（文章來源：電子制作站）

近幾十年來，電子技術(shù)發(fā)展非常迅速，應(yīng)用也越來越廣泛，目前已成為現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的一個(gè)重要組成部分。那到底什么是電子技術(shù)？簡(jiǎn)單地說，電子技術(shù)就是研究電子器件、電子電路及其應(yīng)用的科學(xué)技術(shù)，學(xué)習(xí)模電會(huì)為了我們以后深入學(xué)習(xí)電子技術(shù)領(lǐng)域中的內(nèi)容，以及電子技術(shù)在專業(yè)中的應(yīng)用打好基礎(chǔ)。

好了，讓我們以pN結(jié)的形成為起點(diǎn)，進(jìn)而了解半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用。

1、本征半導(dǎo)體：純凈 晶體結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵 自由電子 空穴（成對(duì)出現(xiàn)）即載流子（2種）【空穴電流 電子電流】，特點(diǎn)：電阻率大 導(dǎo)電性能隨溫度變化比較大。

2、摻雜半導(dǎo)體，a:N型半導(dǎo)體：摻入五價(jià)元素雜質(zhì)（施主雜質(zhì)），自由電子為多子（多數(shù)載流子稱為多子），空穴為少子，多子的濃度與摻入雜質(zhì)的濃度有關(guān)而不是與溫度有關(guān)，少子的濃度與溫度有關(guān)；b:P型半導(dǎo)體：摻入三價(jià)元素（硼）受主雜質(zhì)，空穴為多子，自由電子為少子，若摻入五價(jià)元素雜質(zhì)濃度多于三價(jià)雜質(zhì)濃度，可由P型轉(zhuǎn)向N型。

3、PN結(jié)的形成，兩邊多子濃度不同——多子擴(kuò)散——形成內(nèi)電場(chǎng)——阻礙多子運(yùn)動(dòng)——加強(qiáng)少子的飄移——飄移和擴(kuò)散達(dá)成動(dòng)態(tài)平衡——形成PN結(jié)。

注：由于交界面兩側(cè)的N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體存在多子濃度的極大差異，P型半導(dǎo)體一側(cè)的多子為空穴，其濃度遠(yuǎn)大于N型半導(dǎo)體一側(cè)；N型半導(dǎo)體一側(cè)的多子為電子，其濃度又遠(yuǎn)大于P型半導(dǎo)體一側(cè)。這種濃度差使多子相互擴(kuò)散通過交界面到達(dá)對(duì)方，并與對(duì)方的多子復(fù)合，使P區(qū)靠近交界面處形成一個(gè)缺少空穴，只有負(fù)離子的薄膜層；N區(qū)靠近交界面處形成一個(gè)缺少電子，只有正離子的薄層。

4、PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕琣:PN結(jié)的正向偏置 P——電源正極 N——電源負(fù)極，外電場(chǎng)使內(nèi)電場(chǎng)減弱，動(dòng)態(tài)平衡打破，多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)，少子飄移運(yùn)動(dòng)減弱，形成正向電流——PN導(dǎo)通；b:PN結(jié)的反向偏置 P——電源負(fù)極 N——電源正極 ，則PN截止。

5、pN結(jié)上電流與電壓關(guān)系，存在如IF=Isexp（-eVF/kT）下關(guān)系，式中，-e為電子電量；k為玻爾茲曼常數(shù)；T為絕對(duì)溫度；Is為反向飽和電流，。正向電壓U>0,i=Isexp(U/ut); 反向電壓U<0,i=IS(I 與U無關(guān)）。
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