定位器降壓電源等。H620X系列產(chǎn)品已經(jīng)在電動車、POE和GPS等產(chǎn)品應(yīng)用多年，各大廠商都有在使用，量產(chǎn)穩(wěn)定成熟。 MOS管的特性；MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣
2020-10-10 14:23:19
相交的為源極D極(drain)—漏極，無論是P溝道還是N溝道，都是單獨引線的那邊根據(jù)這個方法我們就能很好的判定出20N20的三個極 2、20N20是N溝道還是P溝道箭頭指向G極的是N溝道 箭頭背向G極
2021-12-28 17:08:46
小女子初次進入這個行業(yè)請多多幫忙 ………………不勝感激{:soso_e100:}MOS管漏極與源極并聯(lián)一個穩(wěn)壓二極管是什么作用？？？上圖中PD3的作用
2011-10-09 14:42:41
MOS管漏極振鈴Q6換成了YJN02N10A，100V2A的MOS，電感換成了47uH（某品牌樣機的是47uh）負(fù)載電流要求≤90ma，輸出電壓0-45V可調(diào)，負(fù)載電阻500歐，我買了一個水泥電阻
2022-05-23 19:16:03
普通N MOS管給柵極一個高電壓 ，漏極一個低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
簡稱上包括NMOS、PMOS等。1、三個極的判定G極(gate)—柵極，不用說比較好認(rèn) S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是 D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是
2023-02-10 16:17:02
大部分的MOS管中并在D極和S極有一個二極管，如下圖：相信很多人都會有這個疑問，究竟這個二極管起什么作用呢？是什么性質(zhì)的二極管呢？原來這個叫寄生二極管。當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時，就可以通過
2016-12-20 17:01:13
通。我們可以通過以下方法來避免柵極電壓被誤抬升。 第一我們可以減少由米勒電容產(chǎn)生的對柵極電容充電的電流，由于米勒電容無法減少，所以要減少的就是漏極的電壓變化率。 它在半橋中的作用就是拉長高邊Mos管
2023-03-15 16:55:58
MOS管主要參數(shù)MOS管主要參數(shù)：1.開啟電壓VT ·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓； ·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V； ·通過工藝上
2012-08-15 21:08:49
）。下面我們看一下MOS管的引腳，如下圖所示：有3個引腳，分別為G（柵極）、S（源極）、D（漏極）。在上圖可以
2021-10-28 07:46:04
本帖最后由 wuyuanyao 于 2019-9-11 11:18 編輯
1、MOS的三個極怎么判定：MOS管符號上的三個腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極：不用說比較好認(rèn)。S極：不論是P溝道還是N
2019-09-11 10:27:48
電源時，MOS管柵極電壓應(yīng)為14V; 36V 電源時，MOS管柵極電壓應(yīng)為26V。此時測試漏極（D）、源極（S）之間電壓應(yīng)隨加速而下降。若電壓不下降，電動機不轉(zhuǎn)動，說明MOS自身斷路。（3）萬用表置
2018-12-31 22:15:52
通，具體怎么的呢，直接上圖：P溝道和N溝道MOS管開關(guān)電路連接方法如圖所示：左圖是P溝道MOS開關(guān)，箭頭指向外面，接法為：S接輸入；D接輸出；G為控制端，低電平時導(dǎo)通右圖是N溝道MOS開關(guān)，箭頭指向里面，接法為：D接輸入；S接輸出；G為控制端，高電平時導(dǎo)通G為柵極、D為漏極、S為源極
2019-01-28 15:44:35
MOS管開關(guān)電路的定義MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。 一般情況下普遍用于
2021-10-29 06:54:59
MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS，導(dǎo)
2021-10-29 07:22:17
1.開啟電壓VT 開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2
2018-11-20 14:10:23
揭秘mos管電路邏輯及mos管參數(shù) 1.開啟電壓VT 開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進
2018-11-20 14:06:31
嗎，為什么？2、導(dǎo)通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級別的，非常小。所以具體過程是不是剛開始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導(dǎo)通后柵極電流就變小，但為什么這個電流會變小呢？
2021-04-27 12:03:09
MOS管驅(qū)動電機，負(fù)載接在漏極端；MOS+運放組成的恒流源，負(fù)載也在漏極端。想問一下，負(fù)載可以放在源極嗎？兩者有什么區(qū)別？
2021-07-08 18:07:57
。 1.MOS管的基礎(chǔ)知識 MOS管分為N溝道MOS管和P溝道MOS管（N溝道應(yīng)用更加廣泛）。 MOS管的三個極分別為：柵極G、漏極D、源極S。 N溝道MOS管和P溝道MOS管電路符號 N-MOS
2021-01-20 16:20:24
強，吸引的電子就越多，導(dǎo)電溝道中的電子濃度也就越大，在相同的漏極電壓下，產(chǎn)生的電流也越大。因此MOS管是壓控器件，通過柵極電壓來控制電流的大小。3. 由于漏極電壓是比源極電壓高的（VD>
2012-07-04 17:27:52
強，吸引的電子就越多，導(dǎo)電溝道中的電子濃度也就越大，在相同的漏極電壓下，產(chǎn)生的電流也越大。因此MOS管是壓控器件，通過柵極電壓來控制電流的大小。3. 由于漏極電壓是比源極電壓高的（VD>
2012-07-06 16:06:52
`一、電壓應(yīng)力 在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOS管實際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏源擊穿電壓的90%。即
2019-12-10 17:51:58
MOS管的開關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的？在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開關(guān)電路是怎么計算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
連接的二極管，它們之間的電阻很大，漏極D與源極S之間不具備導(dǎo)電的溝道，所以加任何電壓，都不會產(chǎn)生漏極電流Id。圖3 N溝道增強型當(dāng)將襯底B與源極S短接，在柵極G和源極S之間加正電壓，即Vgs＞0
2020-05-17 21:00:02
MOS管在什么情況下流過連續(xù)漏記電流？在什么情況下流過脈沖漏極電流？正常用方波脈沖驅(qū)動MOS管通斷的話，流過MOS管的是連續(xù)漏極電流還是脈沖漏極電流？
2018-08-23 15:30:44
給到MOS管一個脈沖波形后，測試MOS管漏極電壓會出現(xiàn)一個drop現(xiàn)象，且這個drop與mos管的導(dǎo)通時間有關(guān)，導(dǎo)通時間越久這個drop越大。后面經(jīng)過各種試驗發(fā)現(xiàn)，只要將后面的分壓電路去掉就不會
2022-04-01 16:01:21
以圖中電路為例，當(dāng)我給柵極與源極之間一個恒壓源，使得Ugs>Uth，然后Uac是一個交流源，波形為右邊那個圖。①那么當(dāng)Uac過零時，mos管D->S間溝道會關(guān)斷嗎？②當(dāng)Uac為負(fù)半軸時，mos管的導(dǎo)通情況是怎么樣的呢？是先導(dǎo)通反并聯(lián)二極管，再導(dǎo)通S->D間溝道嗎？
2019-12-26 17:04:09
更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。所以在com管的柵極加上電壓就可以控制漏源電流的大小。三極管的原理網(wǎng)上很多可以參考。實際上mos管和三極管是電壓控制還是電流控制，制造時由于使用材
2012-07-11 11:53:45
柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什么作用？一是為場效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
地在MOS管的漏-源穩(wěn)態(tài)截止電壓上，出現(xiàn)電壓尖峰。我的問題如下【1】MOS管的漏極就是相當(dāng)于三極管的集電極，為什么要說成漏極，漏這個說法我一直不明白？【2】經(jīng)常可以看到說變壓的漏磁，漏磁通，或者電感的漏感，怎么理解這些定義？【3】上文說的，漏磁通下降了，漏感就任然可以釋放儲能，是根據(jù)什么？謝謝
2017-07-22 11:57:00
的柵極（G）相當(dāng)于接地，柵極（G）和源極（S）間有負(fù)壓，MOS管導(dǎo)通，漏極（D）有3.3V輸出。當(dāng)PWR_CTL為低電平時：此時三極管SS8050不導(dǎo)通，MOS管的柵極和源級之間無壓差，MOS管關(guān)斷，無電壓輸出。...
2021-12-28 07:55:51
連接MOS管6N60的柵極和源極。如果指針立即返回?zé)o窮大，則MOS管6N60完好。3、紅筆接6N60的源極S，黑筆接MOS管的漏極，表針指示無限大則表示MOS管是好的。4、柵極和漏極接一個100K
2021-10-23 15:15:38
，單片機io口能導(dǎo)通。第一個mos管導(dǎo)通后第二個mos管導(dǎo)通不了。第一個mos管不導(dǎo)通第二個導(dǎo)通，第二個導(dǎo)通后由于沒有接地，源極d和漏極s電壓都等于vin大于15v，這個時候vgs
2018-10-17 15:16:30
STM8S105 / 103的I / O引腳的“安全”漏極/源極電流是多少？以上來自于谷歌翻譯以下為原文 What is 'safe' sink/source current for I/O pins for STM8S105/103
2019-02-19 15:50:27
晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。 眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作
2021-05-13 06:33:26
全橋逆變后接的是容性負(fù)載，全橋的高壓是220v整流的，驅(qū)動是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負(fù)載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉(zhuǎn)裂了 是由于負(fù)載引起的過熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
控制小信號。對于大電流，三極管發(fā)熱會比較嚴(yán)重。mos管因為導(dǎo)通電阻非常小，所以特別適合控制大電流的電路。mos管（場效應(yīng)管）的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們
2017-10-26 23:45:23
） MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。4、MOS管的電壓極性和符號規(guī)則；圖1-4-A 是N溝道MOS管的符號，圖中D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N
2012-08-09 14:45:18
在一定范圍內(nèi)的變化會引起源漏間導(dǎo)通電阻的變化。二者的主要區(qū)別就是：雙極型管是電流控制器件（通過基極較小的電流控制較大的集電極電流），MOS管是電壓控制器件（通過柵極電壓控制源漏間導(dǎo)通電阻）。MOS管(場效應(yīng)管
2018-03-25 20:55:04
第一種：定性判斷MOS管的好壞先用萬用表R×10kΩ擋(內(nèi)置有9V或15V電池)，把負(fù)表筆(黑)接柵極(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。再改用萬用表R
2019-01-08 13:28:49
,場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性按平方規(guī)律變化,因此MOS管的非線性失真比三極管的非線性失真大.七、MOS管的三種基本組態(tài)電路(共源、共漏和共柵)可以對照三極管的共發(fā)、共集和共基電路,由于MOS管的柵極無電流,所以
2019-04-10 14:55:55
的方向。MOSFET管是另一種非常常見的晶體管類型。它也具有三個引腳：柵極（G）、漏極（D）、源極（S）MOS管和三極管同為晶體管，它們之間的工作原理也有些類似之處：1）．MOS管的源極S、柵極G、漏極
2023-02-20 15:30:11
。2） MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。4、MOS管的電壓極性和符號規(guī)則上圖是N溝道MOS管的符號，圖中D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道
2018-07-05 13:52:46
，因此，下管的寄生二極管在死區(qū)時間內(nèi)具有導(dǎo)通損耗，同時具有二級管的反向恢復(fù)損耗。 功率MOSFET的寄生參數(shù)模型如圖1所示，其中，G、D、S分別為封裝好的器件外部的柵極、漏極和源極，G1、S1分別為內(nèi)部
2020-12-08 15:35:56
電容充電，充電峰值電流會超過了單片機的 I/O 輸出能力，串上 R17 后可放慢充電時間而減小柵極充電電流。 第三，當(dāng)柵極關(guān)斷時，MOS管的D-S極從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)時，漏源極電壓VDS會迅速增加
2023-03-10 15:06:47
本文記錄以二極管連接的MOS作為負(fù)載的共源極放大器。1. 原理分析二極管連接的MOS管如下圖所示。無論PMOS還是NMOS，當(dāng)導(dǎo)通時，均工作在飽和區(qū)。等效電阻為Rx=VxIx=1gm//Ro
2021-12-30 07:47:09
1. 什么是MOS管？MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的簡稱。1.1 如何判斷MOS管的G柵極、D漏極、S源極?（1）引腳一般如上圖所示。（2）萬用表測量，方法如下S源極與D漏極之間應(yīng)該有
2021-12-31 06:20:08
STM32F4XX中文參考手冊中GPIO口的結(jié)構(gòu)圖。輸出部分的電路是在下方。先簡單介紹一下MOS管吧。MOS管其實是和三極管差不多的，有三個極：柵極（G），源極（S）和漏極（D）。三極管通過放大基極的電流變...
2022-02-17 07:15:10
關(guān)于mos管漏極電流id的計算，能夠找到的例子非常少，問的人也更加少，就是這個id電流計算有一個未知參數(shù)kn，這個參數(shù)在平常我們選擇哪個信號的管子就需要去查看這個管子的電子文檔資料datasheet
2018-05-28 18:59:27
是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得
2016-12-15 14:21:12
本帖最后由 拂去喧囂 于 2016-8-5 15:08 編輯
在實際電路中SPA11N80C3這種MOS管的柵極（G）引腳懸空會造成源極（S）和漏極（D）一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。這是什么原因？（D極接入的是167V左右的DC，S極接到參考地）
2016-08-05 15:07:30
位（接內(nèi)部電池的正極），如上圖所示。 （2）測試步驟： 把紅表筆接到MOS管的源極S；把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時表針指示應(yīng)該為無窮大，如下圖所示。如果有歐姆指數(shù)，說明被測管有漏電現(xiàn)象，此管
2018-11-01 15:21:31
` 判斷MOS管好壞的方法有兩種： 第一種：定性判斷MOS管的好壞 先用萬用表R×10kΩ擋(內(nèi)置有9V或15V電池)，把負(fù)表筆(黑)接柵極(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵、源極之間充電
2019-03-04 15:41:25
VGS有一定的壓差，如 -5V（S電位比G電位高）。2 MOS管做上管和下管NMOS當(dāng)下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止，因為MOS管導(dǎo)通的條件取決于
2023-02-17 13:58:02
，MOS管相對而言較貴。關(guān)于功耗問題：三極管損耗比起MOS管較大。驅(qū)動能力上的的不同：MOS管常用于電源開關(guān)以及大電流地方開關(guān)電路。MOS管 VS 三極管1.MOS管的源極s、柵極g、漏極d分別
2018-12-24 18:31:54
2、試著將MOS管源極的電流采樣電阻調(diào)大一點，也會使得漏極開機瞬間尖峰稍微減小，但也會導(dǎo)致低壓無法啟動。
請問是什么原因?qū)е?b class="flag-6" style="color: red">MOS管漏極開機瞬間電壓很大？如何解決？
2023-10-09 23:06:47
我的理解（將漏極d與源極s調(diào)換）：B_VCC是USB供電，為5V。當(dāng)沒有插入DC接口時，PSELF接地，則Ugs=-5V，PMOS導(dǎo)通，VCC=B_VCC；當(dāng)插入DC接口時，PSELF懸空
2018-10-30 19:25:45
在開關(guān)電源中如何消除開關(guān)mos管漏極產(chǎn)生的振蕩成份呢？
2023-05-09 14:56:25
（幾百歐姆至一千歐姆），則可判斷黑表筆接的是柵極G，另外兩個電極分別是源S和漏極D。 在兩個阻值均為高阻值的一次測量中，被測管為P溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管；在兩個阻值均為低阻值的一次測量中，被測管為N
2021-05-25 07:05:04
本帖最后由 xueting1 于 2016-10-6 20:12 編輯
場效應(yīng)管（MOS型）的電路圖表示如上所示：原理：通常我們通過給柵極（G）是否加電壓來控制漏極（D）和源極（S）的開斷
2016-10-06 20:12:17
G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種
2012-07-28 14:13:50
不動，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管 首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆
2021-05-25 06:58:37
能力 將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號加到柵極上
2021-05-13 06:55:31
兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個管腳即為柵極G。對于有4個管腳的結(jié)型場效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。2、判定柵極 用萬用表黑表筆
2009-04-25 15:43:42
不動，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏
2008-06-03 14:57:05
。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。 5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS
2021-05-13 06:13:46
，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS
2011-12-19 16:30:31
，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID
2013-03-27 16:19:17
|是Vgs的絕對值.見輸入輸出特性。四、結(jié)型場效應(yīng)管：結(jié)場型場直流輸入電阻可達10^6~~~~10^9歐姆，工做原理柵源電壓Ugs控制漏極電源iD。此圖為N道溝，結(jié)場型場效應(yīng)管。S源極、D漏極、G柵極
2019-04-16 11:20:05
編輯-ZMOS管10N60的三個極是什么以及如何判斷MOS管10N60的三個極是：G（柵極）、D（漏極）和s（源極）。柵極和源極之間的電壓必須大于一定值，漏極和源極才能導(dǎo)通。 10N60參數(shù)描述
2021-10-22 17:01:01
兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就
2018-10-25 16:36:05
。是從電壓角度理解的，若從電流理解，是同相的。mos管，當(dāng)Vds過大時，漏極區(qū)下面的通道截止，怎么還會有電流當(dāng)vgs一定，vds持續(xù)增大，近漏極端的溝道深度進一步減小，當(dāng)vds=vgs-vgs（th
2012-07-09 17:45:33
01三個極的判定G極(gate)—柵極，不用說比較好認(rèn)；S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊
2021-12-07 01:24:30
強型、P溝耗盡型和加強型四大類。 MOS管應(yīng)該如何檢測呢？MOS管的外形、結(jié)構(gòu)及符號如下圖所示，三個電極分別為柵極G、源極S、漏極D。國產(chǎn)N溝道管典型產(chǎn)品有3DJ2、3DJ4.3DJ6、3DJ7，P
2018-10-23 15:10:53
”是越來越難的。耗盡型的是事先做出一個導(dǎo)通層，用柵極來加厚或者減薄來控制源漏的導(dǎo)通。但這種管子一般不生產(chǎn)，在市面基本見不到。所以，大家平時說MOS管，就默認(rèn)是增強型的。 4、左右對稱 圖示左右
2019-01-03 13:43:48
的是S極，紅表筆接D極。 3．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on） 將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。 由于測試條件不同，測出的RDS（on）值
2021-02-23 16:38:07
耦合后會在MOS管的柵極輸入端產(chǎn)生振蕩電壓,振蕩電壓會破壞MOS管的氧化層。 三、MOS管導(dǎo)通和截止的瞬間,漏極的高電壓會通過MOS管內(nèi)部的漏源電容偶合到功率MOS管的柵極處,使MOS管受損。 四
2018-10-19 16:21:14
時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路: 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域弓|起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-11-21 13:52:55
的可靠性。功率MOS管保護電路主要有以下幾個方面： 1)防止柵極di／dt過高：由于采用驅(qū)動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動功率管會引起驅(qū)動的功率管快速的開通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩
2018-12-10 14:59:16
的小了很多說明MOS管并未損壞。 (2)在加速過程中，如24V電源時，MOS管柵極電壓應(yīng)為14V;36V電源時，MOS管柵極電壓應(yīng)為26V。此時測試漏極(D)、源極(S)之間電壓應(yīng)隨加速而下降。若電壓
2018-12-27 13:49:40
）相當(dāng)于接地，柵極（G）和源極（S）間有負(fù)壓-5V，mos管導(dǎo)通，漏極（D）有5V輸出。當(dāng)PW_1為低電平輸出狀態(tài)時，三極管Q1不導(dǎo)通，mos管的柵極和源極直接無壓差，mos管關(guān)斷，漏極...
2021-10-28 09:02:17
` 一、電壓應(yīng)力 在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOS管實際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏源擊穿電壓的90%。即
2019-02-21 12:02:20
基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。MOSFET管是FET的一種，可以被制造為增強型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但
2019-03-03 06:00:00
原理圖符號應(yīng)如下所示：從結(jié)構(gòu)上可以看出，MOS管是完全對稱的，因此理論上源極S與漏極D是可以互換使用的。在MOS管中，源極為提供載流子的端子，而漏極為接收載流子的端子，源和漏的命名也由此而來，N溝通
2023-02-10 15:58:00
鍍一層金屬鋁作爲(wèi)柵極G。當(dāng)VGS＝0 V時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓不會在D、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵極加有電壓時，若0＜VGS＜VGS(th)時，經(jīng)過柵極和襯底間構(gòu)成的電容電場
2019-03-21 16:51:33
mos管漏極電壓8V,柵極電壓9V，仍低于源極12V電壓，持續(xù)導(dǎo)通。現(xiàn)電路板出現(xiàn)故障后，柵極電壓上升很快，達到11.7V，mos管截止，造成漏極無電壓輸出，達不到輸出供電效果。請教大神們講解下此電路原理，最有可能出錯的地方？mos管和運放經(jīng)過單獨驗證，是正常的
2023-06-05 22:50:12
在電流鏡像電路中，有時會把場效應(yīng)管的源級接Vcc，漏極接地，那么當(dāng)柵極與漏極相連構(gòu)成電流鏡時，場效應(yīng)管是怎么導(dǎo)通的？？？？
2018-08-09 17:09:04
兩層電源板，板子設(shè)計中有4個MOSFET管串聯(lián)，由于只有兩層，四個MOSFET管的3個源級要過大電流，所以用銅連接在一起；四個MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級和漏極之間（請看圖片），不知道這樣的柵極走線會不會受影響？
2018-07-24 16:19:28
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS管，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里
2021-10-29 08:34:24
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