場效應管放大電路
1.場效應管的小信號模型
已知場效應管輸出特性表達式：
求全微分:
其中： 
低頻跨導可從輸出曲線上求出
aaaa a
漏極與源極間等效電阻
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一般rds很大，可忽略，得簡化小信號模型:
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2. 共源極放大電路
以NMOS增強型場效應管為例
三極管與場效應管三種組態對照表：
電路組成
比較共源和共射放大電路，它們只是在偏置電路和受控源的類型上有所不同。只要將微變等效電路畫出，就是一個解電路的問題了。
圖中Rg1、Rg2是柵極偏置電阻，Rs是源極電阻，Rd是漏極負載電阻。與共射基本放大電路的Rb1、Rb2，Re和Rc分別一一對應。而且只要結型場效應管柵源間PN結是反偏工作，無柵流，那么JFETMOSFET的直流通道和交流通道是一樣的。
直流分析
直流分析：
VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)
VGS= VG－VS= VG－IDR
ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2
VDS= VDD－ID(Rd+R)
解出VGS、ID和VDS。
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直流通路