化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
微波是指波長在1mm~1000mm頻率在300MHz-300GHz范圍之間的電磁波，因?yàn)樗牟ㄩL與長波、中波和短波相比來說，要“微小”得多，所以稱之為“微波”。工作在微波波段（頻率為300
2018-02-08 14:07:30
微波器件的薄膜化過程中會(huì)遇到很多的技術(shù)難點(diǎn)，本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術(shù)難點(diǎn)為例來分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個(gè)性的技術(shù)難點(diǎn)。
2019-06-26 08:09:02
多年來，微波器件公司一直為諸如核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)等醫(yī)療成像應(yīng)用提供器件。雖然成像應(yīng)用繼續(xù)提供了堅(jiān)實(shí)的機(jī)會(huì)，但許多其它醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域也開始為無線微波和射頻技術(shù)敞開了大門。例如，遠(yuǎn)程監(jiān)控支持病人
2019-08-08 06:49:31
多年來，微波器件公司一直為諸如核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)等醫(yī)療成像應(yīng)用提供器件。雖然成像應(yīng)用繼續(xù)提供了堅(jiān)實(shí)的機(jī)會(huì)，但許多其它醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域也開始為無線微波和射頻技術(shù)敞開了大門。例如，遠(yuǎn)程監(jiān)控支持在病人
2019-07-29 07:55:51
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程，接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
技術(shù)時(shí)經(jīng)常用到“變革性”一詞，考慮到這些技術(shù)對日常生活的深遠(yuǎn)影響時(shí)，確實(shí)如此。在本篇文章中，我們將評估氮化鎵微波射頻在醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域的前景，基于氮化鎵的射頻設(shè)備將在全球范圍內(nèi)提高醫(yī)生挽救生命的能力并改善
2017-12-27 10:48:11
提到雷達(dá)，大家印象里就會(huì)浮現(xiàn)出用于軍事探測領(lǐng)域的雷達(dá)技術(shù)。隨著時(shí)間的不斷發(fā)展，已從軍用過渡到民用市場，直到今天，雷達(dá)已成為親民化產(chǎn)品，微波雷達(dá)技術(shù)是紅外線、激光、超聲波技術(shù)的有力競爭者，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛
2021-08-23 15:54:54
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化鎵作為一種材料已經(jīng)在射頻應(yīng)用中廣泛使用，是世界上第二大最常用的半導(dǎo)體材料。由于其廣泛使用，它可以從多個(gè)來源獲得，其制造工藝類似于硅。這些因素都支持該技術(shù)的低成本
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點(diǎn)定位，尋找亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
°C常規(guī)芯片F(xiàn)HC30LG砷化鎵晶體管FHC40LG砷化鎵晶體管FHX04LG砷化鎵晶體管FHX04X砷化鎵晶體管FHX06X砷化鎵晶體管FHX13LG砷化鎵晶體管FHX13X砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:21:24
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 編輯
FHX45X 砷化鎵功率管產(chǎn)品介紹FHX45X詢價(jià)熱FHX45X現(xiàn)貨王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
?無外部匹配?針對每個(gè)頻段進(jìn)行了優(yōu)化筆記Tc（op）= + 25°CELM5964-16F砷化鎵場效應(yīng)管FLM5964-18F砷化鎵場效應(yīng)管FLM5964-25F砷化鎵場效應(yīng)管FLM5964-35F砷化
2021-03-30 12:35:14
`FLM8596-8F砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹FLM8596-8F報(bào)價(jià)FLM8596-8F代理FLM8596-8FFLM8596-8F現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司FLM8596-8F是一種功率
2019-07-10 09:40:09
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
特性 應(yīng)用領(lǐng)域 l 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件l 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)l 1000Ω-2000Ω的較低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)l 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝l 器件盤裝
2013-11-13 10:56:14
和相位測量，低電平直流—交流轉(zhuǎn)換器，無觸點(diǎn)電位器等特性 應(yīng)用領(lǐng)域 l 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件l 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)l 650Ω-850Ω的極低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)l 小型化
2013-11-13 10:54:57
轉(zhuǎn)換器，無觸點(diǎn)電位器等特性 應(yīng)用領(lǐng)域 l 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件l 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)l 1800Ω-3000Ω的較低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)l 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝l 器件
2013-11-13 10:53:33
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果，最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用。”意法半導(dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
` 本帖最后由 MACOM 于 2017-6-6 15:11 編輯
AlGaAs技術(shù)在微波行業(yè)采用能隙工程生產(chǎn)新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)已有二十多年的歷史。利用多量子阱、超晶格和異質(zhì)結(jié)的各種性質(zhì)，已制造出由
2017-06-06 14:37:19
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來越多，價(jià)格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
`SGC1112-100A-R砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGC1112-100A-R報(bào)價(jià)SGC1112-100A-R代理SGC1112-100A-R咨詢熱線SGC1112-100A-R現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠
2018-06-11 14:52:17
SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGC8598-100A-R報(bào)價(jià)SGC8598-100A-R代理SGC8598-100A-R咨詢熱SGC8598-100A-R現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠
2018-08-13 10:20:49
SGK1011-25A砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK1011-25A報(bào)價(jià)SGK1011-25A代理SGK1011-25A咨詢熱SGK1011-25A現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠科技有限SGK1011-25A
2018-08-06 11:41:49
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2018-08-06 11:45:41
SGK1314-30A砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK1314-30A報(bào)價(jià)SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨詢熱SGK1314-30A現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK5254-120A-R報(bào)價(jià)SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨詢熱SGK5254-120A-R現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠
2018-08-13 10:23:05
）5.4Rth Typ。（°C / W）1.3操作模式連續(xù)作業(yè)筆記Tc（op）= + 25°CELM5964-4PS砷化鎵場效應(yīng)管ELM5964-7PS砷化鎵場效應(yīng)管ELM6472-4PS砷化鎵場效應(yīng)管
2021-03-30 12:17:43
）= + 25°CSGC7172-30A砷化鎵晶體管SGC7172-120A砷化鎵晶體管SGC8598-50A-R砷化鎵晶體管SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管SGC8598-200A-R砷化鎵晶體管
2021-03-30 12:28:02
SGM6901VU砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGM6901VU報(bào)價(jià)SGM6901VU代理SGM6901VU咨詢熱SGM6901VU現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠科技有限SGM6901VU是一種高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管SGN26H080M1H砷化鎵
2021-03-30 11:37:49
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護(hù)級別。產(chǎn)品型號：TGF2040產(chǎn)品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2160適合高效率的應(yīng)用。產(chǎn)品型號：TGF2160產(chǎn)品名稱：砷化鎵晶體管TGF2160產(chǎn)品特性頻率范圍：直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
讀者使用。 基于砷化鎵（GaAs）技術(shù)的微波單片集成電路（MMlC）具有體積小、性能優(yōu)越的主要特點(diǎn)，其應(yīng)用越來越廣泛。MMIC應(yīng)用的電子系統(tǒng)有：衛(wèi)星通信、相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)、電子戰(zhàn)、以及其他軍事系統(tǒng)，同時(shí)
2018-01-24 17:52:01
微波技術(shù)最初用于軍事領(lǐng)域，而如今，這種技術(shù)已在商用、工業(yè)、醫(yī)療和汽車領(lǐng)域全面開花結(jié)果。在我們享受微波技術(shù)給我們的生活和生產(chǎn)帶來便利和翻天覆地的變化的同時(shí)，請不要忘記通過改革和發(fā)明，塑造微波產(chǎn)業(yè)的眾多傳奇人物、地方和事件的故事及其卓越貢獻(xiàn)。
2019-08-27 07:49:44
。
在器件層面，根據(jù)實(shí)際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠(yuǎn)超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
制造商正在從傳統(tǒng)的全硅工藝轉(zhuǎn)向用于LNA 的砷化鎵(GaAs) 和用于PA 的氮化鎵(GaN)。本文將介紹什么是LNA和PA？有哪些基本原理？典型的GaAs 和GaN 器件以及在利用這些器件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)牢記哪些事項(xiàng)？
2019-08-01 07:44:46
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時(shí)提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
簡介模擬衰減器在射頻以及微波網(wǎng)絡(luò)方面得到了很廣泛的應(yīng)用。無論是采用砷化鎵微波集成電路（GaAs MMICs）還是采用PIN管的網(wǎng)絡(luò)，它們都是通過電壓來控制射頻信號的功率的。在商業(yè)應(yīng)用中，比如蜂窩電話
2019-07-09 07:03:59
我的霍爾傳感器是砷化鎵，也是一種測量磁場的傳感器，兩個(gè)輸入端，兩個(gè)輸出端。我把十二個(gè)砷化鎵串聯(lián)使用，三個(gè)一組，輸入電流保持在1毫安。每一組測試的時(shí)候，所有的單個(gè)砷化鎵都對磁場有響應(yīng)，但是把四組串聯(lián)
2016-04-23 16:13:19
能水平非常接近SiC。重要的是，這些砷化鎵二極管的成本僅為同等SiC器件的70%左右，這為設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)理想的機(jī)會(huì)，可以在小幅性能降低和顯著成本節(jié)約之間進(jìn)行權(quán)衡。
2023-02-21 16:27:41
砷化鎵的功率管資料上都給出了三階交調(diào)，可以根據(jù)資料選擇器件，但是氮化鎵功率管都沒給出三階的曲線，我先問一下大家一般經(jīng)驗(yàn)值是什么樣的曲線？
2020-09-27 09:51:14
簡介 AKE（旭化成）的HG106A砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件相對于傳統(tǒng)的硅
2013-08-22 16:11:17
特性：1. 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)3. 650Ω-850Ω的極低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝，4,000
2013-06-19 17:00:47
特性：1. 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)3. 1800Ω-3000Ω的較低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝
2013-06-17 17:05:35
特性：1. 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)3. 1000Ω-2000Ω的較低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝
2013-05-20 11:41:47
特性：1. 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)3. 650Ω-850Ω的極低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝，4,000
2013-05-21 14:45:25
特性：1. 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)3. 1800Ω-3000Ω的較低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝
2013-05-21 14:41:41
南京諾茲爾通信技術(shù)有限公司成立于2006年，公司成立以來一直從事射頻/微波組件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司在5年多的運(yùn)作過程中積累了大量有關(guān)射頻/微波元器件采購渠道的人脈，在去年7月1號正式成立元器件
2012-03-31 11:28:39
的。除了高可靠性外，性能也必須具有最高水準(zhǔn)，在至少十年時(shí)間內(nèi)盡量減小性能的劣化(見圖)。在為太空應(yīng)用設(shè)計(jì)任何射頻/微波元件或子系統(tǒng)時(shí)確保可靠性是很重要的一步，但這只是電子器件可以認(rèn)為是“合格太空”品之前
2019-06-21 07:36:54
。公司在0.25微米的pHEMT制程擁有領(lǐng)先技術(shù)，在制程縮微方面，也已經(jīng)切入0.1微米領(lǐng)域，高階制程持續(xù)領(lǐng)先同業(yè)。
穩(wěn)懋為全球第一大砷化鎵晶圓代工廠,制程與技術(shù)都自行開發(fā)而非客戶技轉(zhuǎn)( 宏捷科由
2019-05-27 09:17:13
半導(dǎo)體(如砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP))在速度方面的優(yōu)點(diǎn)。只要增加金屬和介質(zhì)疊層來降低寄生電容和電感，就可以采用SiGe半導(dǎo)體技術(shù)集成高質(zhì)量無源部件。此外，通過控制鍺摻雜還可設(shè)計(jì)器件隨溫度的行為
2016-09-15 11:28:41
在微波爐拆后，如何來安全的檢測半數(shù)字化電腦面板結(jié)構(gòu)中，電子器件，及常規(guī)故障的反應(yīng)點(diǎn)
2018-12-22 06:38:07
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
。氮化鎵的性能優(yōu)勢曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
微波器件是現(xiàn)代通信中的重要電子器件，在移動(dòng)通信基站中有廣泛應(yīng)用。特別是波導(dǎo)等微波信號傳輸結(jié)構(gòu)，由于對信號的損耗有嚴(yán)格要求，因此，要求微波產(chǎn)品的各個(gè)制造環(huán)節(jié)都要有嚴(yán)格的工藝控制，以保證整機(jī)產(chǎn)品的通信
2019-08-19 06:19:29
硅的μamb產(chǎn)生過大的串聯(lián)電阻，已開始使用μamb值更大的材料，例如砷化鎵(GaAs)。對于毫米波(mmW)應(yīng)用，即便使用μamb值更大的砷化鎵也存在缺點(diǎn)。為了滿足在毫米波頻率下對更優(yōu)電阻和更低電容
2018-03-22 10:59:54
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
請問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
了類似高電子遷移率晶體管（HEMT）的氧化鎵。這類器件通常由砷化鎵（GaAs）或氮化鎵制成，是手機(jī)和衛(wèi)星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導(dǎo)體的摻雜溝道導(dǎo)電，而是通過在兩個(gè)帶隙不同的半導(dǎo)體
2023-02-27 15:46:36
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
各位大神，目前國內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
XU1006-QB砷化鎵變送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 發(fā)射器在整個(gè)頻段具有 +17.0 dBm 輸出三階截距。該器件是一個(gè)平衡的電阻式 pHEMT 混頻器，后跟一個(gè)
2022-12-28 15:31:26
高線性度與優(yōu)異溫度特性的砷化鎵霍爾元件-JM8630 替代HG-166A 產(chǎn)品描述：JM8630是一款高線性度與優(yōu)異溫度特性的砷化鎵霍爾元件，可替代旭化成HG-166A。砷化鎵（GaAs
2023-03-09 17:42:14
SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開關(guān) DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關(guān)
2023-04-18 15:19:22
用于電動(dòng)摩托 砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3產(chǎn)品概述：GS302SA-3通過磁場強(qiáng)度的變化，輸出等比例霍爾電勢，從而感知電流及線性位移，廣泛用于電流傳感器、線性馬達(dá)等。由于
2023-05-31 10:02:47
FLK017XP型號簡介Sumitomo的FLK017XP芯片是一種功率砷化鎵場效應(yīng)管，設(shè)計(jì)用于Ku頻段的通用應(yīng)用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
ADPA7009CHIP：重塑微波領(lǐng)域的強(qiáng)大力量ADPA7009CHIP，一款砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)微波單片集成電路(MMIC)分布式功率放大器，憑借其卓越的性能，在
2024-01-14 22:56:26
ADL8106ACEZ：重塑微波領(lǐng)域的強(qiáng)大力量ADL8106ACEZ是一款突破性的砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)微波單片集成電路(MMIC)寬帶低噪聲放大器。其卓越的性能
2024-01-14 22:58:46
本文開始介紹了微波器件的分類與微波器件的作用，其次介紹了微波器件的應(yīng)用，最后介紹了微波遙感器件理論的研究現(xiàn)狀與微波遙感器件的發(fā)展趨勢進(jìn)行了分析。
2018-02-08 11:39:42
21155 本文開始介紹了什么是微波器件以及微波器件的分類，其次介紹了微波器件的作用，最后介紹了微波器件的應(yīng)用及微波開關(guān)在微波無源器件自動(dòng)化測試中的應(yīng)用案例。
2018-02-08 16:44:2713873 射頻微波器件是無線通信、衛(wèi)星通信、軍事和醫(yī)療領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分。在這個(gè)競爭激烈的市場中，啟源微波以其創(chuàng)新的產(chǎn)品系列、卓越的性能和卓越的客戶服務(wù)一直處于行業(yè)的前沿。 為什么選擇啟源微波的射頻器件
2023-11-15 18:24:55256 微波器件 （Microwave Devices）是指工作在微波波段 (300MHz ~ 300GHz)的器件，常應(yīng)用在信號發(fā)送機(jī)、信號接收機(jī)、雷達(dá)系統(tǒng)、手機(jī)移動(dòng)通信系統(tǒng)等電子產(chǎn)品中。微波器件包括微波真空器件、微波半導(dǎo)體器件等，由于后者的可集成性，本詞條主要描述后者。?
2024-01-03 09:52:47314
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