65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
,以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此,氮化鎵是我們?cè)陔娨暋⑹謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面,氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)(最明顯
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數(shù)十億次的查詢,便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
和功率密度,這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此,開始了氮化鎵晶體管(GaN)的概念。 HD-GIT的概述和優(yōu)勢(shì) 松下混合漏極柵極注入晶體管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術(shù)迭代。2018 年,氮化鎵技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室,正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統(tǒng)硅(Si)功率器件充電器一半大小,氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù),當(dāng)時(shí)氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機(jī)平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn),下文簡單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
轉(zhuǎn)換器,將性能與兩種可比場景進(jìn)行了比較:第一種是所有三種晶體管類型都在500KHz諧振頻率下工作,第二種是500KHz基于GaN的LLC與基于100KHz硅的LLC。主要晶體管是氮化鎵、硅或碳化硅。初級(jí)
2023-02-27 09:37:29
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì),如主動(dòng)有源鉗位反激式(ACF)、圖騰柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。隨著硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變,初級(jí) FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢(shì),針對(duì) 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運(yùn)行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
波段,隨著襯底、外延、芯片和封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步,藍(lán)光激光器的性能在不斷提升。 圖3、(a)氮化鎵/藍(lán)寶石模板和(b)GaN自支撐襯底的位錯(cuò)缺陷對(duì)比(圖中暗斑為位錯(cuò)缺陷) 在襯底方面,早期的氮化鎵
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通,這個(gè)系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)?氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已開始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問,它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管,但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處?
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
鎵晶體管CHKA012a99F氮化鎵晶體管CHK015AaQIA氮化鎵晶體管CHK8101a99F氮化鎵晶體管CHK9013-99F氮化鎵晶體管CHK8013-99F氮化鎵晶體管CHK9014-99F
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰,智融,賽芯微一級(jí)代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系,獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及,使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
,省去了射頻能源設(shè)計(jì)階段的推測工作,從而有助于縮短上市時(shí)間。與基于LDMOS的同價(jià)位晶體管相比,射頻能量工具包隨附的MACOM硅基氮化鎵功率晶體管的功率效率最多高出10% - 這是連續(xù)波射頻能量
2017-08-03 10:11:14
`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富,該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管,后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件(例如砷化鎵GaAs)。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
(GaN)那么,問題來了,怎么解決高昂的價(jià)格?首先,先了解下什么是硅基氮化鎵,與硅器件相比,由于氮化鎵的晶體具備更強(qiáng)的化學(xué)鍵,因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場而不會(huì)崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點(diǎn):國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測試對(duì)象:氮化鎵半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管,需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護(hù)級(jí)別。產(chǎn)品型號(hào):TGF2040產(chǎn)品名稱:砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報(bào)價(jià)TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
碳化硅(SiC)和硅上氮化鎵(GaN-on-Si)。這兩種突破性技術(shù)都在電動(dòng)汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比,SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度(SiC-on-SiC)和更高的開關(guān)
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV,而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強(qiáng)度,耗盡區(qū)窄短,從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如,一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管,可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
鎵晶圓的制作成為可能。Na Flux (Na Flux)工藝是將 Na/GaN溶液置于壓力30-40的氮?dú)庵校谠撊芤褐腥芙獾⑹蛊滹柡停纱藢?dǎo)致氮化鎵晶體沉淀。此項(xiàng)技術(shù)由山根久典教授于日本東北大學(xué)
2023-02-23 15:46:22
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì),氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅,可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場,同時(shí)提供更快的開關(guān)速度。此外,氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
)。因此,硅注入毫無疑問對(duì)ITO和GaN材料之間形成歐姆接觸非常有利。 工作晶體管 為了測試這種方法,我們將透明的源極和漏極歐姆接觸技術(shù)應(yīng)用到了真正的氮化鎵晶體管上,其設(shè)計(jì)如圖1所示。在這些器件中
2020-11-27 16:30:52
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題,和芯片沒有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
和分析,詳細(xì)列舉氮化鎵與傳統(tǒng)的MOSFET設(shè)計(jì)上的區(qū)別,PCB LAYOUT相關(guān)注意事項(xiàng)等。第三步:電路測試和優(yōu)化技巧通過從低壓到高壓、從低頻到高頻、從控制信號(hào)到主電路工作、從開環(huán)到閉環(huán)等多方面的調(diào)試
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能,有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
OPPO公司分享了這一應(yīng)用的優(yōu)勢(shì),一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS,體積更小、更節(jié)省空間,且阻抗比單顆硅MOS更低,可降低在此路徑上的熱量消耗,降低充電溫升,提升充電的恒流持續(xù)時(shí)間。不僅如此,氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過程相結(jié)合,以更低的成本進(jìn)行廣泛使用,從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比,射頻能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
第 1 步 – 柵極驅(qū)動(dòng)選擇 驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅(qū)動(dòng)硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異。 驅(qū)動(dòng)氮化鎵E-HEMT不會(huì)消除任何
2023-02-21 16:30:09
。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。通過導(dǎo)通電阻選擇器件內(nèi)部
氮化鎵場效應(yīng)
晶體管(FET)的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?/div>
2022-11-10 06:36:09
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年,第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
請(qǐng)問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
,是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中,長期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位,并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
,因此我們能夠借用各種各樣的既有商業(yè)光刻和加工技術(shù)。借助這些方法,精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產(chǎn)生各種各樣的器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得相對(duì)簡單。其他寬帶隙的半導(dǎo)體材料不具備這種難以置信的有用特性,甚至氮化鎵也不
2023-02-27 15:46:36
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
電力晶體管工作原理和結(jié)構(gòu)
電力晶體管的結(jié)構(gòu)
電力晶體管(Giant Transistor)簡稱GTR,結(jié)構(gòu)和工作原理都和小功率晶體管非常
2009-11-05 12:02:42
1960
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評(píng)論