2020全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會 展會主題：“芯”動力 新發(fā)展一、時間、地點、規(guī)模時間：2020年5月7日-9日地點：重慶國際博覽中心展會規(guī)模：展示面積30000㎡，參展企業(yè)達500家,專業(yè)觀眾
2019-12-10 18:20:16
半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導(dǎo)體在過去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
我國科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)的不同可分為點接觸型和面接觸型兩類。 點接觸型二極管是將一根很細(xì)的金屬觸絲（如三價元素鋁）和一塊半導(dǎo)體（如鍺）熔接后做出相應(yīng)的電極引線，再外加管殼密封而成。其結(jié)構(gòu)圖如圖（a
2021-05-13 07:52:35
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
什么呢？一般固體材料依導(dǎo)電情形可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體及絕緣體。半導(dǎo)體通常采用矽當(dāng)導(dǎo)體，因為化學(xué)元素的矽晶體內(nèi)，每個原子都能貢獻四個價電子，而矽原子內(nèi)部原子核帶有四個正電荷。相鄰原子間的電子對，構(gòu)成了原子間
2018-11-08 11:10:34
在制造半導(dǎo)體器件時，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
不同廠商有不同的應(yīng)用場景，而適合構(gòu)架和解決方案也各不相同，如云側(cè)和端側(cè)處理構(gòu)架的設(shè)計導(dǎo)向差別較大。對于半導(dǎo)體領(lǐng)域，只要市場規(guī)模足夠大，有足夠多的客戶買單，那么就有足夠的動力去做相應(yīng)的硬件定制。下面對以Nvidia和Intel為代表的半導(dǎo)體廠商方案進行論述。
2019-08-09 07:40:59
器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺
2021-05-25 07:46:36
”對越多;在室溫下,“電子—空穴”對少,故電阻率大。2. 摻雜半導(dǎo)體及其特點 (1) N 型半導(dǎo)體:在本征硅或鍺中摻入適量五價元素形成 N 型半導(dǎo)體, N 型半導(dǎo)體中電子為多子,空穴為少子;電子的數(shù)目
2021-05-24 08:05:48
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
請教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體放電管TSS是一種高壓、高速、低電流的電子元件，廣泛用于電力電子、通訊、光電子等領(lǐng)域。本文將從TSS的定義、工作原理、應(yīng)用場景等多個方面進行詳細(xì)介紹，幫助大家更好地了解這一電子元件。接下來
2024-03-06 10:03:11
的電壓下降到一定程度時，PN結(jié)或P-i-N結(jié)的電場會恢復(fù)正常，電流也會停止并恢復(fù)到初始狀態(tài)。三、半導(dǎo)體放電管TSS在電力電子領(lǐng)域中的應(yīng)用TSS廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域中，它被用于開關(guān)變換器、逆變器、直流
2024-03-06 10:07:51
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
閾值叫死區(qū)電壓，硅管約0.5V，鍺管約0.1V。（硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導(dǎo)體材料，硅管較多，鍺管較少）也就是我們在二極管整流得時候理想是，整個周期都是導(dǎo)通的，但是由于死區(qū)電壓的存在，實際上并不是全部導(dǎo)通的，當(dāng)半導(dǎo)體電壓
2021-09-03 07:21:43
作者： Robert GeeMaxim Integrated核心產(chǎn)品事業(yè)部執(zhí)行業(yè)務(wù)經(jīng)理 在半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，管理成本依然是最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)之一，因為自動化測試設(shè)備(ATE)是一項重大的資本支出。那么，有沒有能夠降低每片晶圓的成本，從而提升競爭優(yōu)勢的方法呢？有，答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
、能耗低、電光轉(zhuǎn)換效率高、易于大規(guī)模生產(chǎn)以及價格較低廉等優(yōu)點，在CD激光唱片機、光纖通信、光存儲器、激光打印機等獲得廣泛應(yīng)用，范圍覆蓋了整個光電子學(xué)領(lǐng)域。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和突破，半導(dǎo)體激光器正向發(fā)射波長
2019-04-01 00:36:01
之一摩爾曾在1965年作出預(yù)言：半導(dǎo)體將會得到高速發(fā)展，電子學(xué)會隨之獲得廣泛的普及，滲透到寬廣的應(yīng)用領(lǐng)域中。從半個世紀(jì)之后再往回看，這一預(yù)言早已得到了完美印證。雖然光纖激光器優(yōu)勢市場潛力很大，不過
2019-05-13 05:50:35
半導(dǎo)體具有獨特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時，它們的導(dǎo)電能力 會顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2017-07-28 10:17:42
半導(dǎo)體具有獨特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時，它們的導(dǎo)電能力 會顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2018-02-11 09:49:21
半導(dǎo)體溫差致冷是建立在法國物理學(xué)家Peltien帕爾帖效應(yīng)（即溫差效應(yīng)）基礎(chǔ)上的具體應(yīng)用。當(dāng)電流流經(jīng)兩種不同性質(zhì)的導(dǎo)體形成接點時，其接點會產(chǎn)生放熱和吸熱現(xiàn)象，即其兩端形成溫差而實現(xiàn)制冷和制熱。
2020-04-03 09:02:41
國際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進以后，半導(dǎo)體才得到工業(yè)界的重視。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅則是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。芯片芯片(chip)，又稱微芯片
2020-11-17 09:42:00
` 誰來闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
掙脫束縛，會導(dǎo)致載流子濃度上升，從而打破這個平衡，溫度一定后會再次建立平衡。雜質(zhì)半導(dǎo)體通過擴散工藝，在本征半導(dǎo)體摻入某些元素。一 .N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體加入+5價元素磷，由于加入了最外層為5個電子
2020-06-27 08:54:06
鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，尤其在新一代移動設(shè)備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻
2019-05-28 06:06:21
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
負(fù)有盛名。MACOM公司氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)是第四代，且極具價格優(yōu)勢和廣闊的應(yīng)用前景。2017 電子設(shè)計創(chuàng)新大會展臺現(xiàn)場Demo關(guān)于MACOM據(jù)悉，MACOM是一家高性能模擬射頻、微波和光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 在純凈的電子發(fā)燒友體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2016-10-14 15:11:56
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
物理形狀的東西，比如說具有立方體形狀的啊等等，這個特性再加上這個半導(dǎo)體是純凈的無雜質(zhì)那它就是本征半導(dǎo)體了。在化學(xué)周期表中通常具有正四價的物質(zhì)那就可以當(dāng)作半導(dǎo)體來用了比如說硅鍺等，它們的原子結(jié)構(gòu)的最外層
2011-03-26 20:36:16
構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對硅、錫的研討比擬早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體資料，容易遭到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)作變化。目前，只要硅、鍺性能好，運用的比擬廣，硒在電子照明和光電范疇中應(yīng)用。硅在
2020-03-26 15:40:25
、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 編輯
為什么就不能在半導(dǎo)體中摻雜四價元素或六價元素？
2012-11-25 13:30:00
5倍的晶體管速度。硅仍然是最廣泛使用的半導(dǎo)體材料，然而，鍺砷化物是專門用于高速，非常大規(guī)模集成電路(VLSI)設(shè)計。鍺還被用于某些用途。這三種材料---- 硅、鍺和砷化鎵---- 是最常用的半導(dǎo)體材料
2022-04-04 10:48:17
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
正方形子組件可能僅包含一種半導(dǎo)體材料或多達整個電路，例如集成電路計算機處理器。劃刻并切割用于生產(chǎn)電子元件（如二極管
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
芯片和cpu制造流程芯片芯片屬于半導(dǎo)體，半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類物質(zhì)。元素周期表中的硅、鍺、硒的單質(zhì)都屬于半導(dǎo)體。除了這些單質(zhì)，通過摻雜生成的一些化合物，也屬于半導(dǎo)體的范疇。這些化合物在
2021-07-29 08:32:53
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
安森美半導(dǎo)體已成為主要汽車半導(dǎo)體技術(shù)的一個全球領(lǐng)袖。 安森美半導(dǎo)體是自動駕駛系統(tǒng)的圖像傳感器、電源管理和互通互聯(lián)領(lǐng)域的一個公認(rèn)的佼佼者。此外，公司的廣泛電源方案組合，包括模塊和碳化硅（SiC）/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
半導(dǎo)體來說更重要，因為這將是公司最近收購Fairchild半導(dǎo)體以來的首次展示。即使在行業(yè)氣候中，通過收購來合并正成為一種常見路線，而安森美半導(dǎo)體擴展的業(yè)務(wù)中，中高壓器件領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容大大增強，令公司在
2018-10-23 09:14:38
全球汽車市場發(fā)展整體向好，汽車中的半導(dǎo)體含量將持續(xù)增長，尤其是動力系統(tǒng)、照明、主動安全和車身應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車推動汽車動力系統(tǒng)中半導(dǎo)體成分增高約5倍。燃油經(jīng)濟性、先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂系統(tǒng)，以及占全球汽車銷售比例50%以上的新興市場，推動全球汽車半導(dǎo)體市場同比增長7%。
2020-05-04 06:30:06
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
`砷化鎵GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍，非常適合
2016-09-15 11:28:41
行業(yè)的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生，它不僅揭示了信息技術(shù)進步的速度，更在接下來的半個實際中，猶如一只無形大手般推動了整個半導(dǎo)體行業(yè)的變革。
2019-07-01 07:57:50
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
群“芯”閃耀的半導(dǎo)體行業(yè)行業(yè)全接觸——電子技術(shù)與半導(dǎo)體行業(yè) 半導(dǎo)體半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。主要的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵、硅鍺復(fù)合材料等。半導(dǎo)體器件可以通過結(jié)構(gòu)和材料上
2008-09-23 15:43:09
模擬電子復(fù)習(xí)總結(jié)（一）：半導(dǎo)體二極管一、半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有
2019-07-10 19:15:30
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達到動態(tài)平衡。8、N型半導(dǎo)體是在硅或鍺的晶體中摻入磷（或其他五價元素），半導(dǎo)體中的自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，也稱作電子半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2016-10-07 22:07:14
知識點1：導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體電阻率半導(dǎo)體的電阻率為10-3～10-9 歐.cm。 典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。導(dǎo)體是相對的。知識點2：本征半導(dǎo)體——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體。制造
2020-01-08 10:52:03
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
，有望占據(jù)主要市場份額；在其他對輸出功率要求相對較低的領(lǐng)域，將形成GaAs和GaN共同主導(dǎo)的格局?，F(xiàn)階段在整個射頻市場，LDMOS、GaAs和GaN幾乎三分天下，但未來LDMOS的市場份額會逐漸縮小
2019-04-13 22:28:48
和電池就好比是人的心臟。而功率器件就好比是人的血液和神經(jīng)系統(tǒng)。而三代半導(dǎo)體就是在這個領(lǐng)域在未來取代部分的硅器件為整個系統(tǒng)提供更加優(yōu)良的解決方案的核心材料。經(jīng)過幾十年的發(fā)展，硅材料已經(jīng)接近完美晶體，對于
2017-05-15 17:09:48
或是數(shù)字錄音機當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體
2020-04-22 11:55:14
有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導(dǎo)電性差的材料，如煤
2020-02-18 13:23:44
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布著11種具有半導(dǎo)性的元素，下表的黑框中即這11種元素半導(dǎo)體，其中C表示金剛石。C、P、Se具有絕緣體與半導(dǎo)體兩種形態(tài);B、Si、Ge、Te具有半導(dǎo)性；Sn、As、Sb具有半導(dǎo)體與金屬兩種形態(tài)。P的熔點與沸點太低，Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解，所以它們的實用價值不大。
2018-03-08 10:47:18
27358 
在電子學(xué)領(lǐng)域中，半導(dǎo)體扮演著至關(guān)重要的角色。然而，為何它們被稱為“半導(dǎo)體”而不是“全導(dǎo)體”呢？本文將詳細(xì)探討半導(dǎo)體的定義、特性及其應(yīng)用，以揭示這一命名背后的奧秘。
2023-12-08 11:01:59547 
半導(dǎo)體材料是一種在電子行業(yè)中使用廣泛的材料，在元素周期表中它們的位置屬于一些特定的元素群。半導(dǎo)體材料的特殊性使其成為電子設(shè)備制造中不可或缺的材料之一。本文將詳盡地探討半導(dǎo)體材料在元素周期表中的位置
2024-01-15 16:55:19666
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