
④結(jié)電容變化范圍：在工作電壓范圍內(nèi)結(jié)電容的變化范圍。
⑤電容比：是指結(jié)電容變化范圍內(nèi)的最大電容與最小電容之比。
⑥Q值：是變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)，它反映了對回路能量的損耗。
故障表現(xiàn)
變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差：
（1）發(fā)生漏電現(xiàn)象時，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。
（2）變?nèi)菪阅茏儾顣r，高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻信號發(fā)送到對方被對方接收后產(chǎn)生失真。
出現(xiàn)上述情況之一時，就應該更換同型號的變?nèi)荻O管。