描述這項(xiàng)設(shè)計(jì)是一款工作在電壓模式下的 100kHz FBPS 轉(zhuǎn)換器。該設(shè)計(jì)支持 400Vdc 到 750Vdc 的輸入電壓范圍,并能提供已調(diào)節(jié) 24V/12A 電源。TI 的 UCC28950
2018-12-14 15:39:09
描述此參考設(shè)計(jì)是一種 400W 相移全橋汽車轉(zhuǎn)換器,可以 48V 汽車電池輸入產(chǎn)生 12V 輸出。這種增強(qiáng)型相移全橋控制器實(shí)施了可編程延遲,可確保在各種操作條件下實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān) (ZVS)。這種輸出
2018-09-30 09:43:10
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qrr)和超快快恢復(fù)時(shí)間(trr),以及出色的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qg),能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜?b class="flag-6" style="color: red">ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
完全釋放干凈。當(dāng)原邊的MOSFET都處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí),串聯(lián)諧振電路中的諧振電流會對開關(guān)管MOSFET的等效輸出電容進(jìn)行充放電。MOSFET都關(guān)斷時(shí)的等效電路如下圖所示:通過對上圖的分析,可以得出需要滿足
2018-07-13 09:48:50
: 通過對上圖的分析,可以得出需要滿足ZVS的兩個(gè)必要條件,如下: 公式看上去雖然簡單,然而一個(gè)關(guān)于MOSFET等效輸出電容Ceq的實(shí)際情況,就是MOSFET的等效寄生電容是源漏極電壓Vds的函數(shù)
2018-11-21 15:52:43
完全釋放干凈。當(dāng)原邊的MOSFET都處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí),串聯(lián)諧振電路中的諧振電流會對開關(guān)管MOSFET的等效輸出電容進(jìn)行充放電。MOSFET都關(guān)斷時(shí)的等效電路如下圖所示:通過對上圖的分析,可以得出需要滿足
2018-07-18 10:09:10
碳化硅(SiC)等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗,并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
選擇正確電源的一個(gè)關(guān)鍵因素。本技術(shù)文章將描述用于測量轉(zhuǎn)換器 AC 電源抑制性能的技術(shù),由此為轉(zhuǎn)換器電源噪聲靈敏度確立一個(gè)基準(zhǔn)。我們將對一個(gè)實(shí)際電源進(jìn)行的簡單噪聲分析,展示如何把這些數(shù)值應(yīng)用于設(shè)計(jì)當(dāng)中
2020-09-18 07:00:00
的電壓可能非常低,但卻需要高輸出電壓。此時(shí),可以使用圖3所示的轉(zhuǎn)換器來驅(qū)動多個(gè)雪崩光電二極管、PIN二極管,以及其他需要高偏置電壓的器件。這些升壓轉(zhuǎn)換器可以從3 V輸入生成125 V輸出,負(fù)載電流最高
2019-09-12 09:25:30
的升壓轉(zhuǎn)換器在有些情況下,可用的輸入源的電壓可能非常低,但卻需要高輸出電壓。此時(shí),可以使用圖3所示的轉(zhuǎn)換器來驅(qū)動多個(gè)雪崩光電二極管、PIN二極管,以及其他需要高偏置電壓的器件。這些升壓轉(zhuǎn)換器可以從3 V
2020-08-12 08:59:43
用于高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的串行接口有哪些選擇?
2021-04-09 06:55:28
描述此設(shè)計(jì)是一種數(shù)字控制的相移全橋 600W 直流/直流轉(zhuǎn)換器。此相移全橋轉(zhuǎn)換器采用 C2000? Piccolo? 微控制器,這款微控制器支持峰值電流模式控制和同步整流。Piccolo 微控制器在
2022-09-19 07:42:55
”,亦即電源的開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器之間的頻差。如果拍頻在100Hz到23kHz之間,則音頻放大器很可能會檢測到它們,并擾亂系統(tǒng)性能。文探討了如何使用相移時(shí)延技術(shù)來對主/從(Master/Slave
2018-12-03 11:26:43
,效率現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到相當(dāng)高的水平了吧。用于電子設(shè)備等的DC/DC轉(zhuǎn)換器中,效率高達(dá)95%左右的產(chǎn)品并不罕見,所以可以說的確已經(jīng)達(dá)到了相當(dāng)高的水平。但是,關(guān)于AC適配器等AC/DC轉(zhuǎn)換器的話,隨著開關(guān)方式
2019-04-15 06:20:02
SiC功率元器件,在Tech Web基礎(chǔ)知識專欄中有詳細(xì)介紹,可以結(jié)合起來閱讀。在本篇章中計(jì)劃介紹以下項(xiàng)目。<使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例>用于設(shè)計(jì)的IC變壓器設(shè)計(jì)主要部件
2018-11-27 17:03:34
DC-DC 轉(zhuǎn)換器 控制環(huán)路如何使用模擬或數(shù)字技術(shù)實(shí)現(xiàn)?如何使用典型的波特圖來顯示隨頻率變化的相移和環(huán)路增益?
2021-03-11 07:34:21
的電流具有快速開關(guān)邊沿(可能存在與體二極管反向恢復(fù)和 MOSFET COSS 充電相關(guān)的前沿振鈴),其中富含諧波成分,產(chǎn)生負(fù)面影響嚴(yán)重的 H 場耦合,導(dǎo)致傳導(dǎo)和輻射 EMI 增加。轉(zhuǎn)換器噪聲類型主要
2019-11-03 08:00:00
儲存在電容(感)里,當(dāng)開關(guān)斷開時(shí),電能再釋放給負(fù)載,提供能量。其輸出的功率或電壓的能力與占空比(由開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間與整個(gè)開關(guān)的周期的比值)有關(guān)。開關(guān)電源可以用于升壓和降壓。中文名DC/DC轉(zhuǎn)換器屬于開...
2021-11-16 08:28:48
,二極管為OFF。MOSFET為OFF時(shí),蓄積在電感的電能經(jīng)由二極管D2供給至負(fù)載端。和正激轉(zhuǎn)換器的D1相同,開啟或關(guān)閉MOSFET。AC/DC轉(zhuǎn)換中,開關(guān)方式限用于非絕緣電源。對于變壓器方式而言
2021-04-10 07:00:00
能力。 IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出:“我們擴(kuò)展了中壓DirectFET MOSFET產(chǎn)品系列,這使得電源設(shè)計(jì)人員可以有更多的器件選擇去改善隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級和次級插槽的性能
2018-11-26 16:09:23
部分對于LLC工作過程中MOSFET的波形進(jìn)行進(jìn)一步分析,更對容易失效的問題點(diǎn)進(jìn)行研究。 上面的圖給出了啟動時(shí)功率MOSFET前五個(gè)開關(guān)波形。在變換器啟動開始前,諧振電容和輸出電容剛好完全放電。與正常工作狀況
2019-09-17 09:05:04
這些轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)布線策略。除較高分辨率的器件外,基本的布線方法是一致的。對于這些器件,需要特別注意防止來自轉(zhuǎn)換器串行或并行輸出接口的數(shù)字反饋?! 碾娐泛推瑑?nèi)專用于不同領(lǐng)域的資源來看,模擬在逐次逼近型A
2018-08-28 15:28:40
在每個(gè)占空比輸送更大功率。介紹eGaN場效應(yīng)晶體管在高頻諧振總線轉(zhuǎn)換器和48 V降壓轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。高頻諧振總線轉(zhuǎn)換器分布式電力系統(tǒng)在電信、網(wǎng)絡(luò)和高端服務(wù)器應(yīng)用中普遍存在,通常電信業(yè)采用48V總線
2019-04-04 06:20:39
?-Δ 型模數(shù)轉(zhuǎn)換器廣泛用于需要高信號完整度和電氣隔離的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。雖然Σ-Δ技術(shù)本身已廣為人知,但轉(zhuǎn)換器使用常常存在不足,無法釋放這種技術(shù)的全部潛力。本文從應(yīng)用角度考察Σ-Δ ADC,并討論如何在電機(jī)驅(qū)動中實(shí)現(xiàn)最佳性能。
2019-08-01 07:10:20
LLC諧振變換器的優(yōu)勢!電路分析架構(gòu)如下:第一,電路結(jié)構(gòu)相對簡單,有較高的效率。第二,它可以在整個(gè)運(yùn)行范圍內(nèi),實(shí)現(xiàn)零電壓切換(ZVS)。所有寄生元件,包括所有半導(dǎo)體器件的結(jié)電容和變壓器的漏磁電
2019-08-08 04:30:00
是ALTAIR05T-800,它是ALTAIR系列的第一個(gè)(全主傳感開關(guān)穩(wěn)壓器)。該IC在同一封裝中集成了高性能,低電壓PWM控制器芯片和800V,雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一種準(zhǔn)諧振(QR)電流模式控制器IC,專為QR ZVS(零電壓開關(guān))反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)
2020-08-12 08:43:59
針對降壓模式轉(zhuǎn)換器級(400V至12V)的理想拓?fù)錇?b class="flag-6" style="color: red">相移全橋 (PSFB)。這個(gè)拓?fù)淇梢栽诟綦x變壓器的初級側(cè)上實(shí)現(xiàn)4個(gè)電子開關(guān)的零電壓切換 (ZVS),以及次級側(cè)的二極管整流器(或MOSFET開關(guān)
2018-09-04 14:39:40
,但有一個(gè)因素可能是攪局者:熱量。如果轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的熱量過多,則它將無法用于已然很熱的系統(tǒng)中。在上述解決方案中,LTC3310S內(nèi)部溫度升幅通過高效率操作而得以最小化,即使在CPU、SoC和FPGA等高功耗
2021-12-01 09:38:22
的溫度下提供更多的功率。...更高能效所有 ZVS 穩(wěn)壓器的核心就是零電壓開關(guān)拓?fù)洌軌蛟谳斎腚妷狠^高的條件下降低損耗,同時(shí)實(shí)現(xiàn)比競爭產(chǎn)品更高的轉(zhuǎn)換效率。...更小尺寸所有有源元器件都集成到封裝中
2018-08-21 10:43:35
摘要 本文介紹了碳化硅(SiC)器件在高頻率 LLC 諧振 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。此類轉(zhuǎn)換器可用于母線轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電機(jī)、服務(wù)器電源和儲能系統(tǒng)。在開關(guān)頻率較高的情況下,LLC 變壓器
2023-02-27 14:02:43
來源:搜狐網(wǎng)DCDC電源模塊在EMC常規(guī)測試失敗占比很大,然而要解決Buck轉(zhuǎn)換器中的EMI問題是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),因?yàn)槠渲泻泻芏喔哳l成分。在實(shí)際的電子元器件電氣特性往往不可避免的寄生參數(shù)會影響我們
2020-10-22 15:40:42
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ,采用 一體化封裝 ,已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 (TO263-7L)中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
ZVS諧振接通,從而完全回收存儲在MOSFET寄生輸出電容中的能量。與此同時(shí),所有二次側(cè)開關(guān)均隨ZVS諧振關(guān)斷,從而最大限度地降低通常與硬開關(guān)相關(guān)的開關(guān)損耗。LLC轉(zhuǎn)換器中的所有開關(guān)器件均諧振操作,這
2022-04-12 11:07:51
ZVS諧振接通,從而完全回收存儲在MOSFET寄生輸出電容中的能量。與此同時(shí),所有二次側(cè)開關(guān)均隨ZVS諧振關(guān)斷,從而最大限度地降低通常與硬開關(guān)相關(guān)的開關(guān)損耗。LLC轉(zhuǎn)換器中的所有開關(guān)器件均諧振操作,這
2022-06-14 10:14:18
Automotive H-Bridge電源模塊設(shè)計(jì)應(yīng)用的第一步中為客戶提供支持。這個(gè)簡易模塊包含高速IGBT3和快速二極管,例如非常適用于高達(dá)100 kHz和3 kW的相移全橋零電壓轉(zhuǎn)換(ZVT)DC / DC轉(zhuǎn)換器中的HV至LV DC / DC轉(zhuǎn)換器
2020-04-15 09:55:46
描述 此直流-直流電源轉(zhuǎn)換器采用UCD3138CC64EVM-030子卡實(shí)現(xiàn)數(shù)字控制功能。該子卡具有預(yù)加載的固件,為相移全橋轉(zhuǎn)換器提供所需的控制功能。TIDA-00412
2022-09-23 07:06:58
描述 PMP10233 參考設(shè)計(jì)是適用于汽車應(yīng)用的非同步降壓轉(zhuǎn)換器,輸入電壓范圍是 9 至 42 V。它使用 TPS54140-Q1 提供 8.0 V、1.0 A 的輸出。主要特色寬輸入電壓范圍最高
2018-12-19 14:51:29
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平,在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平,在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器
2018-12-04 10:10:43
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析,可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù),進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示,在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
本文主要介紹全新雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與分析。這項(xiàng)全新的拓?fù)浼捌淇刂撇呗詮氐捉鉀Q了傳統(tǒng)雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器(電源容量及效率有限)中存在的電壓尖峰問題。該轉(zhuǎn)換器不僅可用作電池組和DC母線接口,而且
2021-11-20 08:00:00
本文主要介紹全新雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與分析。這項(xiàng)全新的拓?fù)浼捌淇刂撇呗詮氐捉鉀Q了傳統(tǒng)雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器(電源容量及效率有限)中存在的電壓尖峰問題。該轉(zhuǎn)換器不僅可用作電池組和DC母線接口,而且
2021-11-23 06:30:00
可以輕松設(shè)計(jì)使用SiC-MOSFET的電源,不僅發(fā)力SiC-MOSFET的開發(fā),還推進(jìn)控制元器件的開發(fā)。“BD7682FJ-LB”是以將SiC-MOSFET用于功率開關(guān)為前提開發(fā)的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC
2018-12-04 10:11:25
負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)器的輸入,負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)器則用于驅(qū)動FPGA、微處理器、ASIC、I/O和其他低壓下游器件。然而,在許多新型應(yīng)用中,比如48 V直接轉(zhuǎn)換應(yīng)用,IBC中沒有必要進(jìn)行隔離,因?yàn)樯嫌?8 V或54 V
2018-10-23 11:46:22
板· · 400kHz開關(guān)頻率· · 扼流圈中的電流紋波約為額定電流的30%· · 緊湊型60V MOSFET,具有較低的Rdson、Rth和封裝ESL· · 1Ω柵極串聯(lián)電阻· 圖3:轉(zhuǎn)換器功率級簡圖
2020-09-01 14:07:07
器件的四倍。如果不對電路進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整,很有機(jī)會在諧振LLC轉(zhuǎn)換器上在輕負(fù)載時(shí)效率可能下降多達(dá)0.5%。設(shè)計(jì)人員還應(yīng)注意,如果要在CCM圖騰PFC設(shè)計(jì)中獲得最高的峰值效率,則必須通過打開碳化硅
2023-03-14 14:05:02
,該規(guī)格適用于所有USB PD應(yīng)用,如PC /筆記本電腦、移動電源和擴(kuò)展口。在同步降壓轉(zhuǎn)換器中,有個(gè)現(xiàn)象眾所周知,它稱為“低端誤導(dǎo)通”或“dv/dt電感導(dǎo)通”,這是造成擊穿的罪魁禍?zhǔn)?,?b class="flag-6" style="color: red">可能損壞開關(guān)并
2019-07-16 06:44:27
的輸入,負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)器則用于驅(qū)動FPGA、微處理器、ASIC、I/O和其他低壓下游器件?! ∪欢?,在許多新型應(yīng)用中,比如48 V直接轉(zhuǎn)換應(yīng)用,IBC中沒有必要進(jìn)行隔離,因?yàn)樯嫌?8 V或54 V輸入已經(jīng)
2018-12-03 10:58:08
設(shè)計(jì)方面,SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)?! 榱颂岣吖β拭芏?,通常的做法是設(shè)計(jì)更高開關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器。 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡介 在許多應(yīng)用中,較高的開關(guān)頻率會導(dǎo)致濾波器更小,電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
。反向恢復(fù)電流非常高并且在啟動期間足以造成直通問題,如圖4所示圖4: 啟動期間LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中的波形。圖4: 啟動期間LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中的波形
2019-01-15 17:31:58
輸出整流器的損耗。用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器的同步整流器使用二極管整流器時(shí),如圖1所示,全部輸出電流流過輸出二極管。對于低電壓或高輸出電流應(yīng)用,這些二極管整流器中存在顯著的效率損失和熱應(yīng)力。圖1.帶二極管
2019-08-08 09:00:00
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
電子行業(yè)應(yīng)用最普及的轉(zhuǎn)換器之一是DC-DC降壓(step-down,亦稱buck)轉(zhuǎn)換器。 簡而言之,同步降壓轉(zhuǎn)換器用于將電壓從較高的電平降至較低的電平。隨著業(yè)界轉(zhuǎn)向更高性能的平臺,電源轉(zhuǎn)換器的能效
2018-09-30 16:04:12
中的寄生源電感。因此,采用SMD封裝的MOSFET也能實(shí)現(xiàn)快速開關(guān),同時(shí)降低開關(guān)損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
我們有一個(gè)帶升降壓轉(zhuǎn)換器的寬輸入電源管理 ic。28V VBUS 不是問題。那么是否有可能消除 N-MOSFET(至少在 Sink 模式下)?如果可以,您對 IN_GD、Gate 和 Source 引腳的連接有何建議?
2023-01-09 06:29:14
摘要Type II 補(bǔ)償器通常用于電流模式控制的開關(guān)轉(zhuǎn)換器回授電路,一般可獲得良好的線電壓與負(fù)載調(diào)節(jié)及瞬時(shí)響應(yīng)。然而當(dāng)工作點(diǎn)(如輸入電壓或負(fù)載電流)改變,原設(shè)計(jì)的補(bǔ)償器可能會有穩(wěn)定度變差,或相位裕度
2019-07-23 07:27:19
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢?
2021-02-22 07:16:36
公式Aβ=1<-180°中的180°相移是由有源元件和無源元件引入的,像任何精心設(shè)計(jì)的反饋電路那樣,使振蕩器取決于無源元件的相移,因?yàn)樗_且?guī)缀醪黄?。?yīng)使由有源元件提供的相移最小,因?yàn)樗S濕度而
2015-01-05 10:15:44
與傳統(tǒng)的并聯(lián)輸出級晶體管相比,交錯(cuò)式DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率的設(shè)計(jì),且仍然有改進(jìn)的余地。在交錯(cuò)式操作中,許多微型轉(zhuǎn)換器單元(或相位)并聯(lián)放置。理想情況下,有源相移控制電路將功率均勻
2011-07-14 08:52:28
的體二極管的存在,沒有如上所述的硬雪崩操作。操作和損失分析圖4給出了半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)態(tài)周期。以下是主要的五個(gè)狀態(tài),每個(gè)狀態(tài)都有其隨附的損失分析:在狀態(tài)1下,當(dāng)高端驅(qū)動信號VGSH變低時(shí),初級側(cè)
2023-02-27 09:37:29
回路Buck架構(gòu)DC/DC轉(zhuǎn)換器中存在兩個(gè)電流發(fā)生劇烈變化的主回路 :當(dāng)上橋MOSFET Q1導(dǎo)通的時(shí)候,電流從電源流出,經(jīng)Q1和L1后進(jìn)入輸出電容和負(fù)載,再經(jīng)地線回流至電源輸入端。在此過程中,電流中的交
2020-08-10 09:34:54
元器件數(shù)量。當(dāng)然電源IC也能更小。因此小型化是可以實(shí)現(xiàn)的。而且,把至今為止的不可能變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">可能就是工程師的工作。-也就是說,現(xiàn)有AC/DC轉(zhuǎn)換器的課題是效率改善與小型化,而BM2Pxxx系列正是其解決方案吧
2018-12-03 14:40:31
您可能會把模數(shù)轉(zhuǎn)換器或者數(shù)模轉(zhuǎn)換器缺少輸出穩(wěn)定性的原因歸咎于實(shí)際轉(zhuǎn)換器本身。但其實(shí)轉(zhuǎn)換器周圍的電壓參考才是真正的罪魁禍?zhǔn)?。我們將圍繞電壓參考如何改變轉(zhuǎn)換器性能作介紹?
2021-04-07 06:33:14
繞組電容器。在傳統(tǒng)的諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)過程中,設(shè)計(jì)人員必須確保存儲在諧振槽中的能量高于存儲在FET C oss中的能量,以便C oss耗盡存儲在諧振槽中的能量以實(shí)現(xiàn)ZVS。以圖1所示的LLC-SRC為例
2020-08-02 10:32:31
3:PSFB 轉(zhuǎn)換器工作波形(C1/C2 是 Q1/Q3 和 Q2/Q4 對產(chǎn)生的電壓,C4 是輸出整流器 D1-D4 兩端的電壓,C3 是 L2中的電流)圖 4:具有 ZVS 區(qū)域和恒定相移輪廓
2023-02-22 17:13:39
需要花時(shí)間了解它們的特性,以充分利用這一變化,同時(shí)還要了解它們的不同限制和故障模式。CoolSiC? 器件中體二極管的正向電壓是硅 MOSFET 的四倍。因此,LLC轉(zhuǎn)換器在輕負(fù)載下的效率可能
2023-02-23 17:11:32
。為了防止MOSFET遭到破壞而設(shè)定緩沖電路,以抑制浪涌電壓。位于上述電路圖一次側(cè),由電阻、二極管、電容器組成的電路就是緩沖電路。請記住,緩沖電路是大多數(shù)反激式轉(zhuǎn)換器中,基本且必要的電路。關(guān)鍵要點(diǎn):?理解基本工作和電流、電壓波形。?緩沖電路是基本且必要的。
2018-11-27 17:00:29
。如果轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的熱量過多,則它將無法用于已然很熱的系統(tǒng)中。在上述解決方案中,LTC3310S內(nèi)部溫度升幅通過高效率操作而得以最小化,即使在CPU、SoC和FPGA等高功耗器件周圍的惡劣溫度條件下
2021-12-14 07:00:00
這是一款超聲波轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動電路,大家?guī)兔?b class="flag-6" style="color: red">分析一下,現(xiàn)在驅(qū)動轉(zhuǎn)換器時(shí) 是可以驅(qū)動起來的 但是功率不夠,振蕩的幅度很小,需要如何調(diào)整才能提高輸出的功率呢我拿仿真軟件也使了一下,波形如下大家看一看問題出在哪呢
2016-03-11 10:56:23
將功率MOSFET外置的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制器IC和高耐壓MOSFET相組合,可以構(gòu)成高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。然而,非單體元器件、而是作為一個(gè)IC實(shí)現(xiàn)80V的高耐壓,則需要高超的制造工藝技術(shù)。用于制造
2018-12-03 14:44:01
描述此 2kW 隔離式雙向直流/直流轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì) (TIDA-00951) 可在 400V 直流總線和 12 - 14 節(jié)鋰電池組之間進(jìn)行電力傳輸,可用于 UPS、電池備份和電力存儲等應(yīng)用。在備用
2018-12-05 14:13:14
和多相降壓轉(zhuǎn)換器。該參考設(shè)計(jì)使用兩個(gè)dsPIC33F16GS504器件,一個(gè)用于PFC升壓轉(zhuǎn)換器和ZVT全橋轉(zhuǎn)換器,而另一個(gè)dsPIC DSC用于單相和多相降壓轉(zhuǎn)換器
2019-05-17 09:23:23
,該規(guī)格適用于所有USB PD應(yīng)用,如PC /筆記本電腦、移動電源和擴(kuò)展口。在同步降壓轉(zhuǎn)換器中,有個(gè)現(xiàn)象眾所周知,它稱為“低端誤導(dǎo)通”或“dv/dt電感導(dǎo)通”,這是造成擊穿的罪魁禍?zhǔn)?,?b class="flag-6" style="color: red">可能損壞開關(guān)并
2018-10-30 09:05:44
阻抗轉(zhuǎn)換器的定義是什么?典型阻抗分析系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)是怎樣的?電容測量轉(zhuǎn)換器的原理是什么?電容測量轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用有哪些?
2021-04-20 06:56:49
。實(shí)際上,所有這些器件,無論是無源的還是有源的,都遠(yuǎn)不是完美的。它們的存在如何影響降壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器的直流傳輸功能是本文將要研究的主題
2019-08-07 08:19:32
推導(dǎo)簡單的等式,描述采用不連續(xù)導(dǎo)電模式工作的LED升壓轉(zhuǎn)換器的一階響應(yīng)。盡管存在一階的固有局限,簡要分析獲得的答案是足以穩(wěn)定控制環(huán)路。在第2部分(實(shí)際考慮因素)文章中,我們將深入研究實(shí)施方案,并驗(yàn)證
2018-09-29 16:52:10
種情況下達(dá)到50 mV。此外,所選擇的峰峰值電感電流為0.5 A.每種設(shè)計(jì)均基于圖1中的電路,采用TI的TPS54160,2.5 MHz,60 V,1.5 A降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器,集成MOSFET。選擇
2019-07-16 23:54:06
繞組電容器。在傳統(tǒng)的諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)過程中,設(shè)計(jì)人員必須確保存儲在諧振槽中的能量高于存儲在FET C oss中的能量,以便C oss耗盡存儲在諧振槽中的能量以實(shí)現(xiàn)ZVS。以圖1所示的LLC-SRC為例
2022-05-11 10:17:28
繞組電容器。在傳統(tǒng)的諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)過程中,設(shè)計(jì)人員必須確保存儲在諧振槽中的能量高于存儲在FET C oss中的能量,以便C oss耗盡存儲在諧振槽中的能量以實(shí)現(xiàn)ZVS。以圖1所示的LLC-SRC為例
2022-05-25 10:08:50
零電壓開關(guān)全橋轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)降低元器件電壓應(yīng)力
很多電源管理應(yīng)用文章都介紹過采用 ZVS(零電壓開關(guān))技術(shù)實(shí)現(xiàn)無損轉(zhuǎn)換的優(yōu)勢。為了實(shí)現(xiàn) ZVT(零電壓轉(zhuǎn)換),漏-源電
2009-11-03 09:03:33
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升壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用設(shè)計(jì)分析
升壓轉(zhuǎn)換器的拓?fù)漕愋腿绾危?
本質(zhì)上,升壓轉(zhuǎn)換器IC被用于電池
2010-03-20 13:57:14
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LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS,需要滿足以下三個(gè)基本條件
2018-06-11 07:51:00
20147 
LTC?3722-1 / LTC3722-2 相移 PWM 控制器提供了實(shí)現(xiàn)高效率、零電壓開關(guān) (ZVS)、全橋式功率轉(zhuǎn)換器所必需的全部控制和保護(hù)功能。自適應(yīng) ZVS 電路可延遲每個(gè) MOSFET 的接通信號,這與內(nèi)部和外部組件的容差無關(guān)。手動延遲設(shè)定模式負(fù)責(zé)啟用副端控制操作或開關(guān)接通延遲的直接控制。
2020-10-30 10:38:07
1178 近幾年來,開關(guān)電源市場對高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高,在此拉動下,設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。PWM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個(gè)深受歡迎的軟硬結(jié)合的開關(guān)電源拓?fù)洌軌蛟诖蠊β蕳l件下達(dá)取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關(guān)管在零壓開關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性。
2021-03-16 11:24:25
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和軟開關(guān)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。本文的目的是研究MOSFET器件用作零壓開關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)時(shí)所受到的潛在電氣應(yīng)力。
2022-04-01 16:18:39
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《360W數(shù)控相移全橋轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 10:08:24
3 作為Si功率元器件評估篇的第2波,將開始一系列有關(guān)Si功率元器件通過PSFB電路進(jìn)行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全橋電路,尤其是相移全橋(以下稱“PSFB
2023-02-13 09:30:05
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相移全橋電路中輕負(fù)載時(shí)流過的電流小,LS中積蓄的能量少,所以很有可能在滯后臂的COSS充放電完成之前就開始開關(guān)工作。因此,ZVS工作無法執(zhí)行,很容易發(fā)生MOSFET的導(dǎo)通損耗。
2023-02-13 09:30:05
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在下面的表格中,匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時(shí),LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點(diǎn)。LLC轉(zhuǎn)換器通過部分諧振方式實(shí)現(xiàn)ZVS工作,部分諧振方式是使用激勵(lì)電流對MOSFET的輸出電容Coss進(jìn)行充電和放電。這樣可以減少開關(guān)損耗,從而可以減小MOSFET封裝和散熱器的尺寸。
2023-02-13 09:30:12
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在上一篇的圖2的區(qū)域(2)中,MOSFET導(dǎo)通時(shí)是ZVS工作,因此LLC轉(zhuǎn)換器通常在這個(gè)區(qū)域使用。圖3為區(qū)域(2)中的工作波形。Q1和Q2的漏極電流波形(ID_Q1、ID_Q2)表明在導(dǎo)通時(shí)是ZVS工作。
2023-02-13 09:30:13
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的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on)x Qg),能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜?b class="flag-6" style="color: red">ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率和功率水平,適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用。該產(chǎn)品系列提供了廣泛的封裝選項(xiàng),包括長引線 TO-247、TO-LL,以及SOT223-2封裝。 ? 最新的快速恢復(fù)體二極管超結(jié)MOSFET技術(shù)針對要求嚴(yán)苛的橋式拓?fù)浜?b class="flag-6" style="color: red">ZVS相移轉(zhuǎn)換器進(jìn)
2023-02-22 15:26:58
601 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于反激式轉(zhuǎn)換器的同步MOSFET選擇.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-26 10:29:26
1 如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障? 在LLC諧振轉(zhuǎn)換器中,MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色。因?yàn)樗鼈冊?b class="flag-6" style="color: red">轉(zhuǎn)換器的關(guān)鍵電路中,控制著電流的流動和開關(guān)。但是,由于轉(zhuǎn)換器的工作環(huán)境可能很嚴(yán)
2023-10-22 12:52:19
371 功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識
2023-11-23 09:06:38
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