三極管最典型的應用——MOSFET驅動電路

三極管最典型的應用——MOSFET 驅動電路

說實話，這些電路大多都是在面試或者課本里出現，考察一些大家對三極管的理解。但真正在實際電路中，很少看到三極管工作在放大區。說到這里，也給在學校的大學生們吃個定心丸，課本里一天天“集電極正偏”，“共集共射”這個極正偏那個極反偏，說實話在工作里沒多大用處，你把這些題都做會也設計不出來實際的電路；設計實際電路的工程師也不一定會解題。

所以不必被這些圖嚇著，在實際應用中，更多的，三極管被用來作為邏輯，或者驅動電路，那么更多的是了解其開關特性就足夠了。今天來講一個在實際案例中使用的比較多的一個場景，就是三極管作為mosfet的驅動電路：

先放一張Pmos的圖，以便方便對應下面應用的圖中各個極的名稱。好的，然后我們直接跳到下面這個實際電路中（假設M1是PMOS）R1這里畫的有問題請忽略那一條線。

先大致看一下這個電路的邏輯。當三極管Q1的基極驅動為低電平，Q1不導通，PMOS M1的Vgs沒有電壓差，M1右側無電壓；當三極管Q1的基極驅動為高電平，Q1導通，PMOS的Vgs接近-12V，M1導通，右側為V2輸入電壓12V。當然順便寫一下Pmos導通的條件，我知道很多人都不會記得：

PMOS（P型金屬氧化物半導體場效應管）導通的條件是其柵極電位低于源極電位，形成正向偏置，使得溝道中形成一個可導電的電子通道，從而形成漏極-源極導通的通路。當PMOS的柵極電位低于源極電位一定的閾值電壓時，漏極-源極通路的電阻會顯著降低，PMOS器件就開始導通了。（哪個是柵極，源極，漏極對照上面的圖）

理解了原理，我們更進一步，如何給電阻電容取值。

先看連接Pmos gate的

R2：對于Pmos來說，gate上的阻抗很大，所以R2可以選擇較大的電阻，這里流過它的電流無論如何都很低。

R3：選擇10K，經驗法則，當三極管導通時，流過它的電流為12/10K=1.2mA. 這里需要返回去查三極管的手冊，2N3904查到電流放大倍數大約在80左右，所Ib=1.2mA/80=15uA。

R1：根據Ib的電流就很容易算出R1的阻值，假設三極管的驅動電壓為3.3V，那么R1就為（3.3-0.7）/15uA=173K。

我們上面剛剛說過，多數三極管的應用，我們根本不會用到其放大區的功能。