絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:42
9922 
時(shí)間為皮秒級(jí)的，圖7是它的工作特性曲線。TVS管按導(dǎo)電方向分有單向和雙向兩種，在由IGBT器件組成的逆變電路中，因?yàn)槭侵绷髂妇€，所以一般選單向TVS管。圖6IGBT有源鉗位圖7TVS管工作特性曲線選擇
2018-12-06 10:06:18
。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的選擇 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇
2012-07-25 09:49:08
本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 編輯
GBT 工作原理及應(yīng)用絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護(hù)引言絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管
2021-03-17 11:59:25
降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常 工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。 理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到
2011-08-17 09:26:02
這里以單個(gè)IGBT管為例（內(nèi)含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關(guān)閉狀態(tài)下，避免
2012-04-18 16:15:53
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開(kāi)關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
大家好，我是新手，想做一個(gè)PWM卸荷裝置，請(qǐng)問(wèn)一下，這個(gè)IGBT管怎么接線？謝謝
2012-12-17 13:48:41
實(shí)用，但精度不高。這是因?yàn)槊總€(gè)二極管的通態(tài)壓降為固定值，使得驅(qū)動(dòng)模塊與IGBT集電極c之間的電壓不能連續(xù)可調(diào)。在實(shí)際工作中，改進(jìn)方法有兩種： ?。?）改變二極管的型號(hào)與個(gè)數(shù)相結(jié)合。例如，IGBT的通態(tài)
2011-08-17 09:46:21
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見(jiàn)有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 12:00:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見(jiàn)有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 10:12:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 10:01:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
請(qǐng)哪位高手指點(diǎn)一下，如何測(cè)量IGBT單管的好壞，謝謝
2012-07-25 21:49:17
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡(jiǎn)述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同樣電流容量?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說(shuō)，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒(méi)有問(wèn)題，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動(dòng)器的選擇3、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
而言，其工作頻率在 20KHz 以下，工作電壓在 72V 以下，故 IGBT 和 Mosfet 都可以選擇，所以也是探討比較多的應(yīng)用。**特性對(duì)比： **Mosfet 和 IGBT 在結(jié)構(gòu)上的主要差異
2022-09-16 10:21:27
?！ ∧敲磮?chǎng)效應(yīng)管IRF250能否替換型號(hào)為H20R1203的IGBT呢？ ?。?）從耐壓上來(lái)看，IGBT-H20R1203的最高工作電壓為1200V，而場(chǎng)效應(yīng)管IRF250只有200V，再根據(jù)70%的降
2021-03-15 15:33:54
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來(lái)的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與GTR（大功率達(dá)林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng)，因此具有
2018-10-17 10:05:39
MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET 與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)。 IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)資料 ：集成電路查詢(xún)網(wǎng)datasheet5
2012-07-11 17:07:52
和電容量，以此來(lái)減小關(guān)斷過(guò)電壓；在集電極和發(fā)射極之間，放置續(xù)流二極管，并接RC電路和RCD電路等；在柵極，根據(jù)電路容量合理選擇串接阻抗，并接穩(wěn)壓二極管防止柵極過(guò)電壓。引起IGBT失效的原因1、過(guò)熱
2020-09-29 17:08:58
等級(jí)，從而提升變流器的功率等級(jí)?？紤]到前者功率密度相對(duì)較低，從性?xún)r(jià)比出發(fā)，IGBT并聯(lián)技術(shù)是最好的選擇。1IGBT并聯(lián)運(yùn)行分析1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)
2015-03-11 13:18:21
像IGBT或MOS管，他的CE有的會(huì)加續(xù)流二極管，這時(shí)在CE端加RCD緩沖電路還有作用嗎！！
2019-04-23 04:30:30
的承受力；最適合的開(kāi)關(guān)頻率；安全工作區(qū)（SOA)限制；最高運(yùn)行限制；封裝尺寸；1、IGBT耐壓的選擇 因?yàn)榇蠖鄶?shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過(guò)單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以，通常IGBT模塊的工作
2022-05-10 10:06:52
改變二極管的個(gè)數(shù)來(lái)調(diào)整過(guò)流保護(hù)動(dòng)作點(diǎn)的方法，雖然簡(jiǎn)單實(shí)用，但精度不高。這是因?yàn)槊總€(gè)二極管的通態(tài)壓降為固定值，使得驅(qū)動(dòng)模塊與IGBT模塊散熱器集電極c之間的電壓不能連續(xù)可調(diào)。在實(shí)際工作中，改進(jìn)方法有兩種
2012-06-19 11:26:00
能有著重要的影響。 河北工業(yè)大學(xué)省部共建電工裝備可靠性與智能化國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員，針對(duì)現(xiàn)階段仍存在的問(wèn)題，對(duì)于不同功率循環(huán)下的IGBT的熱退化特性進(jìn)行了研究。設(shè)計(jì)了動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn)，對(duì)不同的工作模式下IGBT模塊的退化
2020-12-10 15:06:03
本人在IGBT代理和原廠做了7年，跑了全國(guó)上百家igbt用戶(hù)， 對(duì)IGBT市場(chǎng)比較了解，非常清楚哪家的價(jià)格和貨源情況， 并了解哪些型號(hào)，哪家價(jià)格有優(yōu)勢(shì)，哪家供貨好， 如希望了解IGBT優(yōu)質(zhì)采購(gòu)渠道，請(qǐng)QQ:1874501009
2012-06-30 17:26:05
注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電。IGBT 的工作特性包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩類(lèi)：1 ．靜態(tài)特性:IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安
2018-10-18 10:53:03
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：本文通過(guò)等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
可以將交流電轉(zhuǎn)換為直流電嗎？因此，輸出電壓隨設(shè)定值電壓連續(xù)調(diào)諧。我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">工作中使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）將交流電轉(zhuǎn)換為受控直流電。IGBT是通過(guò)將BJT和MOSFET的最佳品質(zhì)結(jié)合到其中而開(kāi)發(fā)
2023-02-02 17:05:34
和IGBT在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)輪流進(jìn)行導(dǎo)通?！ ?、逆變?nèi)珮蛲負(fù)?b class="flag-6" style="color: red">特性 針對(duì)逆變拓?fù)浞治鍪紫刃枰J(rèn)定以下幾個(gè)特性： 特性一：由于50Hz頻率內(nèi)的正負(fù)周期對(duì)稱(chēng)性，認(rèn)為上下開(kāi)關(guān)管的熱模型一致，電壓和電流導(dǎo)致
2023-02-24 16:47:34
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開(kāi)通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
1 引言 絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET與GTR的復(fù)合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、開(kāi)關(guān)頻率高
2012-07-18 14:54:31
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
及故障狀態(tài)反饋電路，為驅(qū)動(dòng)電路的可靠工作提供了保障。其特性為：兼容CMOS/TYL電平；光隔離，故障狀態(tài)反饋；開(kāi)關(guān)時(shí)間最大500ns；“軟”IGBT關(guān)斷；欠飽和檢測(cè)及欠壓鎖定保護(hù)；過(guò)流保護(hù)功能；寬工作電壓
2012-07-06 16:28:56
`我需要通過(guò)LC電路產(chǎn)生一個(gè)1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-10 17:16:20
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是新一代全控型電力電子器件，具有M08場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電壓控制、開(kāi)關(guān)頻率高、驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn)，又具備大功率雙極晶體管的通態(tài)壓降低、耐高反壓及電流額定值的特性。而且，其
2016-06-21 18:25:29
(Isolated Gate Bipolar Transistor簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、通態(tài)
2009-09-04 11:37:02
。 絕緣門(mén)極雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好
2012-09-09 12:22:07
請(qǐng)幫忙看下這個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路是否可行；如果可行，柵極電壓將會(huì)是多少，以及三極管Q1，Q2在IGBT導(dǎo)通時(shí)的工作狀態(tài)
2013-08-18 19:56:22
ASEMI的IGBT管FGL40N120AN適用于什么場(chǎng)合？-Z
2021-05-25 14:02:00
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？下面我們就來(lái)了解一下
2022-04-01 11:10:45
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下
2020-07-19 07:33:42
中，與IGBT組合封裝的是快恢復(fù)管或MOSFET體二極管，當(dāng)對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)二極管有電流經(jīng)過(guò)，因而二極管的恢復(fù)特性決定了Eon損耗。所以，選擇具有快速體二極管恢復(fù)特性的MOSFET十分重要。不幸
2018-08-27 20:50:45
。因此，對(duì)于硬開(kāi)關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來(lái)說(shuō)，IGBT組合封裝二極管的選擇要與其應(yīng)用匹配，具有較低正向傳導(dǎo)損耗的較慢型超快二極管與較慢的低VCE(sat
2021-06-16 09:21:55
開(kāi)關(guān)電路中，如全橋和半橋拓?fù)渲?，與IGBT組合封裝的是快恢復(fù)管或MOSFET體二極管，當(dāng)對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)二極管有電流經(jīng)過(guò)，因而二極管的恢復(fù)特性決定了Eon損耗。所以，選擇具有快速體二極管恢復(fù)特性
2020-06-28 15:16:35
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過(guò)電流適中；晶體管是一個(gè)流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無(wú)用的。IGBT一般使用在大電流的場(chǎng)景。...
2021-10-29 08:28:40
二極管要緩慢。因此，對(duì)于硬開(kāi)關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來(lái)說(shuō)，IGBT組合封裝二極管的選擇要與其應(yīng)用匹配，具有較低正向傳導(dǎo)損耗的較慢型超快二極管與較慢的低
2018-09-28 14:14:34
的功率MOSFET，從而形成垂直的PNP雙極結(jié)型晶體管。該附加的p+區(qū)域產(chǎn)生PNP雙極結(jié)型晶體管與表面n溝道MOSFET的級(jí)聯(lián)連接?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
晶體管組成的復(fù)合晶體管，它的轉(zhuǎn)移特性與MOSFET十分類(lèi)似。為了便于理解，這里我們可通過(guò)分析MOSFET來(lái)理解IGBT的轉(zhuǎn)移特性。圖2.MOSFET截面示意圖當(dāng)MOSFET的柵極-源極電壓VGS=0V
2019-10-17 10:08:57
)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣
2021-05-14 09:24:58
開(kāi)關(guān)管和整流器。雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問(wèn)題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些
2017-04-15 15:48:51
的是，MOSFET的寄生二極管或體二極管的恢復(fù)特性比業(yè)界目前使用的分立二極管要緩慢。因此，對(duì)于硬開(kāi)關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來(lái)說(shuō)，IGBT組合封裝二極管的選擇
2019-03-06 06:30:00
開(kāi)關(guān)，強(qiáng)電功率使用，例如變頻器、逆變器、電力控制系統(tǒng)等，很多場(chǎng)合以IGBT作為逆變器件，工作電流3000kVA以上，頻率達(dá)25kHz以上。如下圖是直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)主電路四、總結(jié)1）三極管是電流控制器件、而
2023-02-13 15:43:28
和8英寸的平面型和溝槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已進(jìn)入量產(chǎn)２?。桑牵拢缘?b class="flag-6" style="color: red">工作原理ＩＧＢＴ的驅(qū)動(dòng)原理與電力ＭＯＳＦＥＴ基本相同，是一種場(chǎng)控器件，其開(kāi)通和關(guān)斷由柵射極電壓u GE
2021-03-22 19:45:34
應(yīng)用的時(shí)候，什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT、什么時(shí)候又選擇MOSFET管呢？乍看這么多問(wèn)題好像很頭痛，其實(shí)很簡(jiǎn)單，我們一步一步來(lái)。1為什么說(shuō)IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？要
2023-02-10 15:33:01
，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長(zhǎng)，死區(qū)時(shí)間也要加長(zhǎng)，從而會(huì)影響開(kāi)關(guān)頻率。選擇MOS管還是IGBT？在電路中，選用MOS管作為功率開(kāi)關(guān)管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到
2021-03-02 13:47:10
`什么是IGBT?什么是IGBT模塊？什么是IGBT模塊散熱器？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
大功率的變頻器會(huì)對(duì)igbt的管壓降進(jìn)行保護(hù)，這是對(duì)變頻器控制igbt完全導(dǎo)通的一種控制，但是在運(yùn)行現(xiàn)場(chǎng)頻繁報(bào)這個(gè)故障，請(qǐng)問(wèn)有哪些原因造成的？該如何解決？
2024-01-25 14:45:14
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢(shì)的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)異特性的Hybrid MOS GN
2018-11-28 14:25:36
IGBT-1200A型Vce-Ic特性曲線測(cè)試儀電腦操作界面圖儀器規(guī)格改變，恕不通知！五：操作步驟第一步：關(guān)閉電源，將IGBT管接入； 第二步：連上電源線、RS232連接線； 第三步：打開(kāi)上位機(jī)操作界面，選擇測(cè)試電流
2015-03-11 13:51:32
大量回收富士IGBT模塊 收購(gòu)富士IGBT模塊 全國(guó)各地區(qū)高價(jià)回收IGBT模塊、英飛凌、西門(mén)康、富士、三菱-天津高價(jià)收購(gòu)IGBT模塊系列,BGA,內(nèi)存,單片機(jī),繼電器,二三極管,電容,電感,保險(xiǎn)絲
2021-11-01 18:13:51
［1］中有詳細(xì)描述。質(zhì)子輻照的劑量各不相同，使得可以獲得具有各種靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性組合的芯片。氫原子的路徑長(zhǎng)度保持不變。實(shí)驗(yàn)性IGBT設(shè)計(jì)用于在混合（Si / SiC）模塊中與SiC肖特基二極管一起工作
2023-02-22 16:53:33
IGBT的工作原理IGBT極性判斷IGBT好壞的判斷
2021-03-04 07:18:28
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
特性好、熱穩(wěn)定性好、功率增益大及噪聲小等優(yōu)點(diǎn)與雙極型大功率三極管的大電流、低導(dǎo)通電阻特性集于一體，是性能較高的高速、高壓半導(dǎo)體功率器件。IGBT識(shí)別常見(jiàn)的IGBT的名稱(chēng)、功能、特性、電路符號(hào)、實(shí)物
2023-02-03 17:01:43
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清
2019-05-02 22:43:32
壓降為固定值，使得驅(qū)動(dòng)模塊與IGBT集 電極c之間的電壓不能連續(xù)可調(diào)。在實(shí)際工作中，改進(jìn)方法有兩種：（1）改變二極管的型號(hào)與個(gè)數(shù)相結(jié)合。例如，IGBT的通態(tài)飽和壓降為2.65V，驅(qū)動(dòng)模塊過(guò)流保護(hù)臨界
2011-10-28 15:21:54
的應(yīng)力更大,故 IGBT 的可靠性直接關(guān)系到電源的可靠性。因而,在選擇 IGBT 時(shí)除了要作降額考慮外,對(duì) IGBT 的保護(hù)設(shè)計(jì)也是電源設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)考慮的一個(gè)環(huán)節(jié)。1 IGBT 的工作原理IGBT
2021-03-19 15:22:33
模塊回收電源模塊回收斯達(dá)IGBT回收STARPOWER電源模塊回收功率二極管模塊快恢復(fù)二極管模塊 整流二極管回收晶閘管模塊回收電焊機(jī)配件 高頻加熱感應(yīng)電磁加熱IGBT 電焊機(jī)氬弧焊機(jī)等離子切割機(jī)專(zhuān)用IGBT模塊各種逆變焊機(jī)氣保焊機(jī)氬弧焊機(jī) 、電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2022-01-04 20:52:15
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
`模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開(kāi)關(guān)管的尖峰 辦法`
2016-01-21 21:19:49
模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開(kāi)關(guān)管的尖峰辦法
2019-07-15 02:57:42
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點(diǎn)
2016-11-28 23:45:03
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點(diǎn)
2016-10-15 22:47:06
IGBT管燒壞想要替代一個(gè)，那么就要根據(jù)實(shí)際情況來(lái)代換，一般遵循幾個(gè)原則： 1、寧大勿小 由于 IGBT 管工作在高電壓、大電流、溫度高狀態(tài)，一般不超過(guò)2000W的電磁爐在相同的條件選擇20A
2023-02-28 13:51:19
時(shí)一定要用萬(wàn)用表檢測(cè)驗(yàn)證，避免出現(xiàn)不應(yīng)有的損失。一只IGBT管的技術(shù)參數(shù)較多，包括反向擊穿電壓(BVceo)、集電極最大連續(xù)電流(Ic)、輸出功率、工作頻率等參數(shù)。例：G40N150D反向擊穿電壓
2012-03-22 19:09:22
電磁爐已經(jīng)OK了。2. 若燈泡很亮，表明IGBT管完全導(dǎo)通。此時(shí)，若拆除燈泡通電工作，必?zé)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT管！應(yīng)主要查修驅(qū)動(dòng) 諧振電容 高壓整流等電路。3. 若燈泡暗紅，開(kāi)啟電磁爐電源，燈泡亮度不變。則應(yīng)主要查修
2009-07-21 19:02:06
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙級(jí)晶體管IGBT
2012-08-20 09:46:02
本文由IGBT技術(shù)專(zhuān)家特約編寫(xiě)，僅供同行交流參考?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理 圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱(chēng)為源區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+ 區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件
2012-03-23 11:13:52
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
讀書(shū)的時(shí)候，老師看我們太笨了，講三極管特性原理的時(shí)候打的比喻，在此我要感謝他），IGBT在橋電路的原理同樣如此。在IGBT嚴(yán)重短路的時(shí)候，如果立馬硬關(guān)閉IGBT，輕則只是會(huì)在母線上造成過(guò)沖的感應(yīng)電
2017-03-24 11:53:14
IGBT資料包含了以下內(nèi)容：
IGBT 的基本結(jié)構(gòu)IGBT 的工作原理和工作特性
IGBT 的擎住效應(yīng)和安
2007-12-22 10:41:42
251 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640 如何為電路設(shè)計(jì)選擇適合的IGBT？
什么是IGBT？其工作原理是什么？為什么大家要選擇IGBT？它的優(yōu)勢(shì)是什么？一系列疑問(wèn)的拋出，在3月5日第十五屆國(guó)際集成電路研討會(huì)
2010-03-11 10:44:081124 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說(shuō)明包括了：IGBT 的基本結(jié)構(gòu)，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效應(yīng)和安全工作區(qū)，IGBT 的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)，集成
2020-09-10 08:00:0019 IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開(kāi)關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:315907
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