CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)有哪些?

CMOS集成電路功耗低

CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通,另一個(gè)管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門(mén)電路的功耗典型值僅為20mW,動(dòng)態(tài)功耗（在1MHz工作頻率時(shí)）也僅為幾mW。

CMOS集成電路工作電壓范圍寬

CMOS集成電路供電簡(jiǎn)單,供電電源體積小,基本上不需穩(wěn)壓。國(guó)產(chǎn)CC4000系列的集成電路,可在3~18V電壓下正常工作。

CMOS集成電路邏輯擺幅大

CMOS集成電路的邏輯高電平“1”、邏輯低電平“0”分別接近于電源高電位VDD及電影低電位VSS。當(dāng)VDD=15V,VSS=0V時(shí),輸出邏輯擺幅近似15V。因此,CMOS集成電路的電壓電壓利用系數(shù)在各類(lèi)集成電路中指標(biāo)是較高的。

CMOS集成電路抗干擾能力強(qiáng)

CMOS集成電路的電壓噪聲容限的典型值為電源電壓的45%,保證值為電源電壓的30%。隨著電源電壓的增加,噪聲容限電壓的絕對(duì)值將成比例增加。對(duì)于VDD=15V的供電電壓（當(dāng)VSS=0V時(shí)）,電路將有7V左右的噪聲容限。

CMOS集成電路輸入阻抗高

CMOS集成電路的輸入端一般都是由保護(hù)二極管和串聯(lián)電阻構(gòu)成的保護(hù)網(wǎng)絡(luò),故比一般場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻稍小,但在正常工作電壓范圍內(nèi),這些保護(hù)二極管均處于反向偏置狀態(tài),直流輸入阻抗取決于這些二極管的泄露電流,通常情況下,等效輸入阻抗高達(dá)103~1011Ω,因此CMOS集成電路幾乎不消耗驅(qū)動(dòng)電路的功率。

CMOS集成電路溫度穩(wěn)定性能好

由于CMOS集成電路的功耗很低,內(nèi)部發(fā)熱量少,而且,CMOS電路線路結(jié)構(gòu)和電氣參數(shù)都具有對(duì)稱(chēng)性,在溫度環(huán)境發(fā)生變化時(shí),某些參數(shù)能起到自動(dòng)補(bǔ)償作用,因而CMOS集成電路的溫度特性非常好。一般陶瓷金屬封裝的電路,工作溫度為-55 ~ +125℃;塑料封裝的電路工作溫度范圍為-45 ~ +85℃。

CMOS集成電路扇出能力強(qiáng)

扇出能力是用電路輸出端所能帶動(dòng)的輸入端數(shù)來(lái)表示的。由于CMOS集成電路的輸入阻抗極高,因此電路的輸出能力受輸入電容的限制,但是,當(dāng)CMOS集成電路用來(lái)驅(qū)動(dòng)同類(lèi)型,如不考慮速度,一般可以驅(qū)動(dòng)50個(gè)以上的輸入端。

CMOS集成電路抗輻射能力強(qiáng)

CMOS集成電路中的基本器件是MOS晶體管,屬于多數(shù)載流子導(dǎo)電器件。各種射線、輻射對(duì)其導(dǎo)電性能的影響都有限,因而特別適用于制作航天及核實(shí)驗(yàn)設(shè)備。

CMOS集成電路可控性好

CMOS集成電路輸出波形的上升和下降時(shí)間可以控制,其輸出的上升和下降時(shí)間的典型值為電路傳輸延遲時(shí)間的125%~140%。

CMOS集成電路接口方便

因?yàn)镃MOS集成電路的輸入阻抗高和輸出擺幅大,所以易于被其他電路所驅(qū)動(dòng),也容易驅(qū)動(dòng)其他類(lèi)型的電路或器件。