SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢(shì)，包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，3倍的帶隙，以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型和n型控制。

　　其結(jié)果是硅無(wú)法實(shí)現(xiàn)的突破性性能，使其成為下一代功率器件最可行的繼任者。SiC存在多種多型（多晶型），每種具有不同的物理性質(zhì)。在這些多類型中，4H-SiC是功率器件最理想的。

　　功率器件特性

　　SiC的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的10倍，因此可以通過(guò)更薄的漂移層和更高的雜質(zhì)濃度配置更高電壓（600V至XNUMX V）的功率器件。由于高壓器件的大部分電阻成分位于漂移層電阻中，因此SiC能夠以極低的單位面積導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)更高的耐壓。理論上，在相同的耐壓下，單位面積的漂移層電阻可比硅降低300倍。

　　為了盡量減少使用硅的較高耐壓下導(dǎo)通電阻的增加，通常使用少數(shù)載流子器件（雙極性），例如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）。然而，這會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗，從而導(dǎo)致更大的熱量產(chǎn)生并限制高頻操作。

　　相比之下，SiC通過(guò)高速器件結(jié)構(gòu)，使用多數(shù)載流器件（肖特基勢(shì)壘二極管、MOSFET）實(shí)現(xiàn)高耐壓成為可能，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高耐壓、低導(dǎo)通電阻和高速運(yùn)行。3倍寬的帶隙允許功率器件在更高的溫度下工作，從而大大擴(kuò)展了適用性。

　　碳化硅SBD器件結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)

　　將碳化硅高速器件結(jié)構(gòu)集成到肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）中，可以實(shí)現(xiàn)大于600V的耐壓（與硅SBD的~200V相反）。

　　因此，替換現(xiàn)有的主流PN結(jié)二極管（快速恢復(fù)型）可顯著降低恢復(fù)損耗，有助于降低線圈等無(wú)源元件的噪聲和更緊湊性。這是由于電源效率的提高和操作頻率的提高。這確保了對(duì)功率因數(shù)校正電路（PFC）和整流橋的支持，使其適用于更廣泛的應(yīng)用，包括交流電、電源、太陽(yáng)能功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車快速充電器。

　　碳化硅SBD正向特性

　　SiC SBD的上升電壓小于1V-相當(dāng)于FRD的上升電壓。上升電壓由肖特基勢(shì)壘的高度決定。然而，盡管設(shè)計(jì)較低的正常勢(shì)壘高度可以降低上升電壓，但這是以泄漏電流為代價(jià)的，漏電流在反向偏置期間會(huì)增加。為此，ROHM成功為其第2代SBD設(shè)計(jì)了一種工藝，可將上升電壓降低約0.15V，同時(shí)保持與傳統(tǒng)產(chǎn)品相當(dāng)?shù)穆╇娏骱突謴?fù)特性。

　　此外，溫度依賴性與Si FRD明顯不同，Vf隨著高溫下的工作電阻而增加。這有助于防止熱失控，確保即使并聯(lián)也能無(wú)憂運(yùn)行。

　　碳化硅SBD反向恢復(fù)特性

　　在硅高速PN二極管（FRD）中，當(dāng)方向從正向切換到反向時(shí)，較大的瞬態(tài)電流會(huì)流動(dòng)，這在這段時(shí)間內(nèi)切換到反向偏置條件時(shí)可能導(dǎo)致較大的損耗。當(dāng)施加正向電流時(shí)，積聚在漂移層中的少數(shù)載流子有助于導(dǎo)電，直到它們消失（存儲(chǔ)時(shí)間）。隨著正向電流的升高和溫度的升高，這會(huì)增加恢復(fù)時(shí)間和恢復(fù)電流，從而導(dǎo)致顯著的損耗。

　　相比之下，SiC SBD是多數(shù)載流子器件（單極），不使用少數(shù)載流子進(jìn)行導(dǎo)電，因此原則上不會(huì)發(fā)生少數(shù)載流子積累。因此，只有少量電流流過(guò)結(jié)電容放電，實(shí)現(xiàn)的損耗比硅FRD少得多。這種瞬態(tài)電流在很大程度上與溫度和正向電流無(wú)關(guān)，因此幾乎可以在任何環(huán)境下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的高速恢復(fù)。還可以降低由于反向恢復(fù)電流而產(chǎn)生的噪聲。

　　碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特性

　　對(duì)于硅，隨著耐壓的升高，每單位面積的電阻也會(huì)增加（大約是耐壓的2.5次方的平方）。因此，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）主要用于600V以上的電壓。IGBT能夠通過(guò)電導(dǎo)調(diào)制提供比MOSFET更低的導(dǎo)通電阻，其中少數(shù)載流子（空穴）被注入漂移層。

　　然而，這會(huì)導(dǎo)致在關(guān)斷期間產(chǎn)生由少數(shù)載流子積累引起的尾電流，從而導(dǎo)致更大的開(kāi)關(guān)損耗。相比之下，碳化硅具有比硅器件更低的漂移層電阻，無(wú)需電導(dǎo)率調(diào)制，并在MOSFET等高速器件中使用時(shí)實(shí)現(xiàn)高耐壓和低電阻。因此，由于原則上不會(huì)產(chǎn)生尾電流，因此用SiC MOSFET代替IGBT可以顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，從而可以減小冷卻對(duì)策的尺寸。

　　碳化硅還有助于通過(guò)傳統(tǒng)IGBT解決方案無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高頻操作實(shí)現(xiàn)更小的無(wú)源元件。600V-900V碳化硅MOSFET具有許多額外的優(yōu)勢(shì)，包括更小的芯片面積（可實(shí)現(xiàn)更小的封裝）和顯著降低的恢復(fù)損耗。因此，應(yīng)用已擴(kuò)展到工業(yè)設(shè)備的電源和高效功率調(diào)節(jié)器的逆變器/轉(zhuǎn)換器。

　　SiC的介電擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的10倍，因此可以通過(guò)更低的電阻率和更薄的漂移層實(shí)現(xiàn)更高的擊穿電壓。這樣可以在相同的耐壓下降低歸一化導(dǎo)通電阻（每單位面積的導(dǎo)通電阻）。

　　例如，在900V和相同的ON電阻芯片尺寸下，與硅MOSFET相比可以減少35倍，與SJ MOSFET相比可以減少10倍。除了在緊湊的外形中提供低導(dǎo)通電阻外，還可以降低柵極電荷Qg和電容。

　　通常，SJ MOSFET的耐壓僅高達(dá)900V。但是使用SiC允許超過(guò)1700V的電壓和低導(dǎo)通電阻。事實(shí)上，SiC使開(kāi)發(fā)兼具低導(dǎo)通電阻、高耐壓和高速開(kāi)關(guān)的器件成為可能，無(wú)需使用IGBT等雙極器件（IGBT具有低導(dǎo)通電阻，但開(kāi)關(guān)速度較慢）。

　　碳化硅MOSFET不像IGBT那樣具有上升電壓，因此在整個(gè)電流范圍內(nèi)具有低導(dǎo)通損耗。此外，Si MOSFET在室溫下的導(dǎo)通電阻在150C時(shí)增加了100%。但是，對(duì)于SiC MOSFET，增長(zhǎng)率相對(duì)較低，從而簡(jiǎn)化了熱設(shè)計(jì)，同時(shí)即使在高溫下也能確保低導(dǎo)通電阻。

　　驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電壓和導(dǎo)通電阻

　　盡管SiC MOSFET的漂移電阻低于Si MOSFET，但在當(dāng)前技術(shù)水平下，MOS溝道部分的遷移率較低，導(dǎo)致MOS溝道電阻較高。這使得在較高的柵極電壓下獲得較低的導(dǎo)通電阻成為可能（Vgs=20V+時(shí)逐漸飽和）。

　　然而，在用于標(biāo)準(zhǔn)IGBT和硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓（Vgs=10-15V）下，無(wú)法證明固有的導(dǎo)通電阻性能。因此，為了獲得足夠的導(dǎo)通電阻，建議使用Vgs=18V附近的驅(qū)動(dòng)電壓。