晶體管開關電路在現在電路設計中十分常見。 經典的74LS、74ALS等集成電路內部采用晶體管開關電路,但只有普通的驅動能力。 三極管開關電路分為兩大類,一類是經典的TTL三極管開關電路,一類是MOS管開關電路。
這里會介紹有關開關電路的知識,包括 TTL晶體管開關電路,蜂鳴器控制電路——無源蜂鳴器等等。
一、晶體管開關電路
TTL 晶體管開關電路按驅動能力分為小信號開關電路和功率開關電路。 按三極管連接方式分為發射極地(PNP三極管發射極接電源)和射跟隨開關電路。
1 、發射極接地開關電路
發射極接地開關電路
上面的基本電路離實際設計電路有點遠:由于三極管基極電荷的積累,存在從開到關的過渡(三極管關斷時,由于存在基極電荷釋放速度變慢) R1,因此 Ic 不會立即變為零)。 也就是說發射極接地開關電路是有關斷時間的,它不能直接應用于高頻開關。
發射極接地開關電路
工作原理:當三極管突然導通(IN信號突然跳變)時,C1瞬間出現短路,迅速為三極管提供基極電流,從而加速三極管導通。 當晶體管突然關閉時(IN 信號突然跳閘),C1 瞬間導通,為釋放基極電荷提供低阻抗路徑,從而加速晶體管關閉。
C值通常是幾十到幾百皮法,電路中的R2是保證三極管在沒有IN高電平輸入時保持關斷狀態。 R4是保證三極管在沒有IN低電平輸入時保持關斷狀態。 R1和R3用于基極限流。
發射極接地開關電路
工作原理:由于TVS二極管的Vf比Vbe小0.2~0.4V,所以基極電流大部分從二極管流過,然后流向三極管,最后在三極管導通時流向地,所以流向基極的電流晶體管小,積累的電荷少。 當三極管關斷時(IN信號突然跳變),放電的電荷變少,關斷動作自然變快。
發射極接地開關電路
在實際電路設計中,需要考慮三極管Vceo、Vcbo滿足壓強,三極管滿足集電極功耗。 使用負載電流和hfe(取晶體管hfe的最小值來計算)來計算基極電阻(基極電流留0.5到1倍的余量)。 注意特殊二極管的反向耐壓。
2、射極跟隨器開關電路
射極跟隨器又稱射極跟隨器,是典型的負反饋放大器。 從晶體管的連接方式來看,它實際上是一個普通的集電極放大器。 信號從基極輸入,從發射極輸出。 接在三極管發射極上的電阻Re在電路中起著重要的作用。 它就像一面鏡子,反映輸出和輸入的以下特征。
輸入電壓usr=ube+usc。 通常Usc>Ube,忽略Ube,則usr≈usc。 顯然,這意味著發射極限跟隨器的電壓放大倍數約等于1,即輸入電壓幅值約等于輸出電壓幅值。 當Usr增加時,ib和ie都增加,發射極電壓ue(usc)也增加。 相反,當 Usr 減小時,Usc 也減小。 這表明輸出電壓與輸入電壓同相,正是因為不僅輸出電壓等于輸入電壓,而且同相。 輸出電壓緊隨輸入電壓而變化。 我們稱這種具有以下特點的電路為“輻射極限跟隨器”。
射極跟隨器可以用很小的輸入電流得到很大的輸出電流(即=(1+β)ib)。 因此,它具有電流放大和功率放大的作用。 需要區分的是,普通的多級共發射極放大電路不放大電流,放大電壓,與發射相反。
二、蜂鳴器控制電路——無源蜂鳴器
當 BUZZ 為高電壓時,三極管T1(N型三極管)導通,蜂鳴器發聲。 R5的作用是用于限流。
蜂鳴器控制電路
三、 IO 控制電源開關打開-使用三極管和MOS管
MOS:FET MOSFET管的一種,可制成增強型或耗盡型、P溝道或N溝道共型。 但實際應用只有增強型N溝道MOS管和增強型P溝道MOS管,即NMOS和PMOS。
對于這兩種增強型MOS管,常用的是NMOS,特點是導通電阻低。 通常應用于開關電源和電機驅動。
導通條件:當 Vgs 大于某個值時,NMOS 導通。 當 Vgs 小于某個值時,PMOS 導通。
開關損耗:不管是NMOS還是PMOS,導通后都有導通電阻,造成不可避免的損耗。 而現在的MOS管導通電阻一般都是幾十毫歐。
MOS管AO3401:P溝道增強型場效應管
MOS管AO3401
導通條件:一般不超過-12V即可為AO3401。 以下是不同壓降下的阻抗:
mos管不同壓降下的阻抗
下面是工程應用中的開關控制電路。
1、 通過 IO管腳控制電源--兩只3401 MOS管
下面是兩只3401 MOS管,沒有加開關控制。 剛上電后,VDD 等于輸入電壓。 此時,你可以通過兩種方式供電。 如果J5沒有輸入電壓,由VBUS供電,通過F1輸出5V電壓。 下面的電路可以用一個開關代替R10,Q201一直導通,內部二極管壓降0.5V左右。
注意:兩個三極管的方向不同,Q200左邊是S,右邊是D。 Q201左邊是D,右邊是S。
當J5有電壓時,Q200導通,Q201也滿足導通條件,電壓為0.1V。
IO 控制電源開關打開
注意:VBUS 右側斷開。
電壓參考
2、穩壓管和MOS管穩壓電路
工作原理:VCC可以來自左側VDD5V_Control,也可以來自PC PS2口供電的Vpc_IN。 VCC采用電壓高的。
穩壓管和MOS管穩壓電路
原電路:
穩壓管和MOS管穩壓電路
左側Vpc_IN由PS2供電,右側由VCC供電。 PS2通電時,左邊是5V,右邊是4.5V左右,可以滿足機器的電壓要求,當PS2口關閉時,機器可以正常工作。
為了減小PS2的壓降,可以決定采用如下電路:
穩壓管和MOS管穩壓電路
當PS2口上電時,三管Q412導通,Q411導通,VCC接近Vpc_IN。 此時機器采用PS2口電壓(5V左右)。 當 PS2 未連接時,電流無法從機器流向 PS2 端口。
使用以上參數測試記錄:
1最后兩行顯示:MOS二極管內部二極管壓降約為0.6V,齊納漏電流可使晶體管導通。 PN結在0.6V左右即可導通。
結論:輸入電壓在3.3V,三極管導通,說明R436阻值太大,需要減小。 齊納漏電流隨著輸入電壓的增加而增加,但當兩端電壓達到3.9V時,電流應超過1mA。
為了保證輸入電壓在5V左右能穩定下來,必須加大電流,減小電阻,當輸入電壓低于4.7V時,必須關斷三極管。
參數記錄表格
最后兩行顯示:滿足PS2輸入電壓在[4.6-5V]達到穩壓的效果。 再將大鍵盤與機器相連,當機器斷電時,鍵盤可以正常工作。 電動工具工作時也能正常工作。
檢測到的問題:質量測試表明終端不能關機。 發現終端斷電后,Vpc_In處仍有電壓。 VCC (4.84V) 通過 Q411,在 Vpc_In 產生 4.8V 的電壓。 而D405的壓降為0.3V左右。 當Vpc_IN突然斷電時,電源VCC在斷電的瞬間,三極管導通,所有的VCC都會灌入端子,三極管一直導通。
PS2供電電壓的范圍不容易確定。 即當端電壓較大時,電路為正向導通。 同時,Vpc_IN電壓必須小于一定值,以防止晶體管Q412導通。
例如:IRF530特點:一般VGS取12-15V,正負20V間浮動。
穩壓管和MOS管穩壓電路
但上面是錯誤的,因為Vgs 太小。
對于單片機PWM驅動高壓MOS(飽和導通狀態下VGS接近10V),需要考慮以下問題:
電平轉換:高電平單片機輸出不超過5V,一般12-15V,所以驅動電路必須具備電平轉換能力。
相位轉換:上面說的MOS是作為逆變器,所以根據負載的相位和單片機輸出進行相位轉換。 如要求MOS輸出MOS導通,則要求驅動電路同相。
開關頻率:不同的驅動電路有不同的頻率響應,對于高達1.5M的開關頻率,用簡單的三極管簡單的自騎電路很難滿足要求,基本需要選擇專用的驅動IC。 還有,一般的光耦是不能工作在開關態以上幾十K的頻率的,如果要隔離,6N137好一些,有專門帶光隔離和驅動光耦的,1.5M還是達不到。
驅動電流:MOS雖然靜態時不消耗驅動功率,但輸入是容性的。 為了盡快導通開關,降低開關損耗,需要以最快的速度給Cgs充電,所以驅動電路有一個很重要的參數Peak drive current,如200MA,600MA,1A, 2A、4A、6A。
驅動電路的工作電壓:一般最大VGS不能超過20V,所以驅動電路的工作電壓也不要超過18V,上面的電路需要加15V的電壓,當然可以從 40V 降壓。
DV/DT問題:電磁干擾會增加,因為MOS在高DV/DT下容易損壞。 為了解決這些問題,有時需要增加驅動電路輸出的上升/下降時間。 一種簡單的方法是在驅動器輸出和 G 極之間添加一個小電阻。
四、信號電平轉換
1、改進電路的基本晶體管開關
有時,我們設置的低電平可能無法使晶體管關斷,尤其是當輸入電平接近 0.6 V 時。 為了克服這個臨界條件,必須采取糾正措施以確保晶體管必須關閉。 下圖給出了針對這兩種情況設計的改進電路。
保證三極管開關動作,正確的二次修改電路
上圖左邊的電路:在基極和發射極之間串聯了一個二極管,使使基極電流導通的輸入電壓值升高 0.6 V,這樣即使 Vin 的值接近由于信號源故障值0.6V,晶體管不會導通,因此開關仍可處于關斷狀態。
上圖右邊的電路:包含一個次級釋抑電阻 R2,該電阻設計有適當的 R1、R2 和 Vin 值,以確保開關在臨界輸入電壓下關斷。 如上圖所示,R1和R2在基極發射結未導通(IB0)之前構成串聯分壓電路,因此R1必須通過一個固定(隨Vin變化)的電壓。 并且基極電壓必須低于Vin值。 即使 Vin 接近閾值(Vin = 0.6 伏),基極電壓仍會被連接到負電源的輔助關斷電阻拉低至 0.6 伏以下。 由于 R1、R2 和 VBB 值的精心設計,只要 Vin 處于高范圍內,基極仍將有足夠的電壓開啟晶體管,而不受輔助關斷電阻的影響。
2、加速電容
1)在加速電容上并聯了一個RB電阻
在需要快速開關動作的應用中,必須提高三極管開關的開關速度。 下圖是一種常見的方法,這種方法只是在加速電容上并聯了一個RB電阻,所以當Vin從零電壓上升并開始向基極送電流時,電容不能瞬時充電,所以同樣短路 但是,此時有瞬時大電流從電容流向基極,從而加快了開關管的導通。 后來一直到充電完成,電容就跟開路一樣,不影響三極管的正常工作。
帶加速電容的電路
一旦輸入電壓從高電平下降到零電壓電平,電容在極短的時間內將基極發射結變為反向偏壓,由于電容左端的作用,導致三極管開關迅速關斷充電到正電壓,所以在輸入電壓下降的瞬間,電容兩端的電壓不會瞬間改變,會保持在一個固定值,所以輸入電壓立即下降使基極電壓下降,使基極發射結變為反向偏壓,迅速關斷三極管。 正確選擇加速電容可將三極管開關的開關時間縮短到幾個微秒以下,而大多數加速電容都在數百個PF的順序上。
2)與小信號放大電路很接近,只是少了一個輸出耦合電容。
有時三極管開關的負載不是直接加在集電極和電源之間,而是下圖所示的接法。 這種接法與小信號放大電路很接近,只是少了一個輸出耦合電容。 這種連接與正常連接正好相反。 當晶體管關閉時,負載被啟用。 當晶體管導通時,負載被切斷。 這兩種電路的形式很常見,我們必須要有明確的解析能力。
將負載連接到晶體管電路的改進電路
晶體管開關最常見的應用之一是驅動指示燈,它可以指示電路特定點的工作狀況,電機的控制器是否通電,或者某個限位開關是否通過或數字電路是否通電。 處于高狀態。
3)使用晶體管開關的數字觸發器的輸出狀態
下圖顯示了使用晶體管開關的數字觸發器的輸出狀態。 如果觸發器輸出為高電平(一般為5伏),晶體管開關導通,留下指示燈,所以操作者只要看一下燈,就可以知道觸發器當前的工作情況,而不需要用儀表檢測。
使用晶體管開關的數字觸發器
有時信號源(如觸發器)輸出電流容量太小,不足以驅動晶體管開關,此時為避免信號源過載而誤動作,必須采用下圖所示的改進電路,當輸出為高電平時,先驅動發射極用三極管Q1做電流放大,然后Q2導通驅動燈,因為發射極與輸入級的輸入阻抗相當高,所以觸發器應提供少量的輸入電流,即可得到滿意的工作。
使用晶體管開關的數字觸發器改進后的電路
分析:如果FREOF高5V,輸出FREOUT應該是1.3K Hz左右的方波,
波形如下:C39左邊和C41右邊是1.3K左右的方波,一高一低。
關于 RC 充放電實驗:
下圖中,當輸入 1Hz 方波信號時,波形 C3 左邊的截取如下。 充滿電大約需要 4ms。 理論計算:充放電同理。 首先計算充放電常數 TC=RC,單位為歐姆和 F。
下面的電路 TC=1K*1uf=1ms 3TC 通常可以達到 0.95E,而 4.75V,所以 3ms 可以達到4.75V,與波形一致。
RC 充放電實驗
下圖是一個簡單的控制電路:當KSEL為高電平時,KCLK1和KCLK0通過,KDAT1和KDAT0通過。
簡單的控制電路
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