3.1.1 半導體三極管的結構
雙極型半導體三極管的結構示意圖如圖所示。它有兩種類型:NPN型和PNP型。
雙極型三極管的符號在圖的下方給出，發(fā)射極的箭頭代表發(fā)射極電流的實際方向。從外表上看兩個N區(qū),(或兩個P區(qū))是對稱的，實際上發(fā)射區(qū)的摻雜濃度大，集電區(qū)摻雜濃度低，且集電結面積大。基區(qū)要制造得很薄，其厚度一般在幾個微米至幾十個微米。
3.1.2 三極管內(nèi)部的電流分配與控制
雙極型半導體三極管在工作時一定要加上適當?shù)闹绷髌秒妷骸Ｈ粼诜糯蠊ぷ鳡顟B(tài)：發(fā)射結加正向電壓，集電結加反向電壓，如圖所示。
在發(fā)射結正偏，集電結反偏條件下，三極管中載流子的運動：(1)在VBB作用下，發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子形成IEN，基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)擴散形成IEP。(2) 電子在基區(qū)復合和擴散，由發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電子繼續(xù)向集電結擴散，擴散過程中少部分電子與基區(qū)空穴復合形成電流IBN。由于基區(qū)薄且濃度低，所以IBN較小。(3) 集電結收集電子，由于集電結反偏，所以基區(qū)中擴散到集電結邊緣的電子在電場作用下漂移過集電結，到達集電區(qū)，形成電流ICN。(4) 集電極的反向電流，集電結收集到的電子包括兩部分：發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)的電子——ICN，基區(qū)的少數(shù)載流子——ICBO
動畫
IE=IEN+IEP 且有 IEN>>IEP
IEN=ICN+IBN 且有 IEN>> IBN ，ICN>>IBN
IC=ICN+ICBO IB=IEP+IBN－ICBO IE=IC+IB
3.1.3 三極管各電極的電流關系
(1)三種組態(tài)
雙極型三極管有三個電極，其中兩個可以作為輸入, 兩個可以作為輸出，這樣必然有一個電極是公共電極。三種接法也稱三種組態(tài)，見下圖
共發(fā)射極接法，發(fā)射極作為公共電極，用CE表示；
共集電極接法，集電極作為公共電極，用CC表示；
共基極接法，基極作為公共電極，用CB表示。
(2)三極管的電流放大系數(shù)
對于集電極電流IC和發(fā)射極電流IE之間的關系可以用系數(shù)來說明，定義:
稱為共基極直流電流放大系數(shù)。它表示最后達到集電極的電子電流ICN與總發(fā)射極電流IE的比值。ICN與IE相比，因ICN中沒有IEP和IBN，所以 的值小于1, 但接近1，一般為0.98~0.999 。由此可得:
在忽略ICBO情況下， IC 、 IE 和IB之間的關系可近似表示為：
3.1.4 三極管的共射極特性曲線
信號表示
信號表示（對IC 、VBE 、VCE 等意義相同）：IB 表示直流量／Ib 表示交流有效值／Ib 表示復數(shù)量／iB 表示交直流混合量／ib 表示交流變化量
1. 輸入特性曲線
(1) VCE=0時：b、e間加正向電壓， JC和JE都正偏， JC沒有吸引電子的能力。所以其特性相當于兩個二極管并聯(lián)PN結的特性。VCE=0V： 兩個PN結并聯(lián)
(2) VCE>1V時，b、e間加正向電壓，這時JE正偏， JC反偏。發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的載流子絕大部分被JC收集，只有小部分與基區(qū)多子形成電流IB。所以在相同的VBE下，IB要比VCE=0V時小。VCE>1V： iB比VCE=0V時小
(3) VCE介于0~1V之間時，JC反偏不夠，吸引電子的能力不夠強。隨著VCE的增加，吸引電子的能力逐漸增強，iB逐漸減小，曲線向右移動。0
2. 輸出特性曲線
(3) 飽和區(qū)：對應于VCE
3. 溫度對三極管特性的影響
溫度升高使：（1）輸入特性曲線左移
（2）ICBO增大，輸出特性曲線上移
（3）β增大
3.1.5 半導體三極管的參數(shù)
半導體三極管的參數(shù)分為三大類: 直流參數(shù)，交流參數(shù)，極限參數(shù)
3.1.6 三極管的型號
3.1.7 三極管應用
三極管工作情況總結
例3.1.1：判斷三極管的工作狀態(tài)
例3.1.2：判斷三極管的工作狀態(tài)
