(2018 年左右),就會有一些射頻技術實現(xiàn)商業(yè)化應用。射頻器件在消費電子及軍工產(chǎn)業(yè)都有著至關重要的應用,產(chǎn)業(yè)資本及國家大基金的重視程度將與日俱增。在各方資本的助力下,國***頻器件行業(yè)將迎來新一輪行業(yè)大發(fā)展機遇。
2019-06-24 06:32:07
,在產(chǎn)業(yè)化方面優(yōu)勢明顯。氧化鎵性能優(yōu)勢顯著,但仍存在明顯短板和應用瓶頸。氧化鎵熱導率僅為碳化硅的十分之一,是硅的五分之一。這也就意味著以氧化鎵為材料基礎的半導體器件存在著很大的散熱難題,業(yè)界也一直在
2023-03-15 11:09:59
的大多數(shù)器件不可避免要問的一個問題,而且通常問的是無源器件,比如濾波器、耦合器和天線。但隨著微波真空管(如行波管(TWT))和核心有源器件(如硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管和氮化鎵
2019-06-21 07:43:10
寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅(Si)和第二代化合物半導體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說,相比LDMOS硅技術而言,GaN這一材料技術,大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值,表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值, 硅技術的約翰遜優(yōu)值僅為1, GaN最高,為324。而GaAs,約翰遜優(yōu)值為1.44??隙ǖ卣f,GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
,傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限,使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告,該技術能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
硬件和軟件套件有助加快并簡化固態(tài)射頻系統(tǒng)開發(fā)經(jīng)優(yōu)化后可供烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點火系統(tǒng)的商業(yè)制造商使用系統(tǒng)設計人員能夠以LDMOS的價格充分利用硅基氮化鎵性能的優(yōu)勢在IMS現(xiàn)場
2017-08-03 10:11:14
失真(DPD)來修正,但實踐表明,碳化硅基氮化鎵器件實現(xiàn)DPD優(yōu)化相當困難。碳化硅中的電荷捕獲效應被認為是由于其硅結構中的晶格 缺陷所致,最終導致功率放大器的線性化困難MACOM氮化鎵的功率密度是裸片
2017-08-30 10:51:37
`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM在射頻微波領域經(jīng)驗豐富,該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達的磁控管,后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件(例如砷化鎵GaAs)。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
MSC Mvsion Materials DATABANKS v2001 Q2 1CD(商業(yè)化的材料數(shù)據(jù)信息系統(tǒng)) 電 話:***客 服 QQ
2016-02-29 16:59:45
MIPS指令集與OpenHarmony 在帶屏設備上的商業(yè)化應用演講PPT資料免費下載,有需要的朋友自取~
2023-04-21 17:06:36
參閱 英特爾? OpenVINO?分銷許可第 2.1 節(jié)(2021 年 5 月版本)。
無法了解英特爾? 發(fā)行版 OpenVINO? 工具套件是否可以商業(yè)化使用。
2023-08-15 08:19:20
微波/射頻設計中正確的熱管理需從仔細選擇電子材料開始,而印刷電路板(PCB)又是這些材料中最重要的一種。在大功率、高頻率的電路(如功放)中,熱量可能在放大器中的有源器件周圍積聚起來。為了防止器件結點
2019-08-29 06:25:43
蘇試宜特實驗室通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度,直接掰開看斷面,這樣準確嗎?通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度,如果是玻璃或陶瓷這樣直接掰開看斷面是可以的;如果是金屬材料可能在切割時,樣品結構發(fā)生變化就不行了,所以要看是什么材料的氧化層。
2021-09-30 18:45:38
介紹 閱讀本文的任何人都不太可能不熟悉絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。這種破壞性功率晶體管于20世紀80年代初首次商業(yè)化,對電力電子行業(yè)產(chǎn)生了巨大的積極影響,實現(xiàn)了創(chuàng)新的轉換器設計,提高了系統(tǒng)
2023-02-27 13:48:12
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應用。帶有氮化硅的保護層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護級別。產(chǎn)品型號:TGF2040產(chǎn)品名稱:砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2160適合高效率的應用。產(chǎn)品型號:TGF2160產(chǎn)品名稱:砷化鎵晶體管TGF2160產(chǎn)品特性頻率范圍:直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
第一章 java的IO演進之路
2019-07-24 16:53:15
摘要: 日前,阿里巴巴中間件(Aliware)旗下產(chǎn)品業(yè)務實時監(jiān)控服務ARMS正式商用。首發(fā)商用的ARMS目前涵蓋應用監(jiān)控和前端監(jiān)控兩大功能。由此,ARMS的商業(yè)化正式填補了阿里云在APM
2018-03-14 11:30:22
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
的設計和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計,如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級為使用氮化鎵功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV,而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度,耗盡區(qū)窄短,從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。例如,一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管,可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
(SiC)和氮化鎵(GaN)是功率半導體生產(chǎn)中采用的主要半導體材料。與硅相比,兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流,從而可以提高半導體工作溫度。此外,SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進的電源轉換拓撲結構,從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位?!喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比,氮化鎵器件輸出的功率更大;與LDCMOS和碳化硅(SiC)等功率工藝相比,氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優(yōu)勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價格優(yōu)勢,實單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1:NV6127絲?。篘V6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
系統(tǒng)集成商,因此他們發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)的積極性會更高?! ∷拇筮\營主體現(xiàn)狀分析物聯(lián)網(wǎng)商業(yè)化之路 一、設備制造商 物聯(lián)網(wǎng)設備制造商能夠生產(chǎn)出看得見的產(chǎn)品,如傳感器、射頻卡、芯片等,用戶可以通過相關產(chǎn)品或業(yè)務
2015-03-20 12:52:05
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導體器件,其性能僅為碳化硅(SiC)的70%左右。本文對10kW LLC轉換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進行基準測試,該轉換器也常用于高效電動汽車充電
2023-02-21 16:27:41
砷化鎵的功率管資料上都給出了三階交調(diào),可以根據(jù)資料選擇器件,但是氮化鎵功率管都沒給出三階的曲線,我先問一下大家一般經(jīng)驗值是什么樣的曲線?
2020-09-27 09:51:14
砷化鎵晶圓代工廠。
公司主要從事砷化鎵微波集成電路(GaAs MMIC)晶圓之代工業(yè)務,提供HBT、pHEMT微波集成電路/離散組件與后端制程的晶圓代工服務,應用于高功率基站、低噪聲放大器(LNA
2019-05-27 09:17:13
摘要: 阿里云數(shù)據(jù)管理DMS企業(yè)版,作為數(shù)據(jù)管理產(chǎn)品大家族里的新成員,于2017年11月開啟公測,今年1月底正式發(fā)布商業(yè)化版本。 作為業(yè)界領先的面向企業(yè)的數(shù)據(jù)庫DevOps解決方案,DMS企業(yè)版旨在
2018-01-30 14:07:46
鎵器件大約在2015年推出市場,與具有相同導通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比,其價格更低 。從那時起,產(chǎn)量繼續(xù)提升、氮化鎵器件的價格持續(xù)下降、氮化鎵技術不斷改進和芯片進一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47
要求很嚴苛的車載設備上。印象中的Sic應該運用于大功率的特殊應用上的,但是實際上,它卻是在我們身邊的應用中對節(jié)能和小型化貢獻巨大的功率元器件。③“數(shù)說”碳化硅碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。SiC
2017-07-22 14:12:43
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環(huán)保:由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成,氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量,比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上,基于氮化鎵的充電器,從制造和運輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡,只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
`從研發(fā)到商業(yè)化應用,氮化鎵的發(fā)展是當下的顛覆性技術創(chuàng)新,其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響,并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導體技術無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導體供應商,提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案,并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進行新產(chǎn)品開發(fā),用于汽車功能電子化和HEV/EV應用。
2019-07-23 07:30:07
用labview做的商業(yè)化軟件,是不是沒賣一臺設備就要購買1次labview。每次開發(fā)新的軟件就要購買labview,還是只要買一次以后再也不用購買。我有個朋友用的力控軟件,每次都要重新購買,我覺得有點不可思議。我不懂labview,身邊也沒有人懂。這位路過的大俠,煩勞您稍作停留,幫兄弟解決一個問題。
2014-10-31 14:48:50
它能處理多大的功率?這是對發(fā)射機中的大多數(shù)元件不可避免要問的一個問題,而且通常問的是無源元件,比如濾波器、耦合器和天線。但隨著微波真空管(如行波管(TWT))和核心有源器件(如硅橫向擴散金屬氧化
2019-06-21 08:03:27
SiC器件的50%至70%??捎眯?–砷化鎵作為一種材料已經(jīng)在射頻應用中廣泛使用,是世界上第二大最常用的半導體材料。由于其廣泛使用,它可以從多個來源獲得,其制造工藝類似于硅。這些因素都支持該技術的低成本
2023-02-22 17:13:39
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
穩(wěn)定的化合物,具有強的原子鍵、高的熱導率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是最高的、化學穩(wěn)定性好,使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更強抗輻照能力,同時GaN又是高熔點材料,熱傳導率高,GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
商業(yè)化,但大規(guī)模商用尚需時日。但在高端的如高速列車、風力發(fā)電以及智能電網(wǎng)已經(jīng)部分的開始使用SiC產(chǎn)品。GaN和SiC產(chǎn)品作為功率器件和高頻器件,在逐步步入成熟期;但在其他領域,如固態(tài)紫外器件、激光探測等
2017-02-22 14:59:09
的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅更是各種半導體材料中,在商業(yè)應用上最具有影響力的一種?! “雽w材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2016-11-27 22:34:51
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模,有可能實現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
請問一下VGA應用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面?
2021-05-21 07:05:36
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
進的氮化鎵值?! ?015年,在測量功率開關的Ec時,我們還推測,同樣地在更小的器件中允許更高的電場,氧化鎵可能會在射頻電路中取得類似成功。不過那時我們?nèi)鄙僖粋€關鍵信息,即還沒有關于材料中的電子速度與電場
2023-02-27 15:46:36
量子計算,夢幻概念走進現(xiàn)實,那如果走向商業(yè)化呢?量子計算的概念起源于20世紀80年代,量子物理學蓬勃發(fā)展引發(fā)了量子計算的概念。利用量子物理學來重構計算機系統(tǒng),思考量子算法的理念不僅在當時,在今天
2019-05-24 06:26:24
摘要: 2017年12月20日云棲大會北京峰會,阿里云宣布其一站式企業(yè)協(xié)同研發(fā)云產(chǎn)品——云效公共云版本正式進入商業(yè)化服務階段,同時云效還發(fā)布了三大新功能模塊:跨團隊聯(lián)合作戰(zhàn)的項目集、多維度測試服務
2017-12-25 12:02:35
應用。 “不同類型的應用層出不窮,”Steve說,“我們以無人機為例。目前,無人機的應用領域主要是滿足人們業(yè)余愛好的需要,但是有了GaN后,我們也許能夠?qū)⑺鼈冇糜诟?b class="flag-6" style="color: red">商業(yè)化和工業(yè)化的應用?!标P鍵是電池
2018-08-30 15:05:50
電池材料之——氧化鈷
2009-10-21 15:08:08
793 回到2010,我們首先聽說了一個被稱為機器人通用干擾夾的智能裝置。它的商業(yè)終端由一個充滿咖啡渣的派對氣球組成,它可以圍繞不同大小和形狀的物體形成一個安全的抓地力?,F(xiàn)在,這個裝置已經(jīng)商業(yè)化了,盡管它包含了比氣球和咖啡更高的技術材料。
2018-04-30 20:02:00
1466 SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:41
9257 
AI 商業(yè)化導讀:每一次技術革命,都帶來全新的商業(yè)機會?;ヂ?lián)網(wǎng)的出現(xiàn),本質(zhì)上解決了效率和鏈接的問題,外賣、社交、打車,都搭上了互聯(lián)網(wǎng)更便捷、更高效的快車。AI 的爆發(fā),企業(yè)要怎樣才能趕上AI 商業(yè)化的浪潮呢?今天,AI 君和各位一起探討。
2018-08-15 16:38:50
5 據(jù)麥姆斯咨詢報道,誕生于牛津大學的一家初創(chuàng)公司Oxford HighQ有望實現(xiàn)量子計算技術元器件的商業(yè)化,這種技術最終可以改善現(xiàn)有下游診斷設備。
2018-11-26 14:37:30
2665 據(jù)麥姆斯咨詢報道,誕生于牛津大學的一家初創(chuàng)公司Oxford HighQ有望實現(xiàn)量子計算技術元器件的商業(yè)化,這種技術最終可以改善現(xiàn)有下游診斷設備。
2018-11-30 17:01:33
2553 自動駕駛測試目前正在如火如荼地進行著,但就如所有新生事物一樣,自動駕駛商業(yè)化落地的過程并不一帆風順。
2018-12-07 11:04:07
3168 西安電子科技大學微電子學院周弘副教授總結了目前氧化鎵半導體功率器件的發(fā)展狀況。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質(zhì)量外延層生長、高性能二極管以及場效應晶體管的研制進展。同時對氧化鎵低熱導率特性的規(guī)避提供了可選擇的方案,對氧化鎵未來發(fā)展前景進行了展望。
2019-01-10 15:27:10
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作為人工智能技術的一個分支,步態(tài)識別的商業(yè)化有望進入快車道。
2019-09-24 11:33:31
555 雖然目前主要使用石墨作為商業(yè)化鋰離子電池的負極材料,但是,納米氧化鎢基材料已經(jīng)躋身成為下一代鋰離子電池負極材料領域研究的熱點。
2020-07-13 09:22:53
1059 雖然目前主要使用石墨作為商業(yè)化鋰離子電池的負極材料,但是,納米氧化鎢基材料已經(jīng)躋身成為下一代鋰離子電池負極材料領域研究的熱點。
2020-07-14 09:00:30
873 IonQ計劃將量子計算商業(yè)化,而彼得·查普曼(Peter Chapman)有望實現(xiàn)這一目標。
2021-01-17 11:30:23
2616 芯旺微電子FAE總監(jiān)盧恒洋受邀出席活動現(xiàn)場,并發(fā)表《芯旺車規(guī)芯片的商業(yè)化進程》主題演講。
2021-09-26 17:11:51
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中山大學電子與信息技術學院林佑昇副教授團隊近日在Electronics期刊上發(fā)表了一篇綜述文章,研究并評估了利用靜電驅(qū)動(ESA)、電熱驅(qū)動(ETA)、電磁驅(qū)動(EMA)和彈性拉伸驅(qū)動等機制的MEMS可調(diào)控超材料的演進。
2022-03-21 16:49:47
1709 隨著以硅材料為基礎的功率器件逐漸接近其理論極限值,利用寬禁帶半導體材料制造的電力電子器件顯示出比Si和GaAs更優(yōu)異的特性,給功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了新的生機。
2022-12-20 10:39:56
788 富鋰層狀氧化物(LLOs)被認為是最有前景的下一代正極材料。但目前為了滿足商業(yè)化的要求,LLOs大多制備成二次球(SSA)的形式。
2023-02-01 09:04:10
1655 關注、 星標公眾 號 ,不錯過精彩內(nèi)容 整理:黃工 來源:艾睿電子元器件 功率器件,也被稱為電力電子器件。簡單來說,就是具有處理高電壓/大電流能力的功率型半導體器件。 由于早期主要用于電力設備的電能
2023-02-16 15:39:25
2 微波半導體器件在微波系統(tǒng)中能發(fā)揮各方面性能,歸納起來,即在微波功率產(chǎn)生及放大,控制、接收三個方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率增益。 進入20世紀90年代后,由于MOCVD(金屬有機化學氣相淀積)和MBE(分子束外延)技術的發(fā)展,以及化合物材料和異質(zhì)結工藝的日趨成熟
2023-02-16 16:27:37
1025 第三代半導體功率器件的理想材料,可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:23
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關鍵詞:5G材料,高導熱絕緣材料,新能源,低介電材料,氮化硼材料導語:隨著功率器件向微型化、集成化快速發(fā)展,其產(chǎn)生的功率密度隨之顯著增加,對散熱技術也提出了更高的要求。熱界面材料用于填充固體界面
2022-11-04 09:50:18
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如今,我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中,功率轉換起著至關重要的作用。
2023-08-10 09:42:48
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UWB在2002年被放寬到民用領域,經(jīng)歷了持續(xù)的標準和技術演進之后,UWB在2010年以前的商業(yè)化進程曾一度陷入困局。
2023-11-03 16:21:25
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從盤中孔到真空塞孔,線路板樹脂塞孔技術的演進之路
2024-02-25 09:17:07
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