1.前言
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隨著電子產(chǎn)品與技術(shù)的不斷發(fā)展創(chuàng)新，電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)概念逐漸走向輕薄、短小,印刷電路板(PCB)的設(shè)計(jì)也在向小孔徑、高密度、多層數(shù)、細(xì)線路的方向發(fā)展。而伴隨線路板層數(shù)厚度增加和孔徑的減小，產(chǎn)品通孔厚徑比增加明顯，PTH加工難度逐漸加大，易導(dǎo)致孔內(nèi)無金屬現(xiàn)象頻發(fā)。針對(duì)此類問題，本文通過藥水異常、特殊設(shè)計(jì)及生產(chǎn)操作等方面介紹深孔電鍍?cè)赑TH過程中孔內(nèi)無金屬現(xiàn)象產(chǎn)生的具體原因，并根據(jù)不同原因確定預(yù)防及改善措施，確保PTH良好，保證后續(xù)深孔電鍍效果。

2.線路板PTH原理

PTH也稱電鍍通孔，主要作用是通過化學(xué)方法在絕緣的孔內(nèi)基材上沉積上一層薄銅，為后續(xù)電鍍提供導(dǎo)電層，從而達(dá)到內(nèi)外層導(dǎo)通的作用。PTH主要流程如下圖1所示：

圖1 PTH流程圖

其中，涉及化學(xué)反應(yīng)如下所示：
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活化：Pd2++2Sn2+→[PdSn]2+——在溶液中反應(yīng)形成不穩(wěn)定絡(luò)合物
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[PdSn]2+→Pd+Sn4++Sn2+——大部分絡(luò)合物被還原成金屬鈀
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SnCl2+H2→Sn(OH)Cl+HCl——活化后水洗時(shí)SnCl2水解生成堿式錫酸鹽沉淀
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隨著SnCl沉淀，Pd核也一起在活化的基材表面沉積
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沉銅：HCHO+OH-→H2+HCHOO-——Pd作為催化劑時(shí)，該步反應(yīng)才能得以進(jìn)行
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Cu+H2+OH-→Cu+2H2O——銅離子在堿性條件下被還原成金屬銅
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PTH后孔內(nèi)結(jié)構(gòu)如下圖2所示：

圖2 化學(xué)鍍銅沉積示意圖

?3.PTH 孔內(nèi)無銅產(chǎn)生原因分析及改善措施

由于深孔電鍍產(chǎn)品縱橫比較高，導(dǎo)致在PTH過程中，孔內(nèi)藥水交換困難，極易出現(xiàn)孔內(nèi)無金屬現(xiàn)象。線路板PTH流程孔內(nèi)無金屬切片形態(tài)明顯，不同原因所造成孔內(nèi)無金屬現(xiàn)象相近，需仔細(xì)分析區(qū)分才能辨別出造成該缺陷真正原因，根據(jù)不同切片形態(tài)，可將PTH孔內(nèi)無金屬分為如表3.1中三大類：

3.1 藥水異常類

藥水異常所造成PTH孔內(nèi)無金屬缺陷主要表現(xiàn)為孔內(nèi)星點(diǎn)裝PTH不良，缺陷處圖電銅包裹板電銅，缺陷示意圖如下圖3：

圖3 藥水異常PTH孔內(nèi)無金屬示意圖

3.1.1 產(chǎn)生原因

A. 活化劑中鈀離子含量不足，導(dǎo)致在活化的過程中無法形成足夠的膠體鈀沉積在基材表面，在后續(xù)沉銅過程中，缺少鈀離子催化從而導(dǎo)致孔壁沉銅不良，引起孔內(nèi)無金屬缺陷。

B. 活化缸內(nèi)滲入微小氣泡，引起缸內(nèi)膠體鈀水解，使活化缸喪失活化功能，孔內(nèi)無法沉積銅層。

C. 溶液內(nèi)PH值過低，由于化學(xué)沉銅需要在強(qiáng)減性條件下才能進(jìn)行，PH過低時(shí)甲醛還原能力下降，影響沉銅反應(yīng)速率，造成沉銅不良。

D. 沉銅缸內(nèi)絡(luò)合劑不足，導(dǎo)致部分銅離子生成氫氧化銅沉淀，銅缸內(nèi)沒有足夠的銅離子進(jìn)行反應(yīng)來沉積到孔壁內(nèi)側(cè)，導(dǎo)致沉銅不良發(fā)生。
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3.1.2 改善措施

在PTH生產(chǎn)過程中，對(duì)于活化缸及沉銅缸，應(yīng)保證缸內(nèi)各個(gè)組分維持在正常的工藝濃度范圍內(nèi)，以保證化學(xué)反應(yīng)的有序進(jìn)行。除此之外，缸內(nèi)PH及溫度等也會(huì)影響孔壁內(nèi)側(cè)沉銅效果，應(yīng)持續(xù)對(duì)其監(jiān)控。

活化缸內(nèi)膠體鈀受細(xì)小氣泡影響，極易產(chǎn)生水解，因此，應(yīng)保證缸內(nèi)管道無漏氣現(xiàn)象，保證膠體鈀的正常反應(yīng)。
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3.2 特殊設(shè)計(jì)類

此類原因所造成孔內(nèi)無金屬切片形態(tài)主要表現(xiàn)為缺陷處明顯圖電銅包裹板電銅，同時(shí)缺陷處存在內(nèi)層銅被電鍍加厚現(xiàn)象，如下示意圖4：

圖4 特殊設(shè)計(jì)孔內(nèi)無金屬示意圖

3.2.1 產(chǎn)生原因

對(duì)于深孔電鍍產(chǎn)品，縱橫比往往較大，在這種情況下，孔內(nèi)藥水交換速率下降明顯，導(dǎo)致PTH過程中孔中心部沉銅層往往不夠致密。

在這種情況下，若板內(nèi)孔存在如下圖5所示設(shè)計(jì)，則在PTH后板電過程中，內(nèi)層銅A處因縱橫比過大沉銅層相比于B處不夠致密，導(dǎo)致在板電通電后電勢(shì)高于B處，因B處通過內(nèi)層銅與C相導(dǎo)通，故雖然A較C更接近孔口，但電勢(shì)仍較高，吸收銅離子能力小于C點(diǎn)。另深孔電鍍?cè)诎咫娺^程中，孔內(nèi)溶液交換速度較慢，孔內(nèi)銅離子相對(duì)較少。

基于以上兩點(diǎn)，在板電過程中，A處在原本銅離子相對(duì)較少的情況下，因電勢(shì)原因吸收銅離子能力再次下降，直接導(dǎo)致其電鍍銅層厚度不足，A處在后續(xù)工序（外層圖形及圖形電鍍）前處理因損銅造成孔內(nèi)開路，從而引起孔內(nèi)無金屬缺陷。

圖5 孔內(nèi)沉銅厚度差異示意圖

3.2.2 預(yù)防措施

針對(duì)此類設(shè)計(jì)上的問題，在保證設(shè)計(jì)原稿不變更的情況下，可以適當(dāng)調(diào)整沉銅及板電參數(shù)，以保證A處銅厚足夠，避免在后續(xù)流程中損銅開路。

主要方法可以將原沉銅時(shí)間延長(zhǎng)或在完成一次沉銅后，將板從預(yù)浸缸再次進(jìn)板沉銅，保證沉銅層厚度；還可以在一次沉銅后，小電流短時(shí)間（8ASF*30min）板電，板電后從除油缸進(jìn)板再次進(jìn)行沉銅，然后在板電將孔銅加厚至足夠；此外還可以在沉銅條件不變的情況下，適當(dāng)降低板電電流密度，延長(zhǎng)電鍍時(shí)間，保證孔內(nèi)銅離子足夠及鍍層均勻。
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3.3 生產(chǎn)操作類

生產(chǎn)操作類造成PTH孔內(nèi)無金屬主要為設(shè)備異常及違規(guī)操作，切片特點(diǎn)主要有孔內(nèi)殘存異物、孔內(nèi)缺陷處圖電銅包裹板電銅等，其缺陷示意圖如下圖6：

圖6 生產(chǎn)操作孔內(nèi)無金屬示意圖

3.3.1 產(chǎn)生原因

生產(chǎn)操作所造成孔內(nèi)無金屬主要為PTH前去毛刺和PTH過程中活化及沉銅缸設(shè)備異常所造成，主要異常有：PTH前去毛刺段后處理高壓水洗異常，導(dǎo)致孔內(nèi)鉆屑銅粉等異物無法及時(shí)排出，造成后續(xù)PTH過程中，孔內(nèi)藥水無法正常交換，從而導(dǎo)致孔內(nèi)沉銅不良；此外，在PTH過程中，活化缸及沉銅缸內(nèi)振動(dòng)及氣頂異常停止或振動(dòng)幅度頻率不合格也會(huì)造成孔內(nèi)氣泡無法及時(shí)排出，影響孔內(nèi)藥水交換，導(dǎo)致沉銅異常，從而引起孔內(nèi)無金屬缺陷。
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3.3.2 改善措施

針對(duì)高縱橫比產(chǎn)品，在PTH及前處理去毛刺過程中務(wù)必保證設(shè)備處于正常工作狀態(tài)，此外，對(duì)于此類深孔電鍍產(chǎn)品，可是當(dāng)更改工藝參數(shù)，以保證孔內(nèi)清潔和足夠的藥水交換。

在前處理去毛刺可采用正常去一次毛刺后再額外進(jìn)行高壓搖擺水洗，對(duì)產(chǎn)品孔內(nèi)進(jìn)行再次清潔；此外可在加工高縱橫比產(chǎn)品時(shí)適當(dāng)提高PTH活化缸及沉銅缸電振幅度，可將原2.5m/s提高至3m/s，從而保證在PTH過程中，孔內(nèi)無氣泡殘存。

4.總結(jié)

針對(duì)深孔電鍍產(chǎn)品板厚較厚，孔徑較小，縱橫比高的特點(diǎn)，為保證在PTH過程中消除孔內(nèi)無金屬缺陷，需對(duì)設(shè)備、工藝參數(shù)以及工藝流程等進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，以保證孔內(nèi)PTH質(zhì)量。具體措施如下：

A. PTH前去毛刺后，再多進(jìn)行一次高壓搖擺水洗，以清除孔內(nèi)鉆屑等異物。

B. PTH過程中保證各缸尤其是活化及沉銅缸藥水、溫度計(jì)PH參數(shù)都處在正常工藝范圍內(nèi)。

C. PTH過程中適當(dāng)提高活化缸及沉銅缸電振幅度，由原2.5m/s提高至3m/s。

D. 一次PTH后將板從預(yù)浸缸再次進(jìn)板，額外沉銅一次；或者在PTH一次后，板電用8ASF電鍍30NIN后再次從除油缸進(jìn)板沉銅；保證孔內(nèi)銅層均勻性。

E. PTH后板電需采用小電流長(zhǎng)時(shí)間，以保證孔內(nèi)銅離子足夠保證孔壁電鍍效果。

審核編輯：黃飛