8050的情況下，補碼通常是8550。8050和8550晶體管的技術額定值通常是相同的。區(qū)別在于它們的極性。它們共同允許電流安全地流過無線電和無線電，從而為傳輸提供動力，并允許在用戶端實現(xiàn)多種功能
2023-02-16 18:22:30
新時代工程師們需要怎樣的儀器？
2021-04-30 07:24:15
晶體管技術方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
(max)。(假設1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測定VBE的初始值VBE1對晶體管輸入功率，使PN結熱飽和VBE的后續(xù)值：測定VBE2從這個結果得出△VBE
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對電路設計的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
？5. 連續(xù)脈沖？單脈沖？6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下？功率計算的積分公式使晶體管工作會產生電氣負載和熱負載。對晶體管來講，負載太大壽命會縮短，最壞的情況下會導致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
統(tǒng)通過VCCS輸入，取平均等技術獲得較理想的測試結果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測定，并能測試比較溫度對這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機接口，可以方便的將結果打印、顯示。關鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
這種關閉的狀態(tài)解釋為“0”。 當對柵極(G)施加電壓的時候，溝道中會聚集有效的電荷，形成一條從源極(S)到漏極(D)導通的通道，晶體管處于開啟狀態(tài)，可以把這種狀態(tài)解釋為“1”。這樣二進制的兩個狀態(tài)就由
2017-08-03 10:33:03
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管放大器設計掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點的設置與調整方法、放大器基本性能指標的測試方法、負反饋對放大器性能的影響及放大器的安裝與調試技術。[重點與難點]重點：阻容耦合共射極放大器的靜態(tài)工作的設置
2009-03-20 10:02:58
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
《晶體管電路設計與制作》是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機上使用的模擬器“SPICE”對設計的結果進行模擬。《晶體管電路設計與制作》中介
2018-01-15 12:46:03
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，應有盡有．幾年前，晶體管的開關能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據(jù)應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
(max)。(假設1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測定VBE的初始值VBE1對晶體管輸入功率，使PN結熱飽和VBE的后續(xù)值：測定VBE2從這個結果得出△VBE
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
Finfet技術（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
功率晶體管陣容包括各種傳統(tǒng)CW和脈沖雷達系統(tǒng)的難以找到的模型。 它們針對特定雷達應用進行了優(yōu)化，其中需要對尺寸，重量，頻率和功率性能變量進行管理。 這些固態(tài)預匹配晶體管適用于高達3.5 GHz的射頻
2019-05-14 11:00:13
和Si-VDMOS射頻和微波功率晶體管陣容包括各種傳統(tǒng)CW和脈沖雷達系統(tǒng)的難以找到的模型。 它們針對特定雷達應用進行了優(yōu)化，其中需要對尺寸，重量，頻率和功率性能變量進行管理。 這些固態(tài)預匹配晶體管適用于高達
2019-04-15 15:12:37
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結構和符號。要識別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結構和符號NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
晶體管是現(xiàn)代電子產品的基本組成部分之一。在二極管教程中，我們看到簡單的二極管由兩塊半導體材料組成，形成一個簡單的pn結。而晶體管是通過背靠背連接兩個二極管而形成的三端固態(tài)器件。因此，它有兩個PN結
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
作， (3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V，應有盡有． 幾年前，晶體管的開關能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力，改進
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設計與制作》是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機
2021-01-05 22:38:36
`內容簡介：《晶體管電路設計》(上)是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設計》(上)作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2017-07-25 15:29:55
管的UGS一ID曲線，可明白看出IDSS和UP的意義。（3）開啟電壓開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應晶體管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。（4）跨導跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制
2019-04-04 10:59:27
陽光健康、高技術屏障、高附加值的社會價值，引領和推動人工智能技術成果講入億萬家庭，造福百姓生活。未來，智能化將遍布我們的日常生活。此次中糧·天悅與科大訊飛的成功簽約，將共同開啟智能人居進化新時代，標志著人居史上的重大進步，顛覆人們對未來人居的想象。`
2018-07-23 09:16:06
測量晶體管老化的三個指標：熱載流子注入(HCI)、偏壓溫度不穩(wěn)定性(BTI)、經時介質擊穿(TDDB)。BTI上文已經解釋過，HCI是指晶體管發(fā)生狀態(tài)變換時的老化，電荷滯留在晶體管門介質上，這樣器件開關
2017-06-15 11:41:33
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術）嚴格來說，晶體管是指基于半導體材料的所有單一元件，包括由各種半導體材料
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導電氧化物還低的載流子遷移率。 在新加坡-麻省理工學院研究與技術聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
模塊正確匹配。這并不難，事實上，有一種有點傳統(tǒng)或至少是典型的方法，如下所述。晶體管效應晶體管是用作微型繼電器的半導體器件，用于固態(tài)電子設備的分立式開/關傳感器應用。它們放大非常小的信號，例如接近開關
2023-02-03 09:50:59
兩種比光敏二極管產生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個術語指的是基本上是一個光電二極管和放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管？光電二極管可以產生光電流，因為它的結
2022-04-21 18:05:28
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
，拐角處的電場總是被放大。這可以通過在角落使用硝酸鹽層來最小化。 制造成本高 鰭式場效應晶體管演進 現(xiàn)代電子產品的基礎是CMOS晶體管。在過去的17年中，CMOS技術在制造和建筑中使用的材料方面
2023-02-24 15:25:29
電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。《晶體管電路設計(下)》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術
2017-06-22 18:05:03
晶體管，基極上的電壓必須低于發(fā)射極上的電壓。像這樣的基本電路通常將發(fā)射器連接到電源的加號。通過這種方式，您可以判斷發(fā)射極上的電壓。PNP 晶體管如何開啟？PNP 和 NPN 晶體管的端子電阻值然后，我們
2023-02-03 09:45:56
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個單結晶體管仿真（電力電子技術的初學者）。有個問題請教于各位高手。1：開關初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關打開，點擊仿真后，點擊開關閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結（稱這個PN結為“發(fā)射結”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
用功率MOS場效應晶體管。所選場效應晶體管的主要參數(shù)應符合應用電路的具體要求。小功率場效應晶體管應注意輸入阻抗、低頻跨導、夾斷電壓（或開啟電壓）、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場效應晶體管應注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
，導致流過晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關閉。 截斷區(qū)域特征如下所示： 圖3.截斷區(qū)域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類似于單刀單擲固態(tài)開關
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
為什么選擇IP？如何開創(chuàng)Internet互聯(lián)新時代？
2021-05-20 06:15:39
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
使晶體管工作會產生電氣負載和熱負載。對晶體管來講，負載太大壽命會縮短，最壞的情況下會導致晶體管被破壞。為防止這種情況，需要檢查實際使用狀態(tài)，并確認在使用上是否有問題。這里說明一下具體的判定方法。為
2019-05-05 09:27:01
。 如何提高晶體管的開關速度？——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。（1）晶體管的開關時間：晶體管的開關波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程，關斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號？常見的晶體管的電路符號有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
器(eTEG)薄膜技術解決了當今電子行業(yè)中最具挑戰(zhàn)性的熱管理和電源管理問題。不過，只有極少數(shù)廠商能以相同技術實現(xiàn)這兩種應用：熱源單點散熱解決方案和利用廢熱發(fā)電的新方法。對于裸片、芯片、電路板和系統(tǒng)級實施的熱管理
2020-03-10 08:06:25
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
。 如何提高晶體管的開關速度？——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。（1）晶體管的開關時間：晶體管的開關波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程，關斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-08-19 04:00:00
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關系式。■數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關于數(shù)字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數(shù)字晶體管的情況）關于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
的內部電路中也是采用這種技術。如下圖，肖特基箝位在基極-集電極之間，這種二極管開關速度快，正向壓降比PN結小，準確來說叫做肖特基勢壘二極管。由于肖特基二極管的正向壓降比晶體管的Vbe小，因此，本來應該
2023-02-09 15:48:33
有沒有關于晶體管開關的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術在市場上確立了自己的地位，但在軟開關應用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關應用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關轉換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
幾十年來，電子設備變得越來越小，科學家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬個半導體集成在單個硅芯片上。天一通訊科技，變號軟件，該研究的領導者、密歇根理工大學的物理學家葉躍進（音譯）表示：“以目前的技術發(fā)展形勢看，10年到20年間，這種晶體管不可能變得更小。半導體還有另一個先天不足，即會以熱的形式浪費大量能源。”
2013-07-03 10:44:31
` 引言 在功率變換器應用中，寬帶隙（WBG）技術日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應用優(yōu)勢
2021-01-19 16:48:15
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
電子發(fā)燒友App
工商網監(jiān)
評論