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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>氮化鎵在電力電子領(lǐng)域的意義

氮化鎵在電力電子領(lǐng)域的意義

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2022-10-04 22:09:30

IGBT模塊中氮化鋁陶瓷基板的應(yīng)用如何?

器件,俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”,作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。IGBT模塊因其優(yōu)異的電氣性能,已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用于現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,氮化
2017-09-12 16:21:52

氮化(GaN)功率集成電路集成和應(yīng)用

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氮化: 歷史與未來(lái)

的是用于藍(lán)光播放器的光盤(pán)激光頭)。 光子學(xué)之外,雖然氮化晶體管1993年就發(fā)布了相關(guān)技術(shù),但直到2004年左右,第一個(gè)氮化電子遷移率晶體管(HEMT)才開(kāi)始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54

氮化GaN 來(lái)到我們身邊竟如此的快

被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化GaN。早期的氮化材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái),以下是采用了氮化的快
2020-03-18 22:34:23

氮化GaN技術(shù)促進(jìn)電源管理的發(fā)展

的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19

氮化GaN技術(shù)助力電源管理革新

能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25

氮化GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案

在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化(GaN)來(lái)提供方案。
2020-10-28 06:01:23

氮化一瓦已經(jīng)不足一元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化價(jià)格戰(zhàn)伊始。

度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16

氮化充電器

是什么氮化(GaN)是氮和化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26

氮化功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率?

氮化為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化的典型開(kāi)關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化電源 IC
2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的優(yōu)勢(shì)

更小:GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。 更快:氮化電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41

氮化發(fā)展評(píng)估

% 的峰值效率,以及 19dB 的增益。無(wú)線基站市場(chǎng),該性能使得氮化可以撼動(dòng)LDMOS基站功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的主導(dǎo)地位,并對(duì)基站性能和運(yùn)營(yíng)成本產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。氮化提供的顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)(包括能源效率
2017-08-15 17:47:34

氮化場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤,不看肯定后悔

本文展示氮化場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46

氮化技術(shù)半導(dǎo)體行業(yè)中處于什么位置?

從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類(lèi)解決方案。
2019-08-01 07:38:40

氮化技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新

德州儀器在線支持社區(qū)氮化解決方案論壇,與同行工程師和TI專(zhuān)家一起尋找解決方案、獲得幫助、分享知識(shí)和解決問(wèn)題。 1-分布式能源系統(tǒng)和輸配電應(yīng)用的電力電子技術(shù),ORNL,2005年 ? 原文鏈接
2019-03-14 06:45:11

氮化激光器的技術(shù)難點(diǎn)和發(fā)展過(guò)程

  激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一,半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì),是應(yīng)用最多的激光器類(lèi)別。氮化激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53

氮化電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通的方法

氮化電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通,這個(gè)系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門(mén)到精通的蛻變。前期回顧(點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58

氮化的卓越表現(xiàn):推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái),橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42

氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?

GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)?氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45

氮化芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎?

氮化 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理分析

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理
2023-06-19 10:05:37

CGH40010F氮化(GaN)高 電子遷移率晶體管

`Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58

CGHV40030氮化電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專(zhuān)為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-25 09:37:45

CGHV40030氮化(GaN)高電子遷移率晶體管

Wolfspeed的CGHV40030是無(wú)與倫比的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專(zhuān)為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00

CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化電子遷移率晶體管CREE

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化
2024-01-19 09:27:13

CGHV96100F2氮化(GaN)高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15

CMPA801B025F氮化(GaN)高電子遷移率 基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化與硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

ETA80G25氮化合封芯片支持90-264V輸入,支持27W功率輸出

深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專(zhuān)業(yè)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰,智融,賽芯微一級(jí)代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業(yè)客戶(hù)聯(lián)系,獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化技術(shù)的普及,使
2021-11-28 11:16:55

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46

IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開(kāi)

功率氮化電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯 整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)電子
2018-02-12 15:11:38

MACOM:GaN無(wú)線基站中的應(yīng)用

用于無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革,特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的主導(dǎo)地位正在被氮化(GaN)撼動(dòng),這將對(duì)無(wú)線
2017-08-30 10:51:37

MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢(shì)

`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富,該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管,后來(lái)從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件(例如砷化GaAs)。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化(GaN)

是硅基氮化技術(shù)。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)演示2017年的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)上,MACOM上海無(wú)線產(chǎn)品中心設(shè)計(jì)經(jīng)理劉鑫表示,硅襯底有一些優(yōu)勢(shì),材料便宜,散熱系數(shù)好。且MACOM高性能射頻領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔離探頭實(shí)測(cè)案例——氮化GaN半橋上管測(cè)試

場(chǎng)景1▲圖3:測(cè)試場(chǎng)景2測(cè)試結(jié)果1.Vgs控制電壓5.1V左右,信號(hào)光滑無(wú)任何畸變;2.上管關(guān)斷瞬間負(fù)沖0.5V左右,氮化器件安全范圍;3.下管關(guān)斷瞬間引起的負(fù)沖在2.2V左右,氮化器件安全
2023-01-12 09:54:23

QPD1004氮化晶體管

產(chǎn)品名稱(chēng):氮化晶體管QPD1004產(chǎn)品特性頻率范圍:30 - 1200 MHz輸出功率(p3db):40 W1 GHz線性增益:20.8分貝典型的1 GHz典型的pae3db:73.2%1
2018-07-30 15:25:55

SGN2729-250H-R氮化晶體管

SGFCF2002S-D氮化晶體管SGNH130M1H氮化晶體管SGNE010MK氮化晶體管SGCA100M1H氮化晶體管SGCA030M1H氮化晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化晶體管

SGFCF2002S-D氮化晶體管SGNH130M1H氮化晶體管SGNE010MK氮化晶體管SGCA100M1H氮化晶體管SGCA030M1H氮化晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16

TGF2977-SM氮化晶體管

設(shè)備、測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號(hào): TGF2977-SM產(chǎn)品名稱(chēng):氮化晶體管TGF2977-SM產(chǎn)品特性頻率范圍:直流- 12 GHz輸出功率(p3db):6 W9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15

aN2 Pro氮化充電器的選購(gòu)過(guò)程和使用

由于換了三星手機(jī),之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化充電器」就是這樣一款能滿(mǎn)足我的充電器,這篇文章就來(lái)說(shuō)下這款充電器的選購(gòu)過(guò)程
2021-09-14 08:28:31

【技術(shù)干貨】氮化IC如何改變電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)

Canaccord Genuity預(yù)計(jì),到2025年,電動(dòng)汽車(chē)解決方案中每臺(tái)汽車(chē)的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化(GaN)電子器件,也涉及到一點(diǎn)碳化硅(SiC),不增加汽車(chē)成本的條件下
2018-07-19 16:30:38

為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

為什么氮化比硅更好?

半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變,初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化,從而提升至10倍的高頻率。 氮化功率芯片前所未有的性能表現(xiàn),將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣。據(jù)報(bào)道,美國(guó)特斯拉公司的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器使用的是碳化硅半導(dǎo)體。另外,很多讀者都已經(jīng)電器市場(chǎng)上看到了使用了氮化半導(dǎo)體的微型 AC轉(zhuǎn)換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導(dǎo)體,其內(nèi)部電路高壓
2023-02-23 15:46:22

什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。很多案例中,氮化功率芯片,能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化技術(shù)

實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì),同時(shí)通過(guò)一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來(lái)節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本,并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化解決方案
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

氮化,由(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

流,但隨著5G的到來(lái),砷化器件將無(wú)法滿(mǎn)足如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化作為一種寬禁帶半導(dǎo)體,可承受更高
2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11

供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268

明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43

光隔離探頭應(yīng)用場(chǎng)景之—— 助力氮化(GaN)原廠FAE解決客戶(hù)問(wèn)題

客戶(hù)希望通過(guò)原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問(wèn)題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問(wèn)題,和芯片沒(méi)有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化
2023-02-01 14:52:03

如何學(xué)習(xí)氮化電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通?

的測(cè)試,讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過(guò)程中的諸多細(xì)節(jié)問(wèn)題,泰克與電源行業(yè)專(zhuān)家攜手推出“氮化電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通“8節(jié)系列直播課,氮化電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到
2020-11-18 06:30:50

如何完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化電源?

如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23

如何實(shí)現(xiàn)氮化的可靠運(yùn)行

我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿(mǎn)意。但通過(guò)共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類(lèi)了,可以外接顯示器,拓展塢之類(lèi)的。要用氮化
2021-09-14 06:06:21

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化性能

壓擺率很高時(shí),特定的封裝類(lèi)型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感,并且優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能簡(jiǎn)介氮化 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)
2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計(jì)GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?

如何設(shè)計(jì)GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55

實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的氮化器件

目前的永磁電機(jī)或稱(chēng)為直流無(wú)刷電機(jī)(BLDC)的應(yīng)用非常廣泛。與其他電機(jī)相比,永磁電機(jī)可提供每立方英寸更高的扭矩和更優(yōu)越的動(dòng)態(tài)性能。到目前為止,硅基功率器件逆變器電子領(lǐng)域中一直占主導(dǎo)地位。可是,它們
2023-06-25 13:58:54

將低壓氮化應(yīng)用在了手機(jī)內(nèi)部電路

已經(jīng)電池上采用多極耳,多條連接線來(lái)降低大電流的發(fā)熱。氮化的低阻抗優(yōu)勢(shì),可以有效的降低快充發(fā)熱。應(yīng)用在手機(jī)電池保護(hù)板上,可以支持更高的快充功率,延長(zhǎng)快充持續(xù)時(shí)間,獲得更好的快充體驗(yàn)。同時(shí)氮化屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級(jí)協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護(hù)航

氮化完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動(dòng)電源超級(jí)快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化

氮化(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場(chǎng)帶來(lái)重大變革。以前分享過(guò)氮化如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過(guò)程,接下來(lái)日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28

想要實(shí)現(xiàn)高效氮化設(shè)計(jì)有哪些步驟?

  第 1 步 – 柵極驅(qū)動(dòng)選擇  驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅(qū)動(dòng)硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異。  驅(qū)動(dòng)氮化E-HEMT不會(huì)消除任何
2023-02-21 16:30:09

拆解報(bào)告:橙果65W 2C1A氮化充電器

前言 橙果電子是一家專(zhuān)業(yè)的電源適配器,快充電源和氮化充電器的制造商,公司具有標(biāo)準(zhǔn)無(wú)塵生產(chǎn)車(chē)間,為客戶(hù)進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化充電器,總輸出功率為65W,單口
2023-06-16 14:05:50

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化技術(shù)介紹

實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì),同時(shí)通過(guò)一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來(lái)節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本,并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化解決方案
2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念

阻礙業(yè)界各種應(yīng)用中采納氮化器件,例如氮化器件不僅使能激光雷達(dá)應(yīng)用,而且硅MOSFET以前占據(jù)主導(dǎo)地位的傳統(tǒng)應(yīng)用中,如數(shù)據(jù)中心和車(chē)載電子,也逐漸轉(zhuǎn)用氮化器件。本文將揭穿關(guān)于氮化技術(shù)的最常見(jiàn)誤解
2023-06-25 14:17:47

求助,請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎?

請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47

硅基氮化大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

日前,廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專(zhuān)場(chǎng)中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55

硅基氮化與LDMOS相比有什么優(yōu)勢(shì)?

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái),橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34

第三代半導(dǎo)體材料氮化/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

領(lǐng)域雖然備受關(guān)注,但是由于技術(shù)水平較高,專(zhuān)利壁壘過(guò)大,因此這個(gè)領(lǐng)域的公司相比較電力電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域并不算很多,但多數(shù)都具有較強(qiáng)的科研實(shí)力和市場(chǎng)運(yùn)作能力。Qorvo、CREE、MACOM 73
2019-04-13 22:28:48

納微集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

納微集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

請(qǐng)問(wèn)氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

請(qǐng)問(wèn)candence Spice能做氮化器件建模嗎?

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02

誰(shuí)發(fā)明了氮化功率芯片?

擁有豐富的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。另外,Dan 也是首屆 ISPSD 電力電子名人堂的入選者。 Marco Giandalia電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,擁有超過(guò) 20 年的高壓集成電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),他定義、建模
2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化器件

的晶體管”。  伊斯曼和米什拉是對(duì)的。氮化的寬帶隙(使束縛電子自由斷裂并有助于傳導(dǎo)的能量)和其他性質(zhì)讓我們能夠利用這種材料承受高電場(chǎng)的能力,制造性能空前的器件。  如今,氮化是固態(tài)射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域
2023-02-27 15:46:36

集成氮化直驅(qū)的高頻準(zhǔn)諧振模式反激控制器

靈活應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開(kāi)關(guān)電源. 特性? 集成氮化直接驅(qū)動(dòng)(6V DRV)? 集成高壓?jiǎn)?dòng)(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46

高壓氮化的未來(lái)分析

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高壓氮化的未來(lái)是怎么樣的

會(huì)產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說(shuō),當(dāng)你筆記本電腦的電源變熱時(shí),其原因在于流經(jīng)電路開(kāi)關(guān)內(nèi)的電子會(huì)產(chǎn)生熱量,并且降低了它的效率。由于氮化是一款更好、效率更高的半導(dǎo)體材料,它的發(fā)熱量更低,所以
2018-08-30 15:05:50

氮化_電力電子世界的未來(lái)

電力電子技術(shù)電力電子電廠
電廠運(yùn)行娃發(fā)布于 2022-10-16 03:42:14

氮化測(cè)試

氮化
jf_00834201發(fā)布于 2023-07-13 22:03:24

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購(gòu)氮化系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

半導(dǎo)體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22

氮化鎵芯片應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

相對(duì)于硅材料,使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件,可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本,允許設(shè)備在更高的溫度、電壓和頻率下工作,使得電子電子器件使用更少的能量
2023-02-05 14:30:082810

氮化鎵材料在電力電子器件中的應(yīng)用

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,而氮化鎵(GaN)材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性,氮化鎵在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用,以及氮化鎵解決方案如何實(shí)現(xiàn)更高的能效。
2023-10-13 16:02:05344

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