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晶閘管兩端并聯阻容網絡的作用

2009年07月28日 08:13 本站整理 作者:佚名 用戶評論(0
關鍵字:可控硅(71974)

晶閘管兩端并聯阻容網絡的作用

在實際晶閘管電路中,常在其兩端并聯RC串聯網絡,該網絡常稱為RC阻容吸收電路。


  我們知道,晶閘管有一個重要特性參數-斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管從斷態轉入通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發生這種情況。因為晶閘管可以看作是由三個PN結組成。

  在晶閘管處于阻斷狀態下,因各層相距很近,其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結,這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管在關斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下,晶閘管誤導通現象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應有一定的限制。

  為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管安全運行,常在晶閘管兩端并聯RC阻容吸收網絡,利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感),所以與電容C串聯電阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C電路在過渡過程中,因振蕩在電容器兩端出現的過電壓損壞晶閘管。同時,避免電容器通過晶閘管放電電流過大,造成過電流而損壞晶閘管。   由于晶閘管過流過壓能力很差,如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網絡就是常用的保護方法之一?!?

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