三極管是由基極注入電流的大小來直接影響集電極電流大小的一種器件，是一種電流控制電流型器件。還有一種半導體器件是利用輸入電壓來控制輸出電流的器件，叫做場效應管。

結型場效應管

場效應管分結型場效應管和絕緣柵型場效應管兩種，上圖所示是結型場效應管的結構和符號，結型場效應管又分為N溝道和P溝道兩種，上圖為N溝道結構示意圖，它是在一塊N型硅棒兩端各引出一個電極，一端稱為源極S，另一端稱為漏極D；在兩側分別擴散一個高濃度雜質的P型區(qū)，形成兩個PN結（圖中橙色和灰色部分），把兩個P型區(qū)相連引出一個電極就是柵極G。

工作原理：在工作時，內部兩個PN結施加反偏電壓VGS，在漏源之間加正向電壓VDS，漏極和源極之間只有N型溝道是電流流通的路徑。打個比喻，把溝道想像成河流，把柵極比做兩岸可以左右控制的閘門，由兩岸各有一人向中間推拉閘門，進而控制水流的大小。P溝道和N溝道原理差不多，只不過中間溝道是P型溝道，兩邊柵極是N型區(qū)，和N溝道正好相反，這里就不多說了。

絕緣柵型場效應管：

絕緣柵型場效應管又名MOS管（以下簡稱MOS管），它的柵極和源漏極之間有一層二氧化硅的絕緣層，如上圖所示。MOS管也有N溝道和P溝道兩類，但每一類又分為增強型和耗盡型兩種，因此總共有四種類型：N溝道增強型、P溝道增強型、N溝道耗盡型、P溝道耗盡型。凡是柵源電壓為零時，漏極電流也為零的管子都是增強型管。凡是柵源電壓為零時，漏極電流不為零時都屬于耗盡型管。

上圖是四種MOS管的電路符號，注意：襯底箭頭朝內的是N溝道，襯底箭頭朝外的是P溝道。

增強型MOS管工作原理：工作時，柵源之間不加電壓時，漏源之間PN結是反向的，所以不存在導電溝道，即使漏源之間加了電壓，導電溝電是關閉的，就不會有電流通過。當柵源之間加正向電壓到一定值時，在漏源之間就會形成導電通道，使導電溝道剛剛形成的這個柵源電壓叫做開啟電壓VGS，柵源之間電壓越大，導電溝道越寬，從而使流過的電流越大。

耗盡型MOS管工作原理：工作時，柵源之間不加電壓，同增強型MOS管不同，漏源之間存在導電溝道，因此只要在漏源之間加正向電壓，就會產生漏極電流。并且，柵源之間加正向電壓時，導電溝道增大，加反向電壓時，導電溝道變小，流過的電流就會越小，同增強型MOS管相比，它可以在正、負值的一定范圍內存在導電溝道。

場效應管的作用：

一、場效應管應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

三、場效應管可以用作可變電阻。

四、場效應管可以方便地用作恒流源。

五、場效應管可以用作電子開關。
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