據報道，北方華創微電子研發的首臺12英寸原子層沉積ALD設備成功進駐了上海集成電路研發中心有限公司。以參與公開競標方式為集成電路芯片生產線再添助力。
近日，由北方華創下屬子公司北方華創微電子自主研發的國內首臺12英寸原子層沉積（AtomicLayerDeposition，ALD）設備進駐上海集成電路研發中心。北方華創微電子為國產高端裝備在先進集成電路芯片生產線的應用再添新秀。
ALD設備是先進集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設備，ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺階覆蓋率高等優點。在集成電路特征線寬發展到28納米節點后，ALD工藝應用日益廣泛。北方華創微電子自2014年開始布局ALD設備的開發計劃，歷時四年，成功推出中國首臺應用于集成電路領域的量產型單片ALD設備——PolarisA630，應用于沉積集成電路器件中的高介電常數和金屬柵極薄膜材料，設備的核心技術指標達到國際先進水平。
此次，北方華創微電子PolarisA630 ALD設備以參與公開競標方式，成功進駐上海集成電路研發中心有限公司，同時中標的產品還有北方華創微電子集成電路AlPad工藝的eVictorA1030物理氣相沉積系統。至此，北方華創微電子已有硅刻蝕機、單片退火設備、HardmaskPVD、AlPadPVD、單片清洗機、立式爐、ALD等集成電路設備應用于28-14納米工藝制程，擴展了國產高端裝備在集成電路先進制程的配套應用范圍。