DS1842集成了雪崩光電二極管(APD)偏置和監測應用所必需的分立高壓元件。開關FET結合外部DC-DC控制器一起使用，構成一個升壓型DC-DC轉換器。電流鉗位功能限制通過APD的電流，且帶有外部關斷功能。該器件還具有雙電流鏡功能，以監測APD電流。
關鍵特性
76V最大升壓電壓
開關FET
電流監測器具有1μA至2mA寬電流監測范圍、快速的50ns時間常數以及10:1和5:1比
2mA電流鉗位，帶外部關斷功能
多種外部濾波選項
帶裸焊盤的3mm x 3mm、14引腳TDFN封裝
?
DS1842 集成雪崩光電二極管(APD)偏置的分立高壓元
2011年04月08日 10:06 maxim 作者：秩名 用戶評論（0）
非常好我支持^.^
(4) 100%
不好我反對
(0) 0%
相關閱讀：
- [電子說] 高通發布Snapdragon X Platform：PC級AI芯片引領革新 2025-01-09
- [電子說] MS7312L/MS7312LN——集成 Si-APD 、跨阻放大器和高速比較器的光脈沖接收電路 2024-12-02
- [電子說] Snapdragon Sound驍龍暢聽技術帶來卓越音頻體驗 2024-11-08
- [電子說] Xiaomi Buds 5耳機支持Snapdragon Sound驍龍暢聽技術 2024-11-08
- [電子說] Snapdragon Sound驍龍暢聽技術解鎖沉浸式聽音體驗 2024-11-08
- [電子說] 高通推出全新驍龍座艙至尊版平臺和Snapdragon Ride至尊版平臺 2024-11-08
- [電子說] 高通發布Snapdragon Elite平臺，推動汽車智能化 2024-10-23
- [電子說] AL58221（DIODES）APDM LED驅動器的參數和應用 2024-09-07
( 發表人：Spring )