可控硅中頻電源在我國誕生于70年代，可控硅靜止變頻與旋轉(zhuǎn)式機組變頻相比，具有很多優(yōu)點，因此，近三十年來可控硅中頻電源在相當大的感應加熱應用領域里代替了中頻發(fā)電機組。占有不可抗拒的推陳出新的地位。傳統(tǒng)的可控硅中頻電源，其主要電路如圖1所示。

多年來我們以圖1為基礎，圍繞高效、可靠、操作方便為目標，做了大量實驗研究工作，諸如控制電路全集成化、零點壓啟動、微機控制代替集成系統(tǒng)等，使得以交流——支流——交流，并聯(lián)逆變電路為框架的可控硅（晶閘管）中頻電源具有一定特色。產(chǎn)品遍及全國各地，數(shù)量上也達到相當大的規(guī)模，很受用戶歡迎。
但多年實踐，這種產(chǎn)品仍有一些復雜的問題圍繞著我們。多為并聯(lián)逆變電路的固有特征所造成的：
1、并聯(lián)逆變電路流過感應器中的電流IL是有功電流La的Q倍。對于中頻熔煉爐的Q=10——13，IL在感應器電阻r中產(chǎn)生的電損耗IL2r一般達到有功功率的30%左右。也就是說感應爐的電效率只能有70%左右，難以提高。
2、并聯(lián)逆變器輸出功率特征，由于負載參數(shù)變化的原因，必然出現(xiàn)功率凹角，且不可控制，使設備不能在全過程輸出額定功率，降低了運行效率，增加了能源損耗。
3、并聯(lián)逆變電路是強迫換向，且依賴于負載電壓，加之不論是全集成化系統(tǒng)還是微機控制系統(tǒng)都是采用負載電壓對每個半波進行步控制，在啟動時或在通常運行時，都可能由于控制差異而出現(xiàn)換向失敗，造成直通或者故障。
4、并聯(lián)逆變電路要求恒流源輸入，要求三相全控調(diào)壓、平波電抗器的數(shù)值不能太大等。這樣使三相輸入電流變成方波，從而分解出三次及高次諧波，如圖2；使三相輸入線電壓出現(xiàn)整流換向缺口，使中頻電壓Ucp至少有百分之幾進入電抗器Ld前端，如圖4。這些干擾都反饋到電網(wǎng)中去，給電網(wǎng)造成公害。
5、由于調(diào)節(jié)功率是通過三相全控整流電路的移相調(diào)壓來實現(xiàn)，從而造成電網(wǎng)功率因數(shù)差，一般只能在0.8左右。
6、并聯(lián)逆變電路的啟動，在國家標準中是重點考核的技術指標，不論各制造廠家解決這個問題的深度如何，總說明，并聯(lián)逆變電路的啟動是一個問題存在，或啟動較難，或因啟動故障而影響正常的生產(chǎn)。