近日，德州儀器 （TI） 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:11
1115 通訊應用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓撲的電源模塊。這些拓撲使用高性能半橋驅動器實現高頻操作和高效率。半橋柵極驅動器采用的技術已在業界成功應用了數十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
開關頻率（高達 100kHz）支持以最低的電流紋波驅動低電感電機帶有集成型柵極驅動器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復雜度極速開關轉換（小于
2018-10-31 17:33:14
國際整流器公司推出堅固型600 V三相柵極驅動器IC，主要應用于包括永磁電機驅動的家電、工業驅動、微型變頻器驅動和電動汽車驅動等在內的高、中和低壓電機驅動應用。
2016-06-21 18:20:36
IR21094采用14腳封裝。驅動級工作電壓600V，柵極驅動電壓10-20V，前級最高工作電壓25V。
2021-04-14 08:05:22
IR2109采用8腳封裝。驅動級工作電壓600V，柵極驅動電壓10-20V，前級最高工作電壓25V。
2021-04-16 06:12:23
準備用IR2153設計一個靜電發生器 基本原理圖如下IR2153組成一個半橋逆變電路來驅動高壓包原邊，高壓包幅邊接倍壓整流電路將電壓放大到目標電壓 圖中HV是高壓包的原邊的輸入電壓，由工頻變壓器整流
2019-04-08 11:56:28
的最終驅動強度。該緩沖器可集成在隔離器封裝內，也可部署在封裝外。高壓電平轉換器使用上拉結構將時序數據傳送至高端，可處理高達幾百V的電壓。如果半橋電壓發生負振鈴，則高壓電平轉換器可能會閂鎖，而數字隔離器或
2018-10-16 13:52:11
啟動波形異常，電壓升高時MOS管損壞，另外我把ST900V的管子（即800V板子所用的管子）用在1200的板子上，也可以跑到800V時，換成1500V的管子600V都跑不上去，這是最不能理解的。兩橋臂
2022-01-14 17:28:17
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅動器柵極驅動器的關鍵參數
2020-12-25 06:15:08
如果控制側涉及到人的活動，那么高功率側和低電壓控制電路之間需要電流隔離。它能防范高壓側的任何故障，因為盡管有元件損壞或失效，隔離柵仍會阻止電力到達用戶。圖6.采用ADuM4121隔離式柵極驅動器的半橋
2021-07-09 07:00:00
產生于開關期間。為了最大程度減小開關損耗，要求具備較短的開關時間。然而，快速開關同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，需要為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅動器，還需要執行提供
2021-11-11 07:00:00
值得一看的高壓柵極驅動器IC
2016-06-22 18:23:20
CK5G14 在同一顆芯片中同時集成了三個 250V 半橋柵極驅動器，特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動。芯片內置了死區時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
隔離電源轉換器詳解柵極驅動器解決方案選項最優隔離柵極驅動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
電路、休眠模式、故障報告和一個比較器。單電源支持廣泛的8-V至60-V范圍，使其非常適合電機驅動應用。 功能框圖 特性描述 輸出級 DRV8313包含三個半橋驅動程序。所有三個半
2020-07-10 14:23:52
1. 特性? 雙管正激電源 600V 高壓驅動? 高端懸浮自舉電源設計? HIN、LIN 適應 0-20V 輸入電壓? 小于 1uA 靜態電流? 最高頻率支持 500KHZ? 低端 VCC 電壓范圍
2022-09-09 16:21:19
及輸出驅動電路，專用于無刷電機控制器、電源 DC-DC 中的驅動電路。EG2106 高端的工作電壓可達 600V，低端 Vcc 的電源電壓范圍寬 10V～20V。該芯片輸入通道 HIN 內建了一個
2022-09-13 13:22:59
FAN73832 是一款半橋、柵極驅動 IC，帶關斷和可編程死區時間控制功能，能驅動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款單片半橋柵極驅動 IC，設計用于高壓、高速驅動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 +1200 V。 HIN 的先進輸入濾波器針對噪聲產生的短脈沖輸入信號提供保護功能
2021-12-20 09:19:25
能力和最低交叉傳導。Fairchild 的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高 dv/dt 噪聲環境下穩定運行。先進的電平轉換電路，能使高側柵極驅動器的工作電壓在 VBS=15 V 時高達 VS
2022-01-18 10:43:31
對這些寄生效應進行優化可以減少該問題，并且以高于100V/ns的高壓擺率實現出色的開關性能。圖1. 由獨立封裝內的驅動器驅動的GaN器件 (a)；一個集成GaN/驅動器封裝 (b)。圖2.用于仿真的半橋
2018-08-30 15:28:30
概述：IR2111是International Rectifier公司生產的一款半橋驅動器，它為雙列直插或貼片8腳封裝。驅動電壓10-20V，電流（IO+/-）200 mA /420 mA。
2021-05-19 07:43:22
MOS柵極驅動能力及最高600V工作電壓下，可提供200mA/300mA的驅動電流。它有三個互相獨立的高邊和低邊輸出通路以及全保護功能。此外還有一個用于PFC 或 Brake IGBT驅動的低邊驅動器
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保護式600V三相柵極驅動器
2016-06-21 18:26:25
/小型及通用變頻器等電機驅動應用的單相高壓IC (HVIC) 系列 IRS260xD。 IRS260xD系列高速功率MOSFET和IGBT驅動器可以10V 至20V的柵極驅動電源電壓提供可選的依賴或
2008-11-13 20:40:15
■ 產品概述LN4318 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的 250V高壓三相柵極驅動器，具有三路獨立的高低邊輸出，可以用來驅動半橋電路中的高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4318
2021-06-30 10:07:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式，給方案設計帶來更多的選擇。半橋/全橋轉換器同步降壓、升降壓拓撲電子煙、無線充 MOSFET 驅動器電源電壓工作范圍為 4.5V
2022-01-12 13:39:25
，MP18851可為各種電源應用提供高效率、高功率密度和穩健的解決方案。MP18851將雙通道柵極驅動器集成在一個封裝中。每個輸出都可以分別接地或連接至正負參考電壓。副邊拓撲可配置為由兩個獨立輸入信號控制的半橋高
2022-09-30 13:47:21
確保高壓側電源開關的正確驅動。驅動器使用2個獨立輸入。特性：高壓范圍：高達600 VdV/dt抗擾度±50 V/nsec柵極驅動電源范圍為10 V至20 V高和低驅動輸出輸出源/匯電流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
的控制。這允許進行高壓側、低壓側和H橋控制。H橋控制提供正向、反向、制動和高阻抗狀態。驅動器通過邏輯電平輸入進行控制。特性：?睡眠模式下的超低靜態電流?電源電壓低至5 V?2個高壓側和2個低壓側驅動器
2021-12-20 14:28:27
NCP13992 是一款用于半橋諧振轉換器的高性能電流模式控制器。此控制器實施了 600 V 門極驅動器，簡化了布局，減少了外部部件數量。內置的欠電壓輸入功能簡化了該控制器在所有應用中的實施。在需要
2022-03-03 10:36:13
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅動器交叉傳導。漂浮的通道可用于驅動N通道電源高壓側配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達600V耐負瞬態電壓，dV/dt柵極驅動電源
2021-05-11 19:40:19
` SLM2104S 600V IGBT/MOS管半驅動動IC 封裝SOP8 IR2104S* VOFFSET 600 V max.* IO+/- 130 mA/270 mA* VOUT 10 V
2018-09-07 15:03:06
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
的傳播延遲，因而不能像數字隔離器一樣實現通道間時序特性的匹配。另外，在單個IC封裝中同時集成柵極驅動器和隔離機制可以最大限度地減小解決方案的尺寸。共模瞬變抗擾度在針對高壓電源的許多半橋柵極驅動器應用中
2018-07-03 16:33:25
上。這種電隔離可以通過集成高壓微變壓器或電容器來實現。1, 2, 3 一次意外的系統故障均可導致功率開關甚至整個功率逆變器損壞和爆炸。因此，需要針對高功率密度逆變器研究如何安全實施柵級驅動器的隔離功能。必須測試和驗證最壞情況下（功率開關被毀壞）隔離柵的可靠性。
2021-01-22 06:45:02
/dt 下的有源米勒鉗位的有效性以及 IGBT 柵極驅動器的源自可調速電氣電力驅動系統 (IEC61800-3) 的系統級 ESD/EFT 性能。Piccolo Launch Pad
2018-12-27 11:41:40
`IRS2093設計用于50W至150W的高性能D類音頻應用，包括家庭影院系統和汽車音頻放大器。IRS2093采用半橋拓撲結構，在單顆 IC中集成了具有PWM調制器的四通道高壓高性能D類音頻放大
2011-03-05 21:49:31
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
驅動半橋配置中的并聯 IGBT。并聯 IGBT 在柵極驅動器級（驅動強度不足）以及系統級均會帶來挑戰：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導通和關斷。此參考設計使用增強型隔離式
2018-12-07 14:05:13
電平轉換所需要的電荷（對于600V的半橋驅動器，該參數通常為5nC） 系統可靠性設計 由于直流電機是感性負載，因此當Q1關斷時，負載的電流不能突變，會轉換到由Q2的續流二極管進行續流。由于在Q2的源
2018-09-27 15:06:25
來設置單極或雙極 PWM 柵極驅動器延遲時間短，上升和下降時間短提供用于驅動半橋的信號和電源反激式恒定導通時間，無需環路補償可以在 24V±20% 范圍內寬松調節輸入此電路設計經過測試并包含測試結果
2018-12-21 11:39:19
現在需要一反向耐壓值為600V，電流為3A的整流橋作為開關電源的整流器，但是，這個高壓整流橋的壓降大，這樣引起的功耗就大，由于對開關電源的效率有要求，請問有什么辦法可以降低整流橋的功耗嗎？或者，有低壓降的高壓整流橋推薦嗎？
2014-05-13 19:53:40
闡述這些設計理念，以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
集成電路，具有更高的效率。高壓柵極驅動器集成電路(圖1)會增加電平轉換電路中的傳播延遲，因而不能像數字隔離器一樣實現通道間時序特性的匹配。在數字隔離器中集成柵極驅動器，可使解決方案的尺寸降至單封裝級，從而
2018-10-16 16:00:23
展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
軟啟動保護和掉電保護? 帶高壓線電壓保護? 600V 軌兼容的高側柵極驅動器? -0.3A/0.8A 高側和低側門極驅動? 封裝形式：SOP16L2. 描述EG6599 是一款專用于諧振半橋拓撲結構的雙端
2022-09-15 13:50:21
FD6288T&Q 是一款集成了三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片，專為高壓、高速驅動 MOSFET 設計，可在高達+250V 電壓下工作。FD6288T&Q 內置 VCC/VBS
2021-06-30 11:48:09
/ dt共模瞬變干擾能力，使其能夠防止耗能的雜散開關操作。這些器件內置1700V電氣隔離功能，可以降低消費級或工業電機驅動器、600V或1200V變頻器、DC / DC轉換器、充電器、電焊機、感應爐
2018-08-06 14:37:25
HiperLCS是一款集成了多功能控制器、高壓端和低壓端柵極驅動以及兩個功率MOSFET的LLC半橋功率級。圖1（上）所示為采用HiperLCS器件的功率級結構簡圖，其中LLC諧振電感集成在變壓器中
2019-03-07 14:39:44
。其在120V / ns轉換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過沖。 圖1：TI 600V半橋功率級——開關波形（a）；設備封裝（b）；半橋板圖（c）。 GaN FET具有低端子電容，因而
2019-08-26 04:45:13
FAN7382MX 是一款單片半橋門極驅動器集成電路 FAN7382 可以驅動最高在 +600V 下運行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術提供了高壓側驅動器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
柵極驅動器解決方案TI提供專為電動座椅設計的多電機汽車柵極驅動器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半橋柵極驅動器分別具有四個通道和八個通道。它們集成了電荷泵、電流檢測放大器和可用于多個負載
2022-11-03 07:05:16
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
柵極驅動器，能夠驅動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設備接口。該驅動器輸出具有最小驅動器跨導的高脈沖電流緩沖設計。
2021-09-14 07:29:33
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實現升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
和填充的設計，包括一個基于600V IGBT SLLIMM（小型低損耗智能模塑模塊）的三相逆變橋，采用SDIP 38L封裝，安裝在散熱器上。 STGIPL14K60集成了：高壓，短路堅固的IGBT和高壓柵極驅動器，具有集成運算放大器等先進功能，適用于高級電流檢測
2020-05-29 16:34:29
L6390，用于工業應用的高壓半橋柵極驅動器。三相功率級三L6390半橋柵極驅動器之一的應用電路
2019-07-08 12:28:25
Portfolio系統，跨越12v 到80v 的范圍往往需要一個司機與較高的供應額定值，支持高功率18v 鉆頭和80v 割草機。雖然選擇合適的集成三相無刷直流電機驅動器是有限的，一套有能力的100伏半橋可以
2022-04-14 14:43:07
驅動器，特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動。芯片內置了死區時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對功率管產生損害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半橋驅動器的套路嗎？最近看電瓶車控制器里的驅動模塊沒有類似半橋驅動器的芯片，應該是自己搭建的，網上看了看也沒有類似的東西，來請教一下
2017-01-14 18:03:50
請問怎么優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計？
2021-06-17 06:45:48
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設計，配有高端和低端驅動器，可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
雙通道柵極驅動器無重疊保護MP18871脈寬調制 (PWM) 輸入半橋柵極驅動器重疊保護、可調死區時間MP18831MP18831 在單個封裝中集成了雙輸入柵極驅動器，并具有可調死區時間。 當兩個輸入同時
2022-09-30 14:05:41
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
通道的器件，此規格的表述方式相同，但被稱為通道間偏斜。傳播延遲偏斜通常不能在控制電路中予以補償。圖6顯示了ADuM4121柵極驅動器的典型設置，其結合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機
2018-10-25 10:22:56
6顯示了ADuM4121柵極驅動器的典型設置，其結合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機驅動應用。在這種設置中，如果Q1和Q2同時導通，有可能因為電源和接地引腳短路而發生直通。這可
2018-11-01 11:35:35
，低側FET導通并開始通過其通道導通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動機驅動設計中發現的其它同步半橋配置。負責高速接通的一個重要的柵極驅動器參數是導通傳播延遲。這是在柵極驅動器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
4-A、600V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
4-A、600V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-20 15:04:53
TF2183(4)M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道
2023-02-27 17:04:43
高壓浮動MOS柵極驅動集成電路(應用手冊):高壓側器件的柵極驅動要求,典型MOS柵極驅動器(MGD)的框圖,自舉工作原理，如何選擇自舉元件等內容。
2010-01-04 17:17:57
87 TF2184是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2184的高側能夠在引導
2023-06-25 16:25:20
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2103M高側切換到600V的引導操作
2023-06-25 16:39:30
TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側能夠在引導操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF21844M是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和IGBT。TF半導體的高壓過程使TF21844M的高側能夠在引導操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2304M的高側能夠在引導操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF2136M是一種三相柵極驅動器IC，設計用于高壓、高速應用，驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF2136M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 10:46:50
TF21364M是一種三相柵極驅動器IC，設計用于高壓、高速應用，驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF21364M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 10:59:30
深圳市三佛科技有限公司供應SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅動芯片SOP8，原裝現貨 半橋柵極動心片.半橋柵極驅動芯片是一種用于驅動半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
IR上市600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC
美國國際整流器公司（IR）上市了+600V耐壓的車載設備用柵極驅動IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅動應用。
2011-10-21 09:45:211669 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 三相驅動器（如三相600V單芯片柵極驅動器STDRIVE601）的易用性、可用性和經濟性是這一發展的主要原因所在。STDRIVE601具有穩健性、簡單性和節省成本的特點，同時可確保系統受保護并提供安全功能。
2020-12-24 17:51:54694 關于高壓柵極驅動器自舉電路設計方法介紹。
2021-06-19 10:14:0476 圖1所示電路顯示了一個電路，其中低壓微控制器與高壓域（包括輸出開關及其柵極驅動器）電氣隔離（出于安全原因）。更快的開關速度意味著更快的開關瞬變。例如，GaN功率系統的開關時間通常為5ns（比傳統
2023-06-28 14:33:33276 
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 EG8025 是一款采用電流模式、中心對齊 PWM 調制方式和內置兩路 600V 半橋高壓 MOS 驅動器等一體的數模結合芯片,專用于逆變器產品。該芯片采用 CMOS 工藝，內部的主要模塊為
2023-09-17 12:04:51
LP9961 是一款帶有高壓半橋驅動的全集成 LLC 控 制器。內部實現了 600V 的高壓柵極驅動，使得可 以采用極簡的外圍元件，就可以實現高效、可靠的 LLC 諧振系統。自適應的死區時間控制可以
2023-10-10 11:37:12
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