二、可控硅的主要技術(shù)參數(shù)

　　1．正向阻斷峰值電壓（VPFU）

　　是指在控制極開路及正向阻斷條件下，可以重復(fù)加在器件上的正向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為正向轉(zhuǎn)折電壓值的80％。

　　2．反向阻斷峰值電壓（VPRU）

　　它是指在控制極斷路和額定結(jié)溫度下，可以重復(fù)加在器件上的反向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為最高反向測試電壓值的80％。

　　3．額定正向平均電流（IF）

　　在環(huán)境溫度為+40C時，器件導(dǎo)通（標(biāo)準(zhǔn)散熱條件）可連續(xù)通過工頻（即指供電網(wǎng)供給的電源頻率．一般為50Hz或60Hz，我國規(guī)定為50Hz）正弦半波電流的平均值。

　　4．正向平均壓降（UF）

　　在規(guī)定的條件下，器件通以額定正向平均電流時，在陽極與陰極之間電壓降的平均值。

　　5．維持電流（IH）

　　在控制極斷開時，器件保持導(dǎo)通狀態(tài)所必需的最小正向電流。

　　6．控制極觸發(fā)電流（Ig）

　　陽極與陰極之間加直流6V電壓時，使可控硅完全導(dǎo)通所必需的最小控制極直流電流。

　　7．控制極觸發(fā)電壓（Ug）

　　是指從阻斷轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時控制極上所加的最小直流電壓。

　　三、多種用途的可控硅

　　根據(jù)結(jié)構(gòu)及用途的不同，可控硅已有很多不同的類型，除上述介紹的整流用普通可控硅之外還有；①快速可控硅。這種可控硅可以工作在較高的頻率下，用于大功率直流開關(guān)、電脈沖加工電源、激光電源和雷達(dá)調(diào)制器等電路中。②雙向可控硅。它的特點是可以使用正的或負(fù)的控制極脈沖，控制兩個方向電流的導(dǎo)通。它主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光調(diào)節(jié)及直流電極調(diào)速和換向電路等。③逆導(dǎo)可控硅。主要用于直流供電車輛（如無軌電車）的調(diào)速。④可關(guān)斷可控硅。這是一種新型可控硅，它利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導(dǎo)通，而用負(fù)的控制極脈沖可以關(guān)斷陽極電流，恢復(fù)阻斷狀態(tài)。利用這種特性可以做成無觸點開關(guān)或用于直流調(diào)壓、電視機(jī)中行掃描電路及高壓脈沖發(fā)生器電路等。

　　可控硅的用途很廣泛，下面僅舉兩例來說明可控硅電路的工作過程。

　　圖3-31是采用雙基極管的可控硅調(diào)壓電路，D1～D2組成全波橋式整流電路。BG雙基極管構(gòu)成可控硅的同步觸發(fā)電路（是一個張弛振蕩器）。整流電壓經(jīng)電阻R1降壓后加在A、B兩點。整流后脈動電壓的正半周通過R4、W向電容C充電，當(dāng)充電電壓達(dá)到雙基極管峰點電壓UP時，BG由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，電容C通過b1e結(jié)及R。迅速放電，其放電電流在R。上產(chǎn)生一個尖脈沖，成為觸發(fā)可控硅（SCR）極的觸發(fā)信號，從而導(dǎo)致可控硅導(dǎo)通?？煽毓鑼?dǎo)通后其正向壓降很低，所以張弛振蕩器即停止工作，電源電壓過零時（由于無濾波電容，故為單向脈動電壓）可控硅就自動關(guān)斷。待下一個正半周到來時，電容C又充電，重復(fù)上述過程。因而串聯(lián)于整流電路的負(fù)載RL上就得到～個受控的脈沖電壓。電容C的充電速度與R4、、W及C的乘積有關(guān)，所以調(diào)節(jié)W之值，即能改變電容C充電到U，值的時間．也就可以改變可控硅的導(dǎo)通時間，從而改變了負(fù)載上電壓的大小。

　　圖3-32是一種利用可控硅做成的感應(yīng)（接近）開關(guān)。它是利用人體電容和電阻與電路上電容C1，并聯(lián)促使氖管N導(dǎo)通點燃，從而在電阻R1上產(chǎn)生可控硅的觸發(fā)信號，使可控硅導(dǎo)通，點著串于可控硅電路里的燈泡。也可在電路里串接繼電器，帶動其他電器裝置的開啟或關(guān)閉。