，快速切換能力和非常好的熱穩(wěn)定性，因此可以滿足所有這些要求，但是由于成本高，這些器件并未廣泛用于開(kāi)發(fā)轉(zhuǎn)換器[4]。SiC MOSFET的成本是其兩倍，但與Si IGBT相比，它的高電流范圍是其8倍。為了減少成本問(wèn)題，現(xiàn)在的重點(diǎn)是混合Si和SiC器件。在[5]中，介
2021-03-22 13:00:16
3753 
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
Si整流器與SiC二極管：誰(shuí)會(huì)更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問(wèn)題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過(guò)目前ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
半導(dǎo)體的測(cè)試方法，其可靠性試驗(yàn)結(jié)果如下。從結(jié)果可以看出，ROHM的SiC-MOSFET具有足夠的可靠性。關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHM的SiC-MOSFET與已經(jīng)普及的Si-MOSFET具有相同的可靠性。
2018-11-30 11:30:41
，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET導(dǎo)通電阻更低，晶體管數(shù)得以從8個(gè)減少到4個(gè)。關(guān)于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET時(shí)的結(jié)果最理想，無(wú)論哪種SiC-MOSFET的效率均超過(guò)Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
需要談到在半導(dǎo)體中移動(dòng)的電子和空穴。先通過(guò)波形圖來(lái)了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復(fù)特性的不同。右側(cè)波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復(fù)時(shí)的電流和時(shí)間。從波形圖可見(jiàn)紅色
2018-11-29 14:34:32
-SBD，右下圖是這兩種損耗的情況。trr越快VF越低，綜合損耗越小。Si-FRD是trr越快，VF反而增加。而第2代SiC-SBD在保持傳統(tǒng)SiC-SBD高速trr的基礎(chǔ)上，將VF從1.5V降低到1.35V。在
2018-11-30 11:52:08
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開(kāi)始
2018-11-29 14:35:50
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
SiC-SBD的VF升高，可使電流平衡。因此SiC-SBD從可并聯(lián)連接二極管的角度看具有優(yōu)勢(shì)。反之需要注意的是抗浪涌電流性能IFSM遜于Si- FRD這一點(diǎn)。－能否請(qǐng)您對(duì)前面的說(shuō)明做一個(gè)總結(jié)？首先，SiC是非
2018-12-03 15:12:02
當(dāng)從APROM切換到LDROM執(zhí)行程序更新時(shí)，或者在ISP（系統(tǒng)編程）過(guò)程中從LDROM切換到APROM執(zhí)行應(yīng)用程序時(shí)，應(yīng)該使用什么軟件重置？
2020-12-08 06:07:24
我最近將框架從 Arduino 切換到了 ESP IDF。我一直在努力實(shí)現(xiàn)我的 w5500 SPI_ETH 開(kāi)發(fā)板，因?yàn)橐粋€(gè)簡(jiǎn)單的事實(shí)，即特色示例 ( https://github.com
2023-04-13 07:07:58
從Linkwitz-Riley48切換到Linkwitz-Riley12的時(shí)候，地址就不連續(xù)了。那么“安全加載目標(biāo)地址”應(yīng)該是哪一個(gè)？
2023-11-29 07:30:24
我讓它在帶有 ST25DVK 的 Arduino 上工作，知道我從 ST25DVK 切換到 ST25DVKC 時(shí)遇到問(wèn)題，我可以看到 i2c 從未建立，我想知道因?yàn)?ST25DVKC 有一個(gè)可配置的從屬地址，所以我必須設(shè)置它我。
2022-12-08 06:26:37
本系列僅為記錄工作，開(kāi)發(fā)從STM32F030平臺(tái)切換到RISC-V CSM32RV20。CSM32RV20是南京中科微電子有限公司開(kāi)發(fā)的一款基于RISC-V核的超低功耗MCU芯片，內(nèi)置RISC-V
2021-11-26 06:30:20
servicepack的版本是：servicepack_1.0.0.10.0.bin
用的SDK1.1.0
用TI的開(kāi)發(fā)板可以正常切換到AP模式，但用自己的板子就不能切換到AP模式，程序卡死在
2018-05-14 00:27:34
捕獲一些數(shù)據(jù)。4.嘗試從iNEMO Suit選項(xiàng)進(jìn)入DFU模式。 - 它顯示設(shè)備已切換到DFU模式的消息，但程序''STDFU Tester''和''DfuSe Demonstration'似乎看不到它
2018-09-17 11:47:56
我看ADATE305的datasheet，ADATE同時(shí)具有驅(qū)動(dòng)和比較的功能，我想請(qǐng)問(wèn)一下，如果我從驅(qū)動(dòng)切換到比較的狀態(tài)，是不是要等很長(zhǎng)時(shí)間？？至少要寫(xiě)寄存器把驅(qū)動(dòng)disable或者置成高阻狀態(tài)呢？還是可以不用disable寄存器？
2023-11-20 06:13:54
CC2540，在不斷電的情況下，從機(jī)切換到主機(jī)后，串口就無(wú)法正確發(fā)送數(shù)據(jù)，丟包嚴(yán)重，什么原因呢？（未切換前串口是正常的）
2016-04-26 10:57:26
ESP32上電先跑STA模式，接收到指令后切換AP模式進(jìn)入U(xiǎn)DP服務(wù)接收SSID PASSWORD，寫(xiě)入NVS后再切回STA模式連接AP失敗怎么搞？STA模式下都是從NVS讀取要連接AP的SSID及PSW；從AP切換到STA模式是要重啟么？
2023-03-09 06:22:22
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
低速時(shí)鐘的時(shí)間，還有從內(nèi)部低速時(shí)鐘切換到內(nèi)部高速時(shí)鐘需要多少時(shí)間？
2023-06-26 08:56:29
OSTimeDlyHMSM延時(shí)作用，釋放CPU的使用，將任務(wù)從運(yùn)行態(tài)切換到等待態(tài)，那在UCOSIII例程中LED0點(diǎn)亮使用OSTimeDlyHMSM延時(shí)1秒，CPU切換到任務(wù)led1點(diǎn)亮延時(shí)1秒。這個(gè)時(shí)候LED0不是處在延時(shí)狀態(tài)嗎？還是OSTimeDlyHMSM延時(shí)只是釋放CPU的作用
2020-05-20 08:31:04
labview程序運(yùn)行時(shí)按Tab鍵無(wú)法切換到簇中的元素，只能切換到簇本身？怎么辦？
2015-08-31 09:54:49
我國(guó)“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。
一、 SiC的材料優(yōu)勢(shì)
碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料相較于硅（Si）具有很多優(yōu)勢(shì)，如表1所示：3倍的禁帶寬度，有利于碳化硅器件工作在更高的溫度；10倍
2023-10-07 10:12:26
TI工程師們：1.按照官方的協(xié)議棧自帶的最新的PDF已經(jīng)配置好，燒錄imageA第一次升級(jí)imageB的時(shí)候成功，可以切換，需手動(dòng)復(fù)位才能切換到imageB，無(wú)法自動(dòng)切換，為什么？2.在升級(jí)成
2019-11-04 06:32:33
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
Si-FRD低。SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)從SiC-SBD的這些特征可以看出，替代Si-PND/FRD的優(yōu)勢(shì)是得益于SiC-SBD的“高速性”。??1.trr高速，因此可大幅降低恢復(fù)損耗，實(shí)現(xiàn)高效率??2.同樣
2018-11-29 14:33:47
為0V，另外，外部的PWDN不能控制ADC進(jìn)行關(guān)斷。請(qǐng)問(wèn)ADC從測(cè)試碼模式切換到模擬輸入模式有什么需要配置的嗎？或者內(nèi)部需要激活一些什么？
2023-12-06 07:49:30
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
各位大神你們好，我用鍵陣控制數(shù)碼管顯示，摁第一個(gè)鍵顯示零 第二個(gè)鍵顯示1 依次類推。我發(fā)現(xiàn)個(gè)問(wèn)題第一個(gè)鍵顯示0的時(shí)候正常但是摁第二個(gè)鍵顯示1的時(shí)候數(shù)碼管僅有一點(diǎn)點(diǎn)光基本上看不出來(lái)亮。但是我從別的數(shù)字切換到1的時(shí)候就是正常的 。唯獨(dú)從0切換到1的時(shí)候這樣，而且每次都是這樣。我用的是共陰數(shù)碼管。
2023-10-08 08:15:48
大家好，我是fpga世界的新手，我需要測(cè)試電路板“sp605”。我找不到一個(gè)教程，它解釋了如何從vhdl代碼切換到合成，然后在fpga上加載所有。我閱讀了該工具包的文檔，但唯一的教程涉及在C
2019-06-27 13:25:03
想從windows下切換到Linux，感覺(jué)好難，雖然早有這個(gè)想法，但是真正做起來(lái)后感覺(jué)還是有點(diǎn)難度，主要是命令行的界面感覺(jué)不習(xí)慣。感覺(jué)沒(méi)有了鼠標(biāo)就什么都不會(huì)干了，尤其是在vi下的時(shí)候，連上下左右都不會(huì)了。但是換了vim.tiny后感覺(jué)我又會(huì)用了。
2019-07-05 08:16:23
怎么切換到原來(lái)的模式？top層找不到了
2019-09-16 04:01:56
執(zhí)行下面的語(yǔ)句，一直等待，那么是如何切換到有按鍵掃描的任務(wù)中的呢？這個(gè)函數(shù)中有voidOSSched (void);這個(gè)函數(shù)是可以進(jìn)行上下文切換的，并且在OSSemPend中 OSSched是沒(méi)有在if判斷
2019-07-30 23:31:01
想知道如何在 Model::tick() 中從 A_Screen 切換到 B_Screen。如果有人知道如何，請(qǐng)向我尋求建議。
2023-01-05 07:38:30
CCIR656輸入的功能.從外部輸入多源的轉(zhuǎn)換到LCD上,中小模塊LCD的應(yīng)用加上多視頻格式的轉(zhuǎn)換才能在車用市場(chǎng)或是攜帶型視頻產(chǎn)品上添加更多的功能. 高整合度的視頻轉(zhuǎn)換并且可以與主系統(tǒng)例如ARM或MCU8051
2013-03-12 14:35:10
將調(diào)試控制臺(tái)串口從LinFlex0切換到LinFlex1。然后在系統(tǒng)板上測(cè)試，發(fā)現(xiàn)在BL2階段加載BL31鏡像失敗。進(jìn)一步分析發(fā)現(xiàn)發(fā)送CMD17后，寄存器INT_STATUS（402F_0000h
2023-05-05 12:18:25
我的輸入端電壓有可能是直流電壓也有可能是交流電壓，直流電和交流電的處理電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不同。請(qǐng)問(wèn)，該如何自動(dòng)切換到交流檔和直流檔呢？
2013-09-05 14:50:50
的驅(qū)動(dòng)程序。當(dāng)應(yīng)用程序用程序員下載時(shí)，這很好，但是當(dāng)應(yīng)用程序啟動(dòng)時(shí)，PMP接口的PIN分配不是“切換”到GPIO。現(xiàn)在的任務(wù)是使應(yīng)用程序或引導(dǎo)加載程序在應(yīng)用程序啟動(dòng)時(shí)從PMP模式切換到GPIO。引導(dǎo)加載
2019-03-22 10:01:06
你好！?。?！當(dāng)我從XC32 V1.44切換到V2.XX時(shí)，是否需要對(duì)代碼進(jìn)行更改？我在哪里可以閱讀v2.xx vs v 1.xx的更改的完整列表（不在發(fā)布說(shuō)明中）。在XC32 v2.05發(fā)布之后，我在某個(gè)地方看到這樣的信息，但是現(xiàn)在我找不到了。非常感謝。
2020-03-26 09:32:53
大家好，我正在使用STM8l052R8 MCU。我正在嘗試將時(shí)鐘從HSI切換到LSI，但我不能。這是我的代碼：{CLK_DeInit（）; // deinitiate clock
2018-10-23 16:46:36
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
”是條必經(jīng)之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經(jīng)迫在眉睫?！肮β试骷睆V泛分以下兩大類：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”。二是“碳化硅（SiC）功率元器件”，與Si半導(dǎo)體相比
2017-07-22 14:12:43
勵(lì)磁電流ILM開(kāi)始在死區(qū)時(shí)間內(nèi)對(duì)低側(cè)晶體管的輸出電容放電。在狀態(tài)2時(shí)，寄生輸出電容完全放電，GaN功率晶體管通過(guò)2DEG通道從源極到漏極以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一個(gè)固有的雙極
2023-02-27 09:37:29
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
可能陷入熱失控狀態(tài)。而SiC-SBD隨著溫度升高，VF變高，不會(huì)熱失控。但是VF上升，因此IFSM比Si-FRD低。SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)從SiC-SBD的這些特征可以看出，替代Si-PND/FRD
2019-07-10 04:20:13
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開(kāi)發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
我看ADATE305的datasheet，ADATE同時(shí)具有驅(qū)動(dòng)和比較的功能，我想請(qǐng)問(wèn)一下，如果我從驅(qū)動(dòng)切換到比較的狀態(tài)，是不是要等很長(zhǎng)時(shí)間？？至少要寫(xiě)寄存器把驅(qū)動(dòng)disable或者置成高阻狀態(tài)呢？還是可以不用disable寄存器？
2018-08-18 07:46:44
麥克風(fēng)從正常模式切換到睡眠模式的時(shí)鐘頻率是多少？以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 What is the clock frequency where the mics switch from normal mode to sleep mode?
2018-11-06 10:25:31
TI工程師，您好。我想通過(guò)rfWakeOnRadioRx模式直接切換到rfPacketRx，在接受處理完成后，再切換到rfWakeOnRadioRx模式，請(qǐng)問(wèn)該如何操作。目前我做的是不到RTOS的。謝謝！
2018-05-15 10:31:58
藍(lán)寶石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED襯底材料的選用比較
對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應(yīng)該采用
2009-11-17 09:39:204932 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
在這段視頻中，Nick Difiore解釋了Xilinx FPGA的功能如何允許從機(jī)械顯示切換到電子顯示。
2018-11-30 06:16:002503 直到最近，功率模塊市場(chǎng)仍被硅（Si）絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）把持。需求的轉(zhuǎn)移和對(duì)更高性能的關(guān)注，使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用，這就帶來(lái)了 SiC 基功率器件的應(yīng)運(yùn)而生。
2019-11-08 11:41:5317040 Google會(huì)發(fā)出警告，提醒用戶切換到Chrome瀏覽器安全使用擴(kuò)展?，F(xiàn)在看來(lái)，Chrome 網(wǎng)絡(luò)商店并不是谷歌展示彈出窗口要求用戶切換到 Chrome 的唯一地方。
2020-02-24 10:11:021678 
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
如果用戶在傳統(tǒng)桌面上，想要切換到vivox60的OS系統(tǒng)，具體操作就是打開(kāi)手機(jī)，在手機(jī)桌面上找到變形金剛，點(diǎn)擊打開(kāi)，然后點(diǎn)擊頁(yè)面右下角的OS系統(tǒng)圖標(biāo)，切換進(jìn)入。
2021-02-18 16:44:3821502 LTC4416演示電路-PowerPath自動(dòng)從備用電源切換到備用電源
2021-06-07 08:33:00
37 。在接受《半導(dǎo)體工程》采訪時(shí)，Veliadis詳細(xì)介紹了SiC制造工藝和Si工藝的差異的一些要點(diǎn)。 Etch蝕刻工藝。SiC在化學(xué)溶劑中呈現(xiàn)惰性，只有干法蝕刻可行。掩膜材料、掩膜蝕刻的選擇、混合氣體
2022-08-19 16:53:301022 從 NCP1631 切換到 NCP1632 驅(qū)動(dòng)的交錯(cuò)式 PFC
2022-11-14 21:08:3711 關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:18705 
從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57736 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 如果說(shuō)要在16bit定點(diǎn)環(huán)境上使用DSP算法，如IIR構(gòu)成的2P2Z，會(huì)受到定點(diǎn)編程和量化精度的問(wèn)題。如果說(shuō)在float32環(huán)境上可以很容易進(jìn)行編程，那切換到定點(diǎn)環(huán)境上就不得不得考慮這些問(wèn)題。
2023-05-02 14:23:00738 
作者簡(jiǎn)介作者：UweJansen翻譯：陳子穎在過(guò)去的幾年里，碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件，特別是SiCMOSFET，已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動(dòng)車
2023-03-31 10:51:34293 
例子, 加入你是微博項(xiàng)目負(fù)責(zé)人員, 現(xiàn)在新版本較原來(lái)的老版本有很大的改變, 這設(shè)計(jì)到服務(wù)架構(gòu)、前端UI等等, 經(jīng)過(guò)測(cè)試功能沒(méi)有障礙, 那么這時(shí)候如何讓用戶切換到新的版本呢? 顯而易見(jiàn), 第一次發(fā)布的應(yīng)用是沒(méi)有所謂的這個(gè)問(wèn)題的, 這種如何
2023-06-25 14:45:22330 
我們從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開(kāi)始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
在Linux中，可以通過(guò)以下步驟切換到命令行模式： 打開(kāi)終端?？梢栽趹?yīng)用菜單中找到終端或命令行終端。 在終端中輸入命令“exit”或“l(fā)ogout”，然后按回車鍵。 系統(tǒng)會(huì)提示您輸入管理員密碼。輸入
2023-11-13 16:47:50633 Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C的溫度下工作，而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11490 
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。
2023-12-11 11:29:35196 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論