概念
在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或鍺為材料制成的光電二極管的P-N結上加上反向偏壓后，射入的光被P-N結吸收后會形成光電流。加大反向偏壓會產生“雪崩”（即光電流成倍地激增）的現象，因此這種二極管被稱為“雪崩光電二極管”。
主要特性
①雪崩增益系數M（也叫倍增因子），對突變結
式中V為反向偏壓，VB為體雪崩擊穿電壓；n與材料、器件結構及入射波長等有關，為常數，其值為1～3。
②增益帶寬積，增益較大且頻率很高時，M（ω）·ω 
式中ω為角頻率；N為常數，它隨離化系數比緩慢變化；W為耗盡區厚度；Vs為飽和速度；αn及αp分別為電子及空穴的離化系數，增益帶寬積是個常數。要想得到高乘積，應選擇大Vs，小W及小αn/αp（即電子、空穴離化系數差別要大，并使具有較高離化系數的載流子注入到雪崩區）。
③過剩噪聲因子F，在倍增過程中，噪聲電流比信號電流增長快，用F表示雪崩過程引起的噪聲附加F≈Mx。式中x稱過剩噪聲指數。要選擇合適的M值，才能獲得最佳信噪比，使系統達到最高靈敏度。
④溫度特性，載流子離化系數隨溫度升高而下降，導致倍增因子減小、擊穿電壓升高。用擊穿電壓的溫度系數盧描述APD的溫度特性。β= 
式中VB及VB0分別是溫度為T及T0時的擊穿電壓。
工作原理
當光敏二極管的PN結上加相當大的反向偏壓（100-200V）時，在結區產生一個很強的電場，使進入場區的光生載流子獲得足夠的能量，在與原子碰撞時可使原子電離，而產生新的電子-空穴對。只要電場足夠強，此過程就將繼續下去，使PN結內電流急劇增加，達到載流子的雪崩倍增，這種現象稱為雪崩倍增效應。
應用
激光測距儀， 共焦顯微鏡檢查，視頻掃描成像儀， 高速分析儀器， 自由空間通信， 紫外線傳感， 分布式溫度傳感器等。
結構
每個模塊包括一個光電探測器（快速光電二極管或雪崩光電二極管）和一個互阻抗放大器。同一封裝中兼備放大器和光探測器，使其環境噪聲更低，寄生電容更小。
