奈梅亨，2022年4月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無(wú)引腳DFN封裝，配有側(cè)邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅(jiān)固耐用，節(jié)省
2022-04-27 18:08:53
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Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件
2011-05-13 08:44:56928 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過(guò)36%的空間。
2020-04-23 11:05:58799 、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤DFN3820A封裝。這四款新器件為商業(yè)、工業(yè)和車載應(yīng)用提供節(jié)省空間的高效解決方案，每種產(chǎn)品都有
2023-06-26 15:19:16373 
了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ，該器件采用AOS創(chuàng)新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝。客戶系統(tǒng)研發(fā)人員一直以來(lái)把 AOS 產(chǎn)品作為其方案設(shè)計(jì)的重要組件之一，幫助客戶實(shí)現(xiàn)各種高性能應(yīng)用
2024-01-25 15:18:42617 
，智能穿戴，智能鎖觸摸按鍵等領(lǐng)域。品牌質(zhì)量，價(jià)格實(shí)惠，歡迎來(lái)電垂詢。 產(chǎn)品概述：TTP233D-SB6是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電
2019-05-16 15:57:53
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬
2018-08-28 16:07:42
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬
2018-08-06 18:16:28
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬
2018-07-27 09:58:22
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬
2020-08-26 16:33:25
產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2021-10-26 15:56:58
DFN,QFN代工QQ67217217
2015-07-21 13:41:32
`產(chǎn)品概述：8223LC是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2018-11-07 16:14:17
`SOD882/DFN1006封裝DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封裝封裝超低電容TVS/ESD保護(hù)二極管,應(yīng)用高速數(shù)據(jù)通信保護(hù)DC0521P15V雙向
2020-03-18 10:30:15
產(chǎn)品概述：8323是兩款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2018-08-31 11:18:27
產(chǎn)品概述：8323是兩款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2018-08-31 11:14:25
`產(chǎn)品概述：8223LD是一款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片
2019-05-15 09:01:30
產(chǎn)品概述：8323F是兩款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為
2021-12-13 16:38:14
凌特公司推出業(yè)界第一個(gè)采用纖巧 DFN 封裝的 1.8V 雙路和四路運(yùn)算放大器 LT6001 和 LT6002。這些微功率器件的每個(gè)放大器僅消耗 1.3uA 電流，并具有卓越的性能。在 25oC
2018-11-26 16:18:13
`產(chǎn)品概述：8323是國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2019-07-23 09:11:37
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06:28
誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet是電壓型器件嗎
2019-10-25 15:58:03
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？
2015-10-25 20:56:23
、試驗(yàn)器件IPZ65R019C7 最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET切換時(shí)間，比傳統(tǒng)的TO247封裝短。得益于開關(guān)損耗降低，最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET實(shí)現(xiàn)了更高效率，如圖
2018-10-08 15:19:33
大功率TVS管和小功率TVS管是有應(yīng)用區(qū)別是什么？小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么？
2022-01-14 07:09:46
率。 AP3405提供一系列完善的保護(hù)功能，包括打嗝模式短路保護(hù)、欠壓閉鎖、超溫保護(hù)和過(guò)流保護(hù)，從而保護(hù)終端系統(tǒng)及器件本身。 采用U-DFN2020-8封裝的AP3405以一千個(gè)為出貨批量。
2018-10-09 10:59:43
的基礎(chǔ)。MOSFET設(shè)計(jì)的改進(jìn)可使電路設(shè)計(jì)者充分發(fā)揮改進(jìn)器件的性能，比如開關(guān)性能的提高和其他幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)的改善，可確保轉(zhuǎn)換器能夠更高效地運(yùn)行。某些情況下，還可對(duì)設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行修改。若不采用這些改進(jìn)
2018-12-07 10:21:41
`羅姆低門驅(qū)動(dòng)電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅(qū)動(dòng)類型。 這種廣泛的驅(qū)動(dòng)器類型范圍支持從小信號(hào)到高功率的各種應(yīng)用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小
2021-02-02 09:55:16
sY7304DHC,高效33V，4A，1MHz升壓調(diào)節(jié)器，矽力杰代理供應(yīng)。1. 一般描述特征：sy7304是效率高，電流模式控制升壓穩(wěn)壓器。該器件集成了一個(gè)高Ω RDS（ON）的N溝道MOSFET
2016-05-03 20:36:24
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻。 不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。 SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
，智能穿戴，智能鎖觸摸按鍵等領(lǐng)域。品牌質(zhì)量，價(jià)格實(shí)惠，歡迎來(lái)電垂詢。 產(chǎn)品概述：TTP233D-RB6是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電
2019-07-18 09:06:03
反向保護(hù)連接集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于44米′DS(ON)·Dfn1X1x0.37-4包·低過(guò)充釋放電壓·超溫保護(hù)·過(guò)充電流保護(hù)0.4A兩步過(guò)流檢測(cè)：-過(guò)充電流0.4A-負(fù)載短路·充電器檢測(cè)功能
2021-04-10 17:15:51
`深圳市展嶸電子有限公司朱一鳴 手機(jī)號(hào)碼：***QQ：1275294458XB6091全網(wǎng)超小封裝DFN1X1封裝之一，耳機(jī)二合一保護(hù)IC專用XB6091ISC產(chǎn)品是一個(gè)高鋰的集成解決方案?離子
2019-05-05 19:42:04
MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過(guò)充釋放電壓低·過(guò)熱保護(hù)·過(guò)度充電電流保護(hù)·兩步過(guò)電流檢測(cè):過(guò)量放電電流負(fù)載短路·充電器檢測(cè)功能·0V電池充電功能-內(nèi)部生成延遲時(shí)間·高精度
2018-11-01 19:06:21
長(zhǎng)時(shí)間使用的信息設(shè)備?電池壽命。·電池反向保護(hù)連接·集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過(guò)充釋放電壓低·過(guò)熱保護(hù)·過(guò)度充電電流保護(hù)·兩步過(guò)電流檢測(cè):過(guò)量
2019-08-29 09:13:50
和鋰聚合物電池供電的需要長(zhǎng)時(shí)間電池壽命的信息家電。電池反向保護(hù)無(wú)外載連接·集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于44mΩrds(ON)·DFN1X1x0.37-4封裝·低過(guò)充電釋放
2021-05-12 17:48:35
電路應(yīng)用簡(jiǎn)單、外圍器件少、超小封裝SOT23-6、大電流1A輸出、92%高效轉(zhuǎn)換。
2013-05-24 11:46:27
應(yīng)用。雖然3mm x 3mm功率封裝已經(jīng)使DC-DC電路使用的空間大幅減少，還是有機(jī)會(huì)能夠把所用的空間再減少一點(diǎn)，以及提高功率密度。實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的的辦法之一是用組合了兩個(gè)器件的封裝替代分立的單片MOSFET
2013-12-23 11:55:35
功率MOSFET的高效熱管理
2019-02-03 21:16:30
，大電流，小封裝MOS，實(shí)際電壓可以達(dá)到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。HC510參數(shù)：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管：100V 5A
2020-07-10 11:53:19
SOT23-6封裝(HT8233K)或者DFN-6 2*2(HT8323K)超小封裝 產(chǎn)品應(yīng)用：◆ 智能穿戴◆ TWS藍(lán)牙耳機(jī)◆ 指紋鎖聯(lián)系人：洪武（銷售工程）手機(jī)：***Q Q: 2926372413
2020-07-08 08:54:04
了先進(jìn)的功率管，高精度電壓檢測(cè)和延遲電路。XB6166IS為DFN2x2-6的封裝形式，并且只需要一個(gè)外圍器件，非常適合用于空間有限的電池保護(hù)板應(yīng)用。XB6166IS具有過(guò)充保護(hù)，過(guò)放保護(hù)，過(guò)流保護(hù)
2019-09-05 11:28:39
產(chǎn)品概述：8323是兩款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2018-08-31 11:17:24
◆ DFN-6 2*2封裝單通道觸摸按鍵芯片8323現(xiàn)已經(jīng)批量出貨，大量庫(kù)存，歡迎選購(gòu)！產(chǎn)品概述：8323是兩款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給
2018-09-20 10:17:30
`快速充電過(guò)壓充電保護(hù)器件TVS DFN1610DFN2020P2E封裝DFN1610-2L封裝浪涌保護(hù)器件 DC0371P6 (Marking Code: 73)DC0571P6 (Marking
2019-09-24 09:16:59
SOT23-6封裝(HT8233K)或者DFN-6 2*2(HT8323K)超小封裝 產(chǎn)品應(yīng)用：◆ 智能穿戴◆ TWS藍(lán)牙耳機(jī)◆ 指紋鎖聯(lián)系人：洪武（銷售工程）手機(jī)：***座機(jī)：0755-33653783 （直線）Q Q: 2926372413
2020-07-21 17:25:37
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
產(chǎn)品概述：233DS是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代傳統(tǒng)
2019-05-15 08:47:53
一個(gè)6腳芯片上印有EADURT字樣，芯片很小封裝像SOP6，除去引腳，大小就比0805的電阻大點(diǎn)。不知道是個(gè)什么芯片啊，好像是用在電源部分。
2014-10-14 09:35:15
產(chǎn)品概述：8223LC和8323是兩款款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸
2018-08-29 09:54:21
哪一個(gè)小封裝的單片機(jī)芯片帶ADC,DAC,UART?
2023-06-25 06:19:41
MOSFET，高精度電壓檢測(cè)電路和延遲電路。Xbr6096系列是放在一個(gè)超超。..小的Dfn2X2-6封裝和只有一個(gè)外部組件使其成為理想的解決在有限的空間的電池組。Xbr6096系列具有所有的保護(hù)功能電池
2021-05-12 16:59:37
車載吸塵器MOS DFN3333小封裝 低內(nèi)阻 原廠直銷東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)銷售高品質(zhì)價(jià)格有優(yōu)勢(shì)的低結(jié)電容、低內(nèi)阻MOS管 。HC3039D中壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝
2020-06-08 15:02:21
北京 - 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 2A、36V 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT1912,該器件采用 3mm x 3mm DFN (或
2018-11-26 16:59:46
LTC3216采用小型DFN封裝的低噪聲高效電荷泵，以及4個(gè)0603電容和2個(gè)0402電阻。這款LXCL-PWF1 luxeon閃光燈驅(qū)動(dòng)器非常小巧
2019-03-11 07:26:25
`SOD882/DFN1006封裝DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封裝封裝超低電容TVS/ESD保護(hù)二極管,應(yīng)用高速數(shù)據(jù)通信保護(hù)DL0521P1雙向
2019-11-12 14:11:12
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 編輯
針對(duì)快充應(yīng)用設(shè)計(jì)需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
（1）XM5021功能特點(diǎn)：2.5V-5.5V降到1.V-3.3V，輸出電流0.2A，超低功耗0.29uA；搭配藍(lán)牙主控芯片；小封裝DFN2*2-8（2）ETA3425 功能特點(diǎn)：2.6V-7V降到
2021-09-28 19:08:31
No−Lead package (DFN/QFN). The DFN/QFN platform represents the latestin surface mount packaging technology, it is important that the des
2009-04-27 16:27:32
86
Altera器件高密度BGA封裝設(shè)計(jì):隨著可編程器件(PLD) 密度和I/O 引腳數(shù)量的增加，對(duì)小封裝和各種封裝形式的需求在不斷增長(zhǎng)。球柵陣列(BGA) 封裝在器件內(nèi)部進(jìn)行I/O 互聯(lián)，
提
2009-06-16 22:39:5382 FA-238/238V 超小封裝尺寸的SMD晶振
產(chǎn)品規(guī)格 ‧超小封裝尺寸
2010-01-08 16:41:222135 EPSON-FC-135 超小封裝尺寸的SMD(3.2X1.5 X0.8mm)
產(chǎn)品規(guī)格 ‧超小封裝尺寸的SMD (3.2 × 1，5 × 0.8 mm) ‧標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘頻率32.768KHZ. 產(chǎn)品
2010-01-08 16:42:202828 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電
2010-11-24 09:14:351506 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線
2011-06-01 08:54:01452 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401838 Diodes公司近日推出一系列採(cǎi)用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採(cǎi)用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類
2012-05-04 11:34:53926 日前，集設(shè)計(jì)，開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463 AK4183 小封裝觸摸屏控制器
2012-06-05 15:03:431229 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。
2015-01-28 14:07:571385 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計(jì)小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別
2015-12-16 16:57:431160 的尺寸為5mm x 6mm，占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且，與無(wú)引線DFN封裝的MOSFET相比，在整機(jī)設(shè)備的使用壽命內(nèi)碰到溫度循環(huán)情況時(shí)，PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)能有效提高板級(jí)的可靠性。
2016-07-18 16:19:591555 關(guān)鍵詞：邏輯器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款采用了全球最小封裝形式DFN0808的單門邏輯器件系列74AUP1G及74LVC1G。兩款微型邏輯器件的占位
2018-09-23 12:38:02221 視頻簡(jiǎn)介：目前，市場(chǎng)對(duì)低能耗和節(jié)能型電子產(chǎn)品的需求極大，從而符合及超越政府及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織的節(jié)能要求。功率MOSFET由于開關(guān)損耗低，已經(jīng)成為主要開關(guān)器件的標(biāo)準(zhǔn)選擇。功率MOSFET在高速開關(guān)、高擊穿
2019-03-06 06:05:003591 
的功率MOSFET管腳直接插到根部，高度的限制不能使用TO247的封裝。有些超薄設(shè)計(jì)直接將器件管腳折彎平放，這種設(shè)計(jì)生產(chǎn)工序會(huì)變復(fù)雜。
2020-01-28 15:17:006671 
DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測(cè)電阻器集成在一個(gè) 5mm x 3mm DFN 封裝中，以在緊湊狹小的空間提供 準(zhǔn)確的電流限制和負(fù)載電流監(jiān)視
2021-03-18 21:25:585 采用 3mm x 3mm DFN 封裝的 500mA 低噪聲、高效率雙模式充電泵
2021-03-18 23:01:307 DFN封裝，相對(duì)來(lái)說(shuō)，是一種比較新的表面貼裝封裝工藝。在ESD二極管產(chǎn)品中，DFN封裝很常見(jiàn)，具體封裝有：DFN-2L、DFN-3L、DFN-6L、DFN-8L、DFN-10L、DFN
2021-08-16 17:12:352684 ZLG致遠(yuǎn)電子新推出的電源隔離芯片采用成熟的SiP工藝與DFN封裝，相比傳統(tǒng)SIP封裝體積縮小75%，性能和生產(chǎn)效能也有所提升。本文為大家分享傳統(tǒng)SIP封裝和采用SiP工藝的DFN封裝有何區(qū)別
2021-09-22 15:12:537172 Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求 奈梅亨，2022年7月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用
2022-07-06 16:13:22586 
PRISEMI芯導(dǎo)低電容、小封裝成為ESD保護(hù)器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
2022-07-20 17:12:421052 
雖然尺寸至關(guān)重要，但在許多方面，Nexperia的DFN0603 MOSFET的真正優(yōu)勢(shì)在于其RDSon。提供額定 VGS 為 4.5 V 的選項(xiàng)，典型 RDSon 低至 122 mΩ。在某些
2023-02-03 10:39:55298 
盡管DFN封裝的尺寸非常緊湊，但它具有出色的功耗能力。然而， 使用具有低熱阻和足夠?qū)嵝缘?PCB 是強(qiáng)制性的，以允許適當(dāng)?shù)臋M向散熱.圖2中的紅外圖片顯示了高功率密度，顯示了SOT23
2023-02-08 09:45:381926 
DFN 封裝的熱性能-AN90023_ZH
2023-02-16 21:17:480 DFN 封裝的熱性能-AN90023
2023-02-17 19:10:101 N0606N 數(shù)據(jù)表
2023-03-14 19:34:260 Vishay 推出三款新系列汽車級(jí)表面貼裝標(biāo)準(zhǔn)整流器，皆為業(yè)內(nèi)先進(jìn)的薄型可潤(rùn)濕側(cè)翼 DFN3820A 封裝器件。
2023-04-28 09:09:53390 
隨著新一代5G網(wǎng)絡(luò)、IoT物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和AI人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，小型化已成為筆電服務(wù)器、智能穿戴、智能家居等各種電子產(chǎn)品最重要的發(fā)展趨勢(shì)之一。中微愛(ài)芯可提供采用XSON、QFN、SOT等小封裝的邏輯芯片，可最大程度地減少外部元器件尺寸，節(jié)省PCB的寶貴空間。
2023-05-31 09:34:23642 
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們~DFN0603封裝簡(jiǎn)稱0201封裝，貼片時(shí)容易料袋粘料，雷卯教您如何解決有客戶反應(yīng)在使用防靜電元器件ESD，超小封裝0201(DFN0603)時(shí)，料帶有沾料的現(xiàn)象，這一
2022-01-17 10:26:361160 
管理好各個(gè)耗電環(huán)節(jié)。矽力杰新一代DC/DC降壓芯片SY80004，適用于小型移動(dòng)互聯(lián)產(chǎn)品，在DFN1.5x1.5mm的超小封裝下為設(shè)備提供4A輸出電流，靜態(tài)電流僅為
2022-05-21 09:29:44859 
N0606N 數(shù)據(jù)表
2023-07-05 20:00:180 RQK0606KGDQA 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 19:05:590 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無(wú)引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081 1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
帶有快速體二極管的MOSFET器件通過(guò)LLC拓?fù)浜虵REDFET來(lái)提高效率
2023-12-08 17:35:56359 
DFN封裝是一種先進(jìn)的電子元件封裝工藝，與SMD封裝相比，DFN封裝提供了更高的靈活性和穩(wěn)定性。
2024-01-28 17:24:551396 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用DFN封裝的 TPS63802 2A、高效率、低IQ降壓/升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 10:11:320
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