定位器降壓電源等。H620X系列產(chǎn)品已經(jīng)在電動(dòng)車、POE和GPS等產(chǎn)品應(yīng)用多年，各大廠商都有在使用，量產(chǎn)穩(wěn)定成熟。 MOS管的特性；MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣
2020-10-10 14:23:19
相交的為源極D極(drain)—漏極，無論是P溝道還是N溝道，都是單獨(dú)引線的那邊根據(jù)這個(gè)方法我們就能很好的判定出20N20的三個(gè)極 2、20N20是N溝道還是P溝道箭頭指向G極的是N溝道 箭頭背向G極
2021-12-28 17:08:46
小女子初次進(jìn)入這個(gè)行業(yè)請多多幫忙 ………………不勝感激{:soso_e100:}MOS管漏極與源極并聯(lián)一個(gè)穩(wěn)壓二極管是什么作用？？？上圖中PD3的作用
2011-10-09 14:42:41
MOS管漏極振鈴Q6換成了YJN02N10A，100V2A的MOS，電感換成了47uH（某品牌樣機(jī)的是47uh）負(fù)載電流要求≤90ma，輸出電壓0-45V可調(diào)，負(fù)載電阻500歐，我買了一個(gè)水泥電阻
2022-05-23 19:16:03
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
簡稱上包括NMOS、PMOS等。1、三個(gè)極的判定G極(gate)—柵極，不用說比較好認(rèn) S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是 D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是
2023-02-10 16:17:02
大部分的MOS管中并在D極和S極有一個(gè)二極管，如下圖：相信很多人都會(huì)有這個(gè)疑問，究竟這個(gè)二極管起什么作用呢？是什么性質(zhì)的二極管呢？原來這個(gè)叫寄生二極管。當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí)，就可以通過
2016-12-20 17:01:13
通。我們可以通過以下方法來避免柵極電壓被誤抬升。 第一我們可以減少由米勒電容產(chǎn)生的對柵極電容充電的電流，由于米勒電容無法減少，所以要減少的就是漏極的電壓變化率?！ ∷诎霕蛑械淖饔镁褪抢L高邊Mos管
2023-03-15 16:55:58
MOS管主要參數(shù)MOS管主要參數(shù)：1.開啟電壓VT ·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓； ·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V； ·通過工藝上
2012-08-15 21:08:49
）。下面我們看一下MOS管的引腳，如下圖所示：有3個(gè)引腳，分別為G（柵極）、S（源極）、D（漏極）。在上圖可以
2021-10-28 07:46:04
本帖最后由 wuyuanyao 于 2019-9-11 11:18 編輯
1、MOS的三個(gè)極怎么判定：MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極：不用說比較好認(rèn)。S極：不論是P溝道還是N
2019-09-11 10:27:48
電源時(shí)，MOS管柵極電壓應(yīng)為14V; 36V 電源時(shí)，MOS管柵極電壓應(yīng)為26V。此時(shí)測試漏極（D）、源極（S）之間電壓應(yīng)隨加速而下降。若電壓不下降，電動(dòng)機(jī)不轉(zhuǎn)動(dòng)，說明MOS自身斷路。（3）萬用表置
2018-12-31 22:15:52
通，具體怎么的呢，直接上圖：P溝道和N溝道MOS管開關(guān)電路連接方法如圖所示：左圖是P溝道MOS開關(guān)，箭頭指向外面，接法為：S接輸入；D接輸出；G為控制端，低電平時(shí)導(dǎo)通右圖是N溝道MOS開關(guān)，箭頭指向里面，接法為：D接輸入；S接輸出；G為控制端，高電平時(shí)導(dǎo)通G為柵極、D為漏極、S為源極
2019-01-28 15:44:35
MOS管開關(guān)電路的定義MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種?！ ∫话闱闆r下普遍用于
2021-10-29 06:54:59
MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)
2021-10-29 07:22:17
1.開啟電壓VT 開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2
2018-11-20 14:10:23
揭秘mos管電路邏輯及mos管參數(shù) 1.開啟電壓VT 開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進(jìn)
2018-11-20 14:06:31
嗎，為什么？2、導(dǎo)通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級別的，非常小。所以具體過程是不是剛開始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導(dǎo)通后柵極電流就變小，但為什么這個(gè)電流會(huì)變小呢？
2021-04-27 12:03:09
MOS管驅(qū)動(dòng)電機(jī)，負(fù)載接在漏極端；MOS+運(yùn)放組成的恒流源，負(fù)載也在漏極端。想問一下，負(fù)載可以放在源極嗎？兩者有什么區(qū)別？
2021-07-08 18:07:57
。 1.MOS管的基礎(chǔ)知識(shí) MOS管分為N溝道MOS管和P溝道MOS管（N溝道應(yīng)用更加廣泛）。 MOS管的三個(gè)極分別為：柵極G、漏極D、源極S?！ 溝道MOS管和P溝道MOS管電路符號(hào) N-MOS
2021-01-20 16:20:24
強(qiáng)，吸引的電子就越多，導(dǎo)電溝道中的電子濃度也就越大，在相同的漏極電壓下，產(chǎn)生的電流也越大。因此MOS管是壓控器件，通過柵極電壓來控制電流的大小。3. 由于漏極電壓是比源極電壓高的（VD>
2012-07-04 17:27:52
強(qiáng)，吸引的電子就越多，導(dǎo)電溝道中的電子濃度也就越大，在相同的漏極電壓下，產(chǎn)生的電流也越大。因此MOS管是壓控器件，通過柵極電壓來控制電流的大小。3. 由于漏極電壓是比源極電壓高的（VD>
2012-07-06 16:06:52
`一、電壓應(yīng)力 在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOS管實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏源擊穿電壓的90%。即
2019-12-10 17:51:58
MOS管的開關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
連接的二極管，它們之間的電阻很大，漏極D與源極S之間不具備導(dǎo)電的溝道，所以加任何電壓，都不會(huì)產(chǎn)生漏極電流Id。圖3 N溝道增強(qiáng)型當(dāng)將襯底B與源極S短接，在柵極G和源極S之間加正電壓，即Vgs＞0
2020-05-17 21:00:02
MOS管在什么情況下流過連續(xù)漏記電流？在什么情況下流過脈沖漏極電流？正常用方波脈沖驅(qū)動(dòng)MOS管通斷的話，流過MOS管的是連續(xù)漏極電流還是脈沖漏極電流？
2018-08-23 15:30:44
給到MOS管一個(gè)脈沖波形后，測試MOS管漏極電壓會(huì)出現(xiàn)一個(gè)drop現(xiàn)象，且這個(gè)drop與mos管的導(dǎo)通時(shí)間有關(guān)，導(dǎo)通時(shí)間越久這個(gè)drop越大。后面經(jīng)過各種試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，只要將后面的分壓電路去掉就不會(huì)
2022-04-01 16:01:21
以圖中電路為例，當(dāng)我給柵極與源極之間一個(gè)恒壓源，使得Ugs>Uth，然后Uac是一個(gè)交流源，波形為右邊那個(gè)圖。①那么當(dāng)Uac過零時(shí)，mos管D->S間溝道會(huì)關(guān)斷嗎？②當(dāng)Uac為負(fù)半軸時(shí)，mos管的導(dǎo)通情況是怎么樣的呢？是先導(dǎo)通反并聯(lián)二極管，再導(dǎo)通S->D間溝道嗎？
2019-12-26 17:04:09
更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。所以在com管的柵極加上電壓就可以控制漏源電流的大小。三極管的原理網(wǎng)上很多可以參考。實(shí)際上mos管和三極管是電壓控制還是電流控制，制造時(shí)由于使用材
2012-07-11 11:53:45
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
地在MOS管的漏-源穩(wěn)態(tài)截止電壓上，出現(xiàn)電壓尖峰。我的問題如下【1】MOS管的漏極就是相當(dāng)于三極管的集電極，為什么要說成漏極，漏這個(gè)說法我一直不明白？【2】經(jīng)?？梢钥吹秸f變壓的漏磁，漏磁通，或者電感的漏感，怎么理解這些定義？【3】上文說的，漏磁通下降了，漏感就任然可以釋放儲(chǔ)能，是根據(jù)什么？謝謝
2017-07-22 11:57:00
的柵極（G）相當(dāng)于接地，柵極（G）和源極（S）間有負(fù)壓，MOS管導(dǎo)通，漏極（D）有3.3V輸出。當(dāng)PWR_CTL為低電平時(shí)：此時(shí)三極管SS8050不導(dǎo)通，MOS管的柵極和源級之間無壓差，MOS管關(guān)斷，無電壓輸出。...
2021-12-28 07:55:51
連接MOS管6N60的柵極和源極。如果指針立即返回?zé)o窮大，則MOS管6N60完好。3、紅筆接6N60的源極S，黑筆接MOS管的漏極，表針指示無限大則表示MOS管是好的。4、柵極和漏極接一個(gè)100K
2021-10-23 15:15:38
，單片機(jī)io口能導(dǎo)通。第一個(gè)mos管導(dǎo)通后第二個(gè)mos管導(dǎo)通不了。第一個(gè)mos管不導(dǎo)通第二個(gè)導(dǎo)通，第二個(gè)導(dǎo)通后由于沒有接地，源極d和漏極s電壓都等于vin大于15v，這個(gè)時(shí)候vgs
2018-10-17 15:16:30
STM8S105 / 103的I / O引腳的“安全”漏極/源極電流是多少？以上來自于谷歌翻譯以下為原文 What is 'safe' sink/source current for I/O pins for STM8S105/103
2019-02-19 15:50:27
晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用?！ ”娝苤瑐鹘y(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作
2021-05-13 06:33:26
全橋逆變后接的是容性負(fù)載，全橋的高壓是220v整流的，驅(qū)動(dòng)是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負(fù)載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉(zhuǎn)裂了 是由于負(fù)載引起的過熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
控制小信號(hào)。對于大電流，三極管發(fā)熱會(huì)比較嚴(yán)重。mos管因?yàn)閷?dǎo)通電阻非常小，所以特別適合控制大電流的電路。mos管（場效應(yīng)管）的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們
2017-10-26 23:45:23
） MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。4、MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則；圖1-4-A 是N溝道MOS管的符號(hào)，圖中D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N
2012-08-09 14:45:18
在一定范圍內(nèi)的變化會(huì)引起源漏間導(dǎo)通電阻的變化。二者的主要區(qū)別就是：雙極型管是電流控制器件（通過基極較小的電流控制較大的集電極電流），MOS管是電壓控制器件（通過柵極電壓控制源漏間導(dǎo)通電阻）。MOS管(場效應(yīng)管
2018-03-25 20:55:04
第一種：定性判斷MOS管的好壞先用萬用表R×10kΩ擋(內(nèi)置有9V或15V電池)，把負(fù)表筆(黑)接柵極(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵、源極之間充電，此時(shí)萬用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。再改用萬用表R
2019-01-08 13:28:49
,場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性按平方規(guī)律變化,因此MOS管的非線性失真比三極管的非線性失真大.七、MOS管的三種基本組態(tài)電路(共源、共漏和共柵)可以對照三極管的共發(fā)、共集和共基電路,由于MOS管的柵極無電流,所以
2019-04-10 14:55:55
的方向。MOSFET管是另一種非常常見的晶體管類型。它也具有三個(gè)引腳：柵極（G）、漏極（D）、源極（S）MOS管和三極管同為晶體管，它們之間的工作原理也有些類似之處：1）．MOS管的源極S、柵極G、漏極
2023-02-20 15:30:11
。2） MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。4、MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則上圖是N溝道MOS管的符號(hào)，圖中D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道
2018-07-05 13:52:46
，因此，下管的寄生二極管在死區(qū)時(shí)間內(nèi)具有導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有二級管的反向恢復(fù)損耗。 功率MOSFET的寄生參數(shù)模型如圖1所示，其中，G、D、S分別為封裝好的器件外部的柵極、漏極和源極，G1、S1分別為內(nèi)部
2020-12-08 15:35:56
電容充電，充電峰值電流會(huì)超過了單片機(jī)的 I/O 輸出能力，串上 R17 后可放慢充電時(shí)間而減小柵極充電電流?！ 〉谌?，當(dāng)柵極關(guān)斷時(shí)，MOS管的D-S極從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)時(shí)，漏源極電壓VDS會(huì)迅速增加
2023-03-10 15:06:47
本文記錄以二極管連接的MOS作為負(fù)載的共源極放大器。1. 原理分析二極管連接的MOS管如下圖所示。無論P(yáng)MOS還是NMOS，當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，均工作在飽和區(qū)。等效電阻為Rx=VxIx=1gm//Ro
2021-12-30 07:47:09
1. 什么是MOS管？MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的簡稱。1.1 如何判斷MOS管的G柵極、D漏極、S源極?（1）引腳一般如上圖所示。（2）萬用表測量，方法如下S源極與D漏極之間應(yīng)該有
2021-12-31 06:20:08
STM32F4XX中文參考手冊中GPIO口的結(jié)構(gòu)圖。輸出部分的電路是在下方。先簡單介紹一下MOS管吧。MOS管其實(shí)是和三極管差不多的，有三個(gè)極：柵極（G），源極（S）和漏極（D）。三極管通過放大基極的電流變...
2022-02-17 07:15:10
關(guān)于mos管漏極電流id的計(jì)算，能夠找到的例子非常少，問的人也更加少，就是這個(gè)id電流計(jì)算有一個(gè)未知參數(shù)kn，這個(gè)參數(shù)在平常我們選擇哪個(gè)信號(hào)的管子就需要去查看這個(gè)管子的電子文檔資料datasheet
2018-05-28 18:59:27
是漏極D和源極S。因?yàn)閷Y(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得
2016-12-15 14:21:12
本帖最后由 拂去喧囂 于 2016-8-5 15:08 編輯
在實(shí)際電路中SPA11N80C3這種MOS管的柵極（G）引腳懸空會(huì)造成源極（S）和漏極（D）一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。這是什么原因？（D極接入的是167V左右的DC，S極接到參考地）
2016-08-05 15:07:30
位（接內(nèi)部電池的正極），如上圖所示?！ 。?）測試步驟： 把紅表筆接到MOS管的源極S；把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時(shí)表針指示應(yīng)該為無窮大，如下圖所示。如果有歐姆指數(shù)，說明被測管有漏電現(xiàn)象，此管
2018-11-01 15:21:31
` 判斷MOS管好壞的方法有兩種： 第一種：定性判斷MOS管的好壞 先用萬用表R×10kΩ擋(內(nèi)置有9V或15V電池)，把負(fù)表筆(黑)接柵極(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵、源極之間充電
2019-03-04 15:41:25
VGS有一定的壓差，如 -5V（S電位比G電位高）。2 MOS管做上管和下管NMOS當(dāng)下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管導(dǎo)通的條件取決于
2023-02-17 13:58:02
，MOS管相對而言較貴。關(guān)于功耗問題：三極管損耗比起MOS管較大。驅(qū)動(dòng)能力上的的不同：MOS管常用于電源開關(guān)以及大電流地方開關(guān)電路。MOS管 VS 三極管1.MOS管的源極s、柵極g、漏極d分別
2018-12-24 18:31:54
2、試著將MOS管源極的電流采樣電阻調(diào)大一點(diǎn)，也會(huì)使得漏極開機(jī)瞬間尖峰稍微減小，但也會(huì)導(dǎo)致低壓無法啟動(dòng)。
請問是什么原因?qū)е?b class="flag-6" style="color: red">MOS管漏極開機(jī)瞬間電壓很大？如何解決？
2023-10-09 23:06:47
我的理解（將漏極d與源極s調(diào)換）：B_VCC是USB供電，為5V。當(dāng)沒有插入DC接口時(shí)，PSELF接地，則Ugs=-5V，PMOS導(dǎo)通，VCC=B_VCC；當(dāng)插入DC接口時(shí)，PSELF懸空
2018-10-30 19:25:45
在開關(guān)電源中如何消除開關(guān)mos管漏極產(chǎn)生的振蕩成份呢？
2023-05-09 14:56:25
（幾百歐姆至一千歐姆），則可判斷黑表筆接的是柵極G，另外兩個(gè)電極分別是源S和漏極D。 在兩個(gè)阻值均為高阻值的一次測量中，被測管為P溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管；在兩個(gè)阻值均為低阻值的一次測量中，被測管為N
2021-05-25 07:05:04
本帖最后由 xueting1 于 2016-10-6 20:12 編輯
場效應(yīng)管（MOS型）的電路圖表示如上所示：原理：通常我們通過給柵極（G）是否加電壓來控制漏極（D）和源極（S）的開斷
2016-10-06 20:12:17
G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種
2012-07-28 14:13:50
不動(dòng)，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管 首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆
2021-05-25 06:58:37
能力 將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上
2021-05-13 06:55:31
兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對于有4個(gè)管腳的結(jié)型場效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。2、判定柵極 用萬用表黑表筆
2009-04-25 15:43:42
不動(dòng)，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏
2008-06-03 14:57:05
。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。 5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS
2021-05-13 06:13:46
，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS
2011-12-19 16:30:31
，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID
2013-03-27 16:19:17
|是Vgs的絕對值.見輸入輸出特性。四、結(jié)型場效應(yīng)管：結(jié)場型場直流輸入電阻可達(dá)10^6~~~~10^9歐姆，工做原理柵源電壓Ugs控制漏極電源iD。此圖為N道溝，結(jié)場型場效應(yīng)管。S源極、D漏極、G柵極
2019-04-16 11:20:05
編輯-ZMOS管10N60的三個(gè)極是什么以及如何判斷MOS管10N60的三個(gè)極是：G（柵極）、D（漏極）和s（源極）。柵極和源極之間的電壓必須大于一定值，漏極和源極才能導(dǎo)通。 10N60參數(shù)描述
2021-10-22 17:01:01
兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極G。這就
2018-10-25 16:36:05
。是從電壓角度理解的，若從電流理解，是同相的。mos管，當(dāng)Vds過大時(shí)，漏極區(qū)下面的通道截止，怎么還會(huì)有電流當(dāng)vgs一定，vds持續(xù)增大，近漏極端的溝道深度進(jìn)一步減小，當(dāng)vds=vgs-vgs（th
2012-07-09 17:45:33
01三個(gè)極的判定G極(gate)—柵極，不用說比較好認(rèn)；S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊
2021-12-07 01:24:30
強(qiáng)型、P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管應(yīng)該如何檢測呢？MOS管的外形、結(jié)構(gòu)及符號(hào)如下圖所示，三個(gè)電極分別為柵極G、源極S、漏極D。國產(chǎn)N溝道管典型產(chǎn)品有3DJ2、3DJ4.3DJ6、3DJ7，P
2018-10-23 15:10:53
”是越來越難的。耗盡型的是事先做出一個(gè)導(dǎo)通層，用柵極來加厚或者減薄來控制源漏的導(dǎo)通。但這種管子一般不生產(chǎn)，在市面基本見不到。所以，大家平時(shí)說MOS管，就默認(rèn)是增強(qiáng)型的?！ ?、左右對稱 圖示左右
2019-01-03 13:43:48
的是S極，紅表筆接D極。 3．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on） 將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐?！ ∮捎跍y試條件不同，測出的RDS（on）值
2021-02-23 16:38:07
耦合后會(huì)在
MOS管的
柵極輸入端產(chǎn)生振蕩電壓,振蕩電壓會(huì)破壞
MOS管的氧化層?！ ∪?b class="flag-6" style="color: red">MOS
管導(dǎo)通和截止的瞬間,
漏極的高電壓會(huì)通過
MOS管內(nèi)部的
漏源電容偶合到功率
MOS管的
柵極處,使
MOS管受損?！ ∷?/div>
2018-10-19 16:21:14
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞?！ 〉湫碗娐? 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域弓|起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-11-21 13:52:55
的可靠性。功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個(gè)方面： 1)防止柵極di／dt過高：由于采用驅(qū)動(dòng)芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動(dòng)功率管會(huì)引起驅(qū)動(dòng)的功率管快速的開通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩
2018-12-10 14:59:16
的小了很多說明MOS管并未損壞?！ ?2)在加速過程中，如24V電源時(shí)，MOS管柵極電壓應(yīng)為14V;36V電源時(shí)，MOS管柵極電壓應(yīng)為26V。此時(shí)測試漏極(D)、源極(S)之間電壓應(yīng)隨加速而下降。若電壓
2018-12-27 13:49:40
）相當(dāng)于接地，柵極（G）和源極（S）間有負(fù)壓-5V，mos管導(dǎo)通，漏極（D）有5V輸出。當(dāng)PW_1為低電平輸出狀態(tài)時(shí)，三極管Q1不導(dǎo)通，mos管的柵極和源極直接無壓差，mos管關(guān)斷，漏極...
2021-10-28 09:02:17
` 一、電壓應(yīng)力 在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOS管實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏源擊穿電壓的90%。即
2019-02-21 12:02:20
基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。MOSFET管是FET的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但
2019-03-03 06:00:00
原理圖符號(hào)應(yīng)如下所示：從結(jié)構(gòu)上可以看出，MOS管是完全對稱的，因此理論上源極S與漏極D是可以互換使用的。在MOS管中，源極為提供載流子的端子，而漏極為接收載流子的端子，源和漏的命名也由此而來，N溝通
2023-02-10 15:58:00
鍍一層金屬鋁作爲(wèi)柵極G。當(dāng)VGS＝0 V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓不會(huì)在D、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵極加有電壓時(shí)，若0＜VGS＜VGS(th)時(shí)，經(jīng)過柵極和襯底間構(gòu)成的電容電場
2019-03-21 16:51:33
mos管漏極電壓8V,柵極電壓9V，仍低于源極12V電壓，持續(xù)導(dǎo)通。現(xiàn)電路板出現(xiàn)故障后，柵極電壓上升很快，達(dá)到11.7V，mos管截止，造成漏極無電壓輸出，達(dá)不到輸出供電效果。請教大神們講解下此電路原理，最有可能出錯(cuò)的地方？mos管和運(yùn)放經(jīng)過單獨(dú)驗(yàn)證，是正常的
2023-06-05 22:50:12
在電流鏡像電路中，有時(shí)會(huì)把場效應(yīng)管的源級接Vcc，漏極接地，那么當(dāng)柵極與漏極相連構(gòu)成電流鏡時(shí)，場效應(yīng)管是怎么導(dǎo)通的？？？？
2018-08-09 17:09:04
兩層電源板，板子設(shè)計(jì)中有4個(gè)MOSFET管串聯(lián)，由于只有兩層，四個(gè)MOSFET管的3個(gè)源級要過大電流，所以用銅連接在一起；四個(gè)MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級和漏極之間（請看圖片），不知道這樣的柵極走線會(huì)不會(huì)受影響？
2018-07-24 16:19:28
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS管，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里
2021-10-29 08:34:24
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