。 SiC肖特基勢壘二極管（SBD）在大功率應(yīng)用方面的最大優(yōu)勢在于近乎理想的動態(tài)特性。在反向恢復(fù)瞬態(tài)，當(dāng)二極管從正向?qū)Ｊ睫D(zhuǎn)變?yōu)榉聪蜃钄嗄Ｊ綍r，有很低的反向恢復(fù)時間，而且在整個工作溫度范圍內(nèi)保持
2020-09-24 16:22:14
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2019-03-21 11:43:27
；Barrier:勢壘R:Rectifier,整流器 "MBR"意為整流器件SCHOTTKY:肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二極管。例如
2021-06-30 16:59:22
肖特基勢壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器，以及作為續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管使用。 MBR系列所具有的關(guān)鍵優(yōu)勢如下： ?MBR系列極快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)
2016-04-11 11:53:55
肖特基二極管、穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)二極管之間的區(qū)別和理解1、肖特基二極管肖特基二極管是以貴金屬為正極，N型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性制成的金屬-半導(dǎo)體器件。肖特基整流管的結(jié)構(gòu)
2021-11-15 06:47:36
肖特基勢壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V
2020-10-28 09:13:12
，在電路中起到控制電流通過或關(guān)斷的作用，成為一個理想的電子開關(guān)。開關(guān)二極管的正向電阻很小，反向電阻很大，開關(guān)速度很快。 2、肖特基二極管則是利用金屬和半導(dǎo)體面接觸產(chǎn)生的勢壘（barrier）整流作用
2019-01-03 13:36:59
` 在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，都會用到一種材料，它也因此被譽(yù)為電子行業(yè)的“生命之源”這種材料就是肖特基二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)
2019-02-20 12:01:29
圖所示。在N型基板和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)對肖特基勢壘的兩端施加正向偏置時（陽極金屬連接到電源的正極，N型基板連接到負(fù)極），肖特基勢壘層變窄，內(nèi)阻變小。相反，當(dāng)在肖特基勢壘上施加反向偏置時，它會
2023-02-09 10:22:58
N型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的多金屬-半導(dǎo)體器件。電子擴(kuò)散方向：N區(qū)到金屬區(qū)電場方向：N區(qū)到金屬區(qū)金屬區(qū)的電子：產(chǎn)生從金屬區(qū)到N區(qū)的漂移運(yùn)動，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運(yùn)動和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動達(dá)到相對
2021-11-16 08:08:11
基片、N 陰極層及陰極金屬等構(gòu)成。在 N 型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。 當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N 型基片接電源負(fù)極）時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小；反之，若在
2021-06-30 16:48:53
` 一、肖特基二極管具有的優(yōu)勢 肖特基二極管MBR系列極快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時間使它們非常適合高頻應(yīng)用，并能最大程度降低開關(guān)損耗。肖特基二極管與普通的PN結(jié)二極管不同。是使用N型
2018-12-27 13:54:36
]原理 肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2017-10-19 11:33:48
是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。 肖特基（Schottky）二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣
2021-04-17 14:10:23
、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的多屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低
2015-11-26 15:59:32
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR），也有人叫做：肖特基勢壘
2021-06-30 17:04:44
較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、打電流整流（或續(xù)流）電路的效率。肖特基二極管的作用：肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘
2020-10-27 06:31:18
。 肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2019-02-18 11:27:52
物理學(xué)家Walter Schottky開發(fā)了金屬-半導(dǎo)體接觸的模型。與半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接觸相反，肖特基二極管由于材料組成的選擇方式在半導(dǎo)體的界面上形成了一個耗盡區(qū)而因此具有勢壘。這防止了低于特定功率閾值
2017-04-19 16:33:24
肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻
2021-05-28 06:57:34
` 肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。 因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2018-12-11 11:48:34
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2019-10-22 09:12:18
的保存溫度范圍Tstg均為-55~+150℃，結(jié)溫Tj最高達(dá)到150℃，具有較寬的工作溫度范圍，可以應(yīng)用于不同的環(huán)境。RB068MM100和RB168MM100肖特基勢壘二極管均采用SOD-123FL封裝
2019-07-23 04:20:37
人叫做：肖特基勢壘二極管（ Schottky Barrier Diode 縮寫成 SBD）的簡稱。但 SBD 不是利用 P 型半導(dǎo)體與 N 型半 導(dǎo)體接觸形成 PN 結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體
2021-01-19 17:26:57
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之為勢壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產(chǎn)生
2018-12-03 14:31:01
的肖特基勢壘。與一般的PN結(jié)二極管相比，具有正向電壓 (VF) 低，開關(guān)速度快的特點(diǎn)。但漏電流 (IR) 大，有如果熱設(shè)計錯誤則引起熱失控的缺點(diǎn)。廣泛用于電源部二次側(cè)整流。其特性根據(jù)使用的金屬不同而
2019-04-30 03:25:24
MBR20100FCT是多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，因此不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。MBR20100FCT的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充放電時間，與PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時間完全不同。由于
2021-10-08 16:35:18
形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管，也稱為肖特基勢壘二極管，屬于金屬半導(dǎo)體結(jié)二極管。PS2045L主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌 ⒎聪蚧謴?fù)時間短、開關(guān)損耗低。它是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，缺點(diǎn)是耐壓比較
2021-11-26 16:28:38
編輯-Z肖特基二極管是什么？肖特基二極管（肖特基勢壘二極管）：是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件。這種器件是由多數(shù)載流子傳導(dǎo)的，所以它的反向飽和電流比由少數(shù)載流子傳導(dǎo)的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中
2021-10-18 16:45:00
材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為型半導(dǎo)體。肖特基二極管的作用原理是什么？ 肖特基二極管的作用是單相導(dǎo)電特性的，利用金屬與半導(dǎo)體接觸所形成的勢壘對電流進(jìn)行控制。肖特基二極管有什么特點(diǎn)？肖特基二極管
2017-03-03 16:21:07
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 編輯
ROHM肖特基勢壘二極管具有各種高可靠性，低損耗器件。 它們有各種包裝。 肖特基二極管提供低正向電壓和反向電流
2019-06-17 15:30:23
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始
2018-11-29 14:35:50
常適合功率元器件的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的特性。作為肖特基勢壘二極管時，具有卓越的高速性能，可實(shí)現(xiàn)Si-SBD無法匹敵的高耐壓元器件。從耐壓的角度可與Si-FRD一爭高下，但其恢復(fù)性能更具優(yōu)勢。高速恢復(fù)
2018-12-03 15:12:02
` 肖特基二極管也叫熱載流子二極管，通過金屬和半導(dǎo)體接觸(肖特基接觸)形成肖特基勢壘從而實(shí)現(xiàn)整流。相對于普通的PN結(jié)二極管，肖特基二極管的反向恢復(fù)“慣性”很低。因此肖特基二極管適合于高頻整流或者
2019-01-02 13:57:40
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基勢壘的高度低于PN結(jié)勢壘，肖特基二極管的正向傳導(dǎo)閾值電壓和正向壓降均低于PN結(jié)勢壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-01-18 10:35:14
二極管的結(jié)電容分兩種：勢壘電容和擴(kuò)散電容。而一般數(shù)據(jù)手冊給到的結(jié)電容參數(shù)，通常指的是勢壘電容。上面這個是ES1J超快恢復(fù)二極管數(shù)據(jù)手冊的結(jié)電容參數(shù)Cj=8pF。同時我們知道，對于常用的二極管來說
2021-10-08 10:37:02
n 型半導(dǎo)體形成的結(jié)不具有整流特性，并且由于線性伏安特性而作為歐姆接觸。雖然金屬-半導(dǎo)體結(jié)實(shí)際上沒有明確的耗盡層，但是在結(jié)點(diǎn)對于多數(shù)電荷的載流子仍然有一個潛在的勢壘。這就是所謂的肖特基勢壘。肖特基勢壘
2022-03-19 22:39:23
金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的肖特基勢壘二極管，簡稱肖特基二極管shoky。肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。而低正向/低壓降肖特基二極管是正向壓降比普通肖特基二極管還要低的一種半導(dǎo)體器件
2017-08-10 09:23:06
肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。SiC-SBD
2018-11-29 14:33:47
`肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)
2018-12-10 15:19:35
` 肖特基二極管是利用金-屬半導(dǎo)體接面做為肖特基勢壘，而發(fā)生整流的效果，和普通二極管中由半導(dǎo)體-接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，能夠提高切換的速度
2018-11-05 14:29:49
20V100或者表面勢壘二極管20V100，具有正向耐大電流，反向恢復(fù)時間極快等優(yōu)點(diǎn)。伴隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步發(fā)展，對肖特基二極管的性能要求也越來越高，要求自身功率損耗更小，所以VF值與漏電流控制到更低
2018-10-17 15:20:19
和RB081LAM-20實(shí)物圖表面貼裝肖特基勢壘二極管RB051LAM-40和RB081LAM-20都采用硅外延平面結(jié)構(gòu)，其尺寸大小都為180mm長和12mm寬，具有尺寸小，密度高的優(yōu)勢。另外表面貼裝
2019-04-17 23:45:03
MDD肖特基二極管具有的優(yōu)勢：肖特基二極管MBR系列極快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時間使它們非常適合高頻應(yīng)用，并能最大程度降低開關(guān)損耗。肖特基二極管均具有非常低的正向壓降和比傳統(tǒng)二極管更低的熱
2020-08-28 17:12:29
肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。 肖特基二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬
2018-10-26 14:36:32
本人欲投資肖特基勢壘二極管生產(chǎn)，尋求高手指點(diǎn)，QQ411940115
2011-02-23 22:13:05
領(lǐng)域。肖特基二極管肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2018-10-19 11:44:47
減少，反向恢復(fù)時間trr可低至幾十納秒。 肖特基二極管是肖特基勢壘二極管的簡稱，它的構(gòu)造原理與普通PN結(jié)二極管有著很大區(qū)別：其內(nèi)部是由陽極金屬(用金、銀、鉬、鋁等)、二氧化硅電場消除材料、N外延層材料
2021-05-14 08:11:44
P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加電壓使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加，可
2018-11-26 14:09:08
年，德國物理學(xué)家WalterSchottky開發(fā)了金屬-半導(dǎo)體接觸的模型。與半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接觸相反，肖特基二極管由于材料組成的選擇方式在半導(dǎo)體的界面上形成了一個耗盡區(qū)而因此具有勢壘。這防止了低于特定
2018-10-19 15:25:32
肖特基勢壘二極管（SBD）是利用金屬與半導(dǎo)體的接合產(chǎn)生肖特基障壁的二極管。與普通PN結(jié)二極管相比，具有正向電壓（VF）更低，開關(guān)更快的特征。但是，有反向漏電流（IR）較大的缺點(diǎn)，其耐壓在200V以下，與其
2018-12-04 10:10:19
一、肖特基二極管的定義與特點(diǎn)1.什么是肖特基二極管肖特基二極管(肖特基勢壘二極管):它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒)。正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
`一、肖特基二極管的定義與特點(diǎn)1.什么是肖特基二極管肖特基二極管又稱肖特基勢壘二極管，它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2015-10-08 15:52:46
，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成
2019-04-01 11:59:16
本人想了解下肖特基勢壘二極管制造技術(shù)和工藝，望高手指點(diǎn)
2011-02-23 22:07:19
有什么區(qū)別呢?今天就讓立深鑫帶領(lǐng)大家一起去分析一下肖特基二極管與一般整流二極管相比特別之處在于哪里? 肖特基二極管是利用金屬半導(dǎo)體接面作為肖特基勢壘，以產(chǎn)生整流的效果，和一般二二極管中由半導(dǎo)體
2018-10-22 15:32:15
的肖特基勢壘。與一般的PN結(jié)二極管相比，具有正向電壓 (VF) 低，開關(guān)速度快的特點(diǎn)。但漏電流 (IR) 大，有如果熱設(shè)計錯誤則引起熱失控的缺點(diǎn)。廣泛用于電源部二次側(cè)整流。其特性根據(jù)使用的金屬不同而
2019-04-11 02:37:28
肖特基二極管包括普通功率肖特基勢壘二極管(PowerSchottkyBarrierDiode,SBD)、結(jié)勢壘控制的肖特基(JunctionBarrierControlledShottky，JBS
2019-02-12 15:38:27
混頻二極管是利用金屬和N型半導(dǎo)體相接觸所形成的金屬半導(dǎo)體結(jié)的原理而制成的。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體相接觸時，它們的交界面處會形成阻礙電子通過的肖特基勢壘，即表面勢壘。
2019-11-05 09:11:18
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
類比法學(xué)習(xí)勢壘電容和擴(kuò)散電容我個人認(rèn)為前者是主要矛盾，類似大壩貯水，水位越高，水量越大，水量除以水位=水容，可以類比（電量/電位=電容） 后者是次要矛盾，類似大壩本體的滲水，顯然，本體滲水的能力是有限的。請問，這么類比對么？
2014-06-22 11:05:32
,RB095BM-30,RB098BM-30肖特基勢壘二極管均采用TO-252封裝，具有極好的互換性。 圖2 產(chǎn)品封裝圖RB078BM30S,RB088BM-30,RB098BM-30的訂購信息如圖3
2019-03-21 06:20:10
改善，并進(jìn)一步降低了第2代達(dá)成的低VF。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅
2019-07-10 04:20:13
和RBR3MM60B中功率肖特基勢壘二極管的特點(diǎn)：?高可靠性?小尺寸（SOD-123FL）?具有極低的正向壓降VF，可降低電路中所需電壓的條件，有利于電路設(shè)計，同時可降低導(dǎo)通時的功率損耗。RBR1MM60A
2019-07-15 04:20:07
原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。熱載流子，是指比零電場下的載流子具有更高平均動能的載流子。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種
2019-04-12 11:37:43
，可以應(yīng)用于不同的環(huán)境。RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30肖特基勢壘二極管均采用SOD-923封裝，具有極好的互換性。 圖2 產(chǎn)品封裝圖
2019-04-18 00:16:53
采芯網(wǎng)轉(zhuǎn)載：大功率肖特基二極管（SBD）是貴金屬A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。大功率肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流
2016-12-06 18:25:12
SS34: 3.0 A 肖特基勢壘整流器肖特基二極管 其主要特點(diǎn)是低反向電流和正向電壓，是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，該 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。該芯片焊接支腳
2022-04-21 15:09:07
。MSS60-253-B20產(chǎn)品規(guī)格零件號 MSS60-253-B20簡短的介紹 超高勢壘硅肖特基二極管Vf(V) 625.0000維生素B 3.50動態(tài)電阻(ohms) 1
2022-08-29 15:34:41
MA4E2502 SURMOUNTTM 系列二極管是硅低、中、高勢壘肖特基器件，采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造。HMIC? 電路由硅基座組成，這些基座形成二極管或嵌入玻璃
2022-09-01 11:52:30
MA4E1338 系列是硅介質(zhì)勢壘肖特基二極管，適用于混頻器、檢波器和限幅器電路。這些二極管也適用于 50 O 和 75 O 系統(tǒng)的反并聯(lián)、分流電源浪涌保護(hù)電路。這些部件提供 Sn/Pb 鍍層，以及
2022-09-01 11:59:54
MA4E1340 系列是硅介質(zhì)勢壘肖特基二極管，適用于混頻器、檢波器和限幅器電路。這些二極管也適用于 50 歐姆和 75 歐姆系統(tǒng)的反并聯(lián)、分流電源浪涌保護(hù)電路。這些部件提供 Sn/Pb 鍍層，以及
2022-09-01 12:15:42
MA4E1339 系列是硅介質(zhì)勢壘肖特基二極管，適用于混頻器、檢波器和限幅器電路。這些二極管也可用于 50 歐姆和 75 歐姆系統(tǒng)的反并聯(lián)、分流電源浪涌保護(hù)電路。這些部件提供 Sn/Pb 鍍層，以及
2022-09-01 15:37:27
FQFP-N 3 毫米方形、16 引腳塑料封裝。該芯片使用 MACOM 獨(dú)特的 HMIC 硅/玻璃工藝來實(shí)現(xiàn)低損耗無源元件，同時保留高勢壘硅肖特基勢壘二極管的優(yōu)勢以生產(chǎn)
2022-12-29 11:04:03
SOIC-8 封裝。該芯片使用 MACOM 獨(dú)特的 HMIC 硅/玻璃工藝來實(shí)現(xiàn)低損耗無源元件，同時保留低勢壘硅肖特基勢壘二極管的優(yōu)勢以生產(chǎn)緊湊型設(shè)備。 HMI
2022-12-29 11:06:37
BAS40-05Q-13-F 產(chǎn)品簡介DIODES 的BAS40-05Q-13-F這款200mA表面貼裝肖特基勢壘二極管（標(biāo)準(zhǔn)）封裝提供低正向電壓降和快速切換能力，采用PN結(jié)保護(hù)環(huán)
2023-10-19 11:40:43
BAS40-06Q-13-F 產(chǎn)品簡介DIODES 的BAS40-06Q-13-F這款200mA表面貼裝肖特基勢壘二極管（標(biāo)準(zhǔn)）封裝提供低正向電壓降和快速切換能力，采用PN結(jié)保護(hù)環(huán)
2023-10-19 11:44:26
BAS40WQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的BAS40WQ這是一款采用 SOT323 封裝的 200mA 表面貼裝肖特基勢壘二極管。它提供低正向壓降和快速開關(guān)功能，設(shè)計有用于瞬態(tài)
2023-10-19 11:52:02
BAS70DW-04Q產(chǎn)品簡介DIODES 的BAS70DW-04Q這款肖特基勢壘陣列在各種配置中都具有低泄漏性能。只需一個元件即可降低元件貼裝成本。旨在滿足 AEC-Q101 要求產(chǎn)品規(guī)格
2023-10-19 11:57:48
BAS70TWQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的BAS70TWQ這款肖特基勢壘陣列在各種配置中都具有低泄漏性能。只需一個元件即可降低元件貼裝成本。旨在滿足 AEC-Q101 要求。產(chǎn)品規(guī)格
2023-10-19 12:01:40
BAS70W-05Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的BAS70W-05Q這款肖特基勢壘陣列在各種配置中都具有低泄漏性能。只需一個元件即可降低元件貼裝成本。旨在滿足 AEC-Q101 要求
2023-10-19 12:35:15
BAT54AQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的BAT54AQ這款采用 SOT23 封裝的 200mA 表面貼裝肖特基勢壘二極管，提供低導(dǎo)通電壓和快速開關(guān)能力，設(shè)計有用于瞬態(tài)和 ESD 保護(hù)
2023-10-19 12:39:54
BAT54CQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的BAT54CQ這款采用 SOT23 封裝的 200mA 表面貼裝肖特基勢壘二極管，提供低導(dǎo)通電壓和快速開關(guān)能力，設(shè)計有用于瞬態(tài)和 ESD 保護(hù)
2023-10-19 12:43:45
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