大型LED顯示屏需要組合不同的元組件與技術(shù)，一家廠商很難完全自產(chǎn)自足，因此外圍產(chǎn)業(yè)的分工十分重要。大型LED顯示屏需要的元組件包括：Driver IC、LED Cluster、Power Supply、Cable及機械框架等;技術(shù)方面的需求包括：防靜電設(shè)計、電力配電規(guī)劃、驅(qū)動線路設(shè)計、驅(qū)動軟件設(shè)計、機械結(jié)構(gòu)設(shè)計(散熱、視角、支撐、遮陽、防潮等考量)以及亮度、色度的測試技術(shù)等。
UV LED紫外線二極管
UV LED(紫外線發(fā)光二極管)照明不僅可凈化空氣、節(jié)約能源，并可望取代現(xiàn)有的螢光燈與白熱燈等照明裝置，加上過去僅及405nm的波長帶最近擴大到200nm，預(yù)期應(yīng)用范圍將大幅擴大到殺菌、廢水處理、除臭、醫(yī)療、皮膚病治療、辨識偽鈔與環(huán)境Sensor等領(lǐng)域。
光通量 (Luminous flux,Φ)單位為：流明 (lumen, lm)由一光源所發(fā)射并被人眼感知之所有輻射能稱之為光通量。 光強度 (luminous intensity, I )光源在某一方向立體角內(nèi)之光通量大小。單位：坎德拉 (candela, cd) 照度 (Illuminance, E)單位：勒克斯 (Lux, lx)照度是光通量與被照面之比值。1 lux之照度為1 lumen之光通量均勻分布在面積為一平方米之區(qū)域。 輝度 (Luminance, L)單位：坎德拉每平方米 (cd/㎡)一光源或一被照面之輝度指其單位表面在某一方向上的光強度密度，也可說是人眼所感知此光源或被照面之明亮程度。
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,簡稱LED)
是一種藉外加電壓激發(fā)電子而放射出光(電能→光)的光電半導(dǎo)體組件。發(fā)光現(xiàn)象屬半導(dǎo)體中的直接發(fā)光(沒有第三質(zhì)點的介入)。整個發(fā)光現(xiàn)象可分為三個過程(直接發(fā)光)：
價電帶的電子受外來的能量(順向偏壓)，被激發(fā)至導(dǎo)電帶，并 同時于價電帶遺留一個電洞，形成電子-電洞對。 受激發(fā)的電子于導(dǎo)電帶中，與其它質(zhì)點碰撞(散射)，損失部份能量，而接近導(dǎo)電帶邊緣。 一旦導(dǎo)電帶邊緣的電子于價電帶覓得電洞時，電子即從導(dǎo)電帶邊緣，經(jīng)由陷阱中心(釋放熱能)或發(fā)光中心(釋放光能)，回到價電帶與電洞復(fù)合，電子-電洞對消 失。
因為LED主要是電子經(jīng)由發(fā)光中心與電洞復(fù)合而發(fā)光，所以是一種微細的固態(tài)光源，不但體積小、壽命長、驅(qū)動電壓低、反應(yīng)速率快、耐震性特佳，而且能夠配合輕、薄和小型化之應(yīng)用設(shè)備的需求，成為日常生活中十分普遍的產(chǎn)品。
利用各種化合物半導(dǎo)體材料及組件結(jié)構(gòu)之變化，設(shè)計出不同的LED。依其發(fā)光波長分為可見光、不可見光(紅外光、紫外光)。
可見光：有紅、橙、黃、綠、藍、紫等各種顏色，主要以顯示用 途為主。又以亮度1燭光 (cd) 作為一般亮度和高亮度之分界點。一般亮度LED廣泛應(yīng)用于各種室內(nèi)顯示用途;高亮度LED則適合于戶外顯示，如：汽車第三煞車燈、戶外信息看板和交通號志 等。 不可見光：短波長紅外光可作為紅外線無線通訊使用;長波長紅外光則使用在中、短距離光纖通訊上，作為光通訊用光源。
使用的材料基本上已大致決定LED所釋出的波長，其中，適合制作1000mcd以上之高亮度LED的材料，由長波長而短波長，分別為AlGaAs(砷化鋁鎵)、AlGaInP(磷化鋁銦鎵)及GaInN(氮化銦鎵)等。
AlGaAs(砷化鋁鎵)適合于制造高亮度紅光及紅外線 LED，主要以液相磊晶(LPE)法進行量產(chǎn)，使用雙異質(zhì)接面構(gòu)造(DH)為主，但因為須制作AlGaAs基板，技術(shù)的困難度很高，故投資開發(fā)的廠商較 少。 AlGaInP(磷化鋁銦鎵)適合于高亮度紅、橘、黃及黃綠光LED，主要以金屬有機氣相磊晶(MOVPE)法進行量產(chǎn)，使用雙異質(zhì)接面(DH)及量子井 (QW)構(gòu)造，效率更為提高。且由于AlGaInP紅光LED在高溫與高濕環(huán)境下，其壽命試驗結(jié)果優(yōu)于AlGaAs紅光LED，未來有成為紅光LED主流 的趨勢。
GaInN(氮化銦鎵)適合于高亮度深綠、藍、紫及紫外光 LED，以高溫的金屬有機氣相磊晶(MOVPE)法進行量產(chǎn)，也采用雙異質(zhì)接面 (DH)及量子井(QW) 構(gòu)造，效率比前述的 AlGaAs、AlGaInP 更高。全球各大廠均已積極投入相關(guān)材料組件技術(shù)之研發(fā)，并有所突破。
白光LED，乃是日本日亞公司利用藍光LED加上黃色螢光材料構(gòu)成的，其光電轉(zhuǎn)換效率于 1998年4月已提升至15流明/瓦，比傳統(tǒng)燈泡略高，若以常見照明燈具之開發(fā)歷程來看，白光LED極有機會成為未來于照明產(chǎn)業(yè)之明星產(chǎn)品。
LED設(shè)計之初，主要是利用于家用電器品顯示器，廣告看板或裝飾用。但由于其具有固定波長及操作方便等特點，已逐漸利用于植物生產(chǎn)研究上。1987年開始有學(xué)者利用LED固定波長特性，應(yīng)用在植物向地性，型態(tài)改變及病害發(fā)生上的研究。日本千葉大學(xué)古在(Kozai)教授研究室將其應(yīng)用在組織瓶苗的生產(chǎn)研究上。預(yù)計未來在光研究上將有極大應(yīng)用價值。當(dāng)然，目前LED亮度和價格仍未達實用化階段，不過，由于極具市場潛力，各方面研究正急速的展開，LED勢必成為提供植物生長的新興光源。
外延片生長 外延生長的基本原理是，在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有紅寶石和SiC兩種)上，氣態(tài)物質(zhì)In,Ga,Al,P有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機金屬化學(xué)氣相沉積方法。
MOCVD金屬有機物化學(xué)氣相淀積(Metal- OrganicChemicalVaporDeposition，簡稱 MOCVD)， 1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計算機多 學(xué)科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，主要用于GaN(氮化鎵)系半導(dǎo)體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發(fā)光 二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。