理論分析
實(shí)驗(yàn)與分析
實(shí)驗(yàn)工作包括：
1.大數(shù)量，多品種地測(cè)量了硅高頻中小功率晶體管在不同溫度下IC·IB與VBB的關(guān)系曲線。
2.求出了ΔEg和你值。
3.測(cè)定了發(fā)射去的基區(qū)少數(shù)載流子遷移率的溫度關(guān)系。
4.研究了版圖，摻雜濃度hfe溫度特性的影響
實(shí)驗(yàn)中采用了精度高、溫度分布均勻的恒溫裝置，在4 小時(shí)內(nèi)溫度波動(dòng)小于士0.5C。為盡量減小晶體管功耗造成的自升溫的影響，測(cè)試過(guò)程中保持VCB 為0伏。