功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路圖

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2021-11-03 09:33:56

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隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的峰值電流

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2022-12-19 11:46:18

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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。

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最實(shí)用的柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型指南

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2019-01-29 09:58:32

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MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理

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2019-08-29 13:30:22

MOSFET柵極電路的作用是什么

MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式

2021-03-29 07:29:27

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理圖及PCB板設(shè)計(jì)

layout（負(fù)電層）第四層layout小技巧MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理圖及PCB板設(shè)計(jì))電路原理圖整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路分為三個(gè)部分。一個(gè)是光耦隔離電路，負(fù)責(zé)把功率側(cè)和邏輯側(cè)隔離開來，防止強(qiáng)電側(cè)電路干擾弱點(diǎn)側(cè)電路

2021-11-15 07:26:07

功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡析

，V1、V2為互補(bǔ)工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。圖1 有隔離變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng) 圖2 有隔離變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)的實(shí)驗(yàn)波形當(dāng)這一有隔離變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)MOSFET電路被應(yīng)用在

2018-10-09 14:33:55

功率MOSFET的柵極電荷特性

和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關(guān)波形見圖1所示。在測量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動(dòng)，也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大

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功率MOSFET的開關(guān)損耗：關(guān)斷損耗

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2017-03-06 15:19:01

功率MOSFET的開關(guān)損耗：開通損耗

過程中的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關(guān)斷過程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率

2017-02-24 15:05:54

功率MOSFET結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)

柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型

2016-10-10 10:58:30

功率場效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)保護(hù)

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柵極驅(qū)動(dòng)和電流反饋信號(hào)隔離說明

柵極驅(qū)動(dòng)和電流反饋信號(hào)隔離說明

2021-03-11 06:43:47

柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能怎么樣？

本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。

2021-06-17 07:24:06

柵極驅(qū)動(dòng)器是什么

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極

2021-01-27 07:59:24

柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器？

高得多的電流。圖2中，當(dāng)功率MOSFET由微控制器I/O引腳以最大額定拉電流驅(qū)動(dòng)時(shí)，觀察到切換時(shí)間間隔較長。如圖3所示，采用ADuM4121隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，轉(zhuǎn)換時(shí)間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動(dòng)同一功率

2021-07-09 07:00:00

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器揭秘

切換時(shí)間間隔較長。如圖3所示，采用ADuM4121隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，轉(zhuǎn)換時(shí)間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動(dòng)同一功率MOSFET時(shí)，該驅(qū)動(dòng)器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅(qū)動(dòng)電流。圖3.有柵極驅(qū)動(dòng)

2018-10-25 10:22:56

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的揭秘

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，轉(zhuǎn)換時(shí)間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動(dòng)同一功率MOSFET時(shí)，該驅(qū)動(dòng)器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅(qū)動(dòng)電流。很多情況下，由于數(shù)字電路可能會(huì)透支電流，直接用微控制器驅(qū)動(dòng)較大功率MOSFET

2018-11-01 11:35:35

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格介紹

您好，歡迎觀看第三個(gè)討論隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的 TI 高精度實(shí)驗(yàn)室講座。我們將探討可以作為隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的基準(zhǔn)核心參數(shù)。我們將會(huì)檢查這些參數(shù)的數(shù)據(jù)表定義，討論在隔離式和非隔離式驅(qū)動(dòng)器中決定

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2018-10-19 15:30:07

隔離全橋驅(qū)動(dòng)電路功能與優(yōu)勢

邏輯電平的轉(zhuǎn)換。ADuM7234是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用ADI公司iCoupler?技術(shù)，提供獨(dú)立且隔離的高端和低端輸出，因而可以專門在H電橋中使用N溝道MOSFET。使用N溝道MOSFET有

2018-10-24 10:28:10

CMOS隔離柵極驅(qū)動(dòng)器是怎么強(qiáng)化供電系統(tǒng)的？

隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案

2021-03-08 07:53:35

IGBT驅(qū)動(dòng)光耦TLP250功率驅(qū)動(dòng)模塊在IRF840 MOSFET中的應(yīng)用

`光電耦合器IGBT驅(qū)動(dòng)TLP250的結(jié)構(gòu)和使用方法，給出了其與功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件電路圖。在闡述IRF840功率MOSFET的開關(guān)特性的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了吸收回路。最后結(jié)合直流斬波

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Si8751-EVB是用于Si8751隔離MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的Si875x評(píng)估套件

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SiC功率模塊的柵極驅(qū)動(dòng)其1

從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹

2018-11-30 11:31:17

【轉(zhuǎn)帖】如何實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器?

采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器（如圖1所示）以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率

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一文研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能

Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。這些驅(qū)動(dòng)器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動(dòng)器芯片

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三相逆變器的隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估系統(tǒng)設(shè)計(jì)

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為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)

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關(guān)于MOSFET的選擇及電路圖

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減小隔離式同步柵極驅(qū)動(dòng)器的尺寸并降低復(fù)雜性的方案

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如何使用高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET？

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2023-02-27 09:52:17

實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

所需的高電流。在此，柵極驅(qū)動(dòng)器以差分方式驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器的原邊，兩個(gè)副邊繞組驅(qū)動(dòng)半橋的各個(gè)柵極。在這種應(yīng)用中，脈沖變壓器具有顯著優(yōu)勢，不需要用隔離式電源來驅(qū)動(dòng)副邊MOSFET。圖3. 脈沖變壓器半橋柵極

2018-10-23 11:49:22

實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

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2018-10-16 16:00:23

實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)途徑

MOSFET柵極充電所需的高電流。在此，柵極驅(qū)動(dòng)器以差分方式驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器的原邊，兩個(gè)副邊繞組驅(qū)動(dòng)半橋的各個(gè)柵極。在這種應(yīng)用中，脈沖變壓器具有顯著優(yōu)勢，不需要用隔離式電源來驅(qū)動(dòng)副邊MOSFET.　　圖3.

2018-09-26 09:57:10

應(yīng)用電路使用ADuM3100數(shù)字隔離器是由高功率開關(guān)MOSFET組成的H橋，由低壓邏輯信號(hào)控制

和低側(cè)。該電路還在控制側(cè)和電源側(cè)之間提供電流隔離。 ADuM7234是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用iCoupler技術(shù)提供獨(dú)立且隔離的高端和低端輸出，因此可以在H橋中專門使用N溝道MOSFET。該電路可用于電機(jī)控制，帶嵌入式控制接口的電源轉(zhuǎn)換，照明，音頻放大器和不間斷電源（UPS）

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開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路原理圖

開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路原理圖驅(qū)動(dòng)電路原理圖：開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路: 驅(qū)動(dòng)電路的主要功能是將脈寬控制器輸出的可變寬度脈沖進(jìn)行功率放大，以作為高壓功率開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。驅(qū)動(dòng)電路一般都具有隔離作用，常用

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微功率隔離電源專用驅(qū)動(dòng)芯片

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2022-11-11 14:44:13

怎樣減小隔離式同步柵極驅(qū)動(dòng)器的尺寸并且降低復(fù)雜性

電流的電源效率。實(shí)施同步DC-DC轉(zhuǎn)換器架構(gòu)要求副MOSFET開關(guān)與主MOSFET開關(guān)保持開關(guān)同步。圖2顯示ADuM3220用于一個(gè)提供未調(diào)節(jié)輸出電壓的隔離式同步DC-DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用電路。DC-DC

2017-04-05 14:05:25

支持ADuM3123ARZ隔離式精密柵極驅(qū)動(dòng)器

EVAL-ADUM3123EBZ，評(píng)估板支持ADuM3123ARZ隔離式精密柵極驅(qū)動(dòng)器。由于評(píng)估板分別具有TO-263或TO-252封裝的隔離柵雙極晶體管（IGBT）和MOSFET的占位面積，因此

2019-05-23 07:15:06

支持ADuM3123CRZ隔離式精密柵極驅(qū)動(dòng)器的EVAL-ADUM3123EBZ

EVAL-ADUM3123EBZ，評(píng)估板支持ADuM3123CRZ隔離式精密柵極驅(qū)動(dòng)器。由于評(píng)估板分別具有TO-263或TO-252封裝的隔離柵雙極晶體管（IGBT）和MOSFET的占位面積，因此

2019-05-06 06:43:49

新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器不斷變化的格局

，并提供驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)柵極所需的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在隔離系統(tǒng)中，它們還可實(shí)現(xiàn)隔離，將系統(tǒng)帶電側(cè)的高電壓信號(hào)與在安全側(cè)的用戶和敏感低電壓電路分離。為了充分利用GaN/SiC技術(shù)能夠提供更高開關(guān)頻率的功能，柵極

2018-10-16 21:19:44

新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器不斷變化的格局

2018-10-16 06:20:46

新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的趨勢和格局

2018-10-24 09:47:32

橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

所示，可以看出改進(jìn)后的電路很好地解決了柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的振蕩問題。圖4　改進(jìn)前驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形圖5　改進(jìn)后驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形　　結(jié)論　　橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率MOSFET在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中發(fā)生的直通現(xiàn)象是由于結(jié)電容

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汽車類雙通道SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器包括BOM及層圖

描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V

2018-10-16 17:15:55

采用MP188XX 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列構(gòu)建電源系統(tǒng)

應(yīng)用電路。圖2: MP18831典型應(yīng)用電路圖 3 所示的電源應(yīng)用示例由有源功率因數(shù)校正 (PFC)、半橋 LLC 和同步整流器組成。在該示例中，MP18831 被用作高端/低端隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。.圖

2022-09-30 14:05:41

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。牽引逆變器系統(tǒng)中的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器圖1所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路（IC）是牽引逆變器供電解決方案的組成部分。柵極驅(qū)動(dòng)器提供低到高壓（輸入到輸出）電流隔離，驅(qū)動(dòng)基于 SiC 或

2022-11-02 12:02:05

集成反激式控制器的智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

，可提供完全經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案（圖1）。該器件具有2.5A軌到軌輸出，非常適合驅(qū)動(dòng)工業(yè)電源逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT和功率MOSFET。最終結(jié)果是易于使用，緊湊且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光電

2018-08-18 12:05:14

面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)

單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。

2023-09-05 07:32:19

高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

2019-03-08 22:39:53

高速柵極驅(qū)動(dòng)器助力實(shí)現(xiàn)更高系統(tǒng)效率

的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對(duì)于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示為典型MOSFET電路符號(hào)中表示的體二極管。圖1：MOSFET符號(hào)包括固有

2019-03-08 06:45:10

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路分析

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路分析:針對(duì)功率MOSFET的特點(diǎn)，介紹由多個(gè)—概管組成的組臺(tái)式驅(qū)動(dòng)電路．在逆變焊接電源上做了實(shí)驗(yàn)．驗(yàn)證了該方法的合理性。關(guān)鍵詞：功率MOSFET，半橋式電路，

2010-04-12 08:36:54

一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動(dòng)電路

摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路通過循環(huán)儲(chǔ)存在柵極電容中的能量來實(shí)現(xiàn)減少驅(qū)動(dòng)功率損耗的目的，從而保證了此驅(qū)動(dòng)電路可以在較高的頻率下工作。

2010-05-04 08:38:12

具有寬占空因子范圍的隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器

圖 1，調(diào)制方法使人們有可能在很寬的占空因子范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率 MOSFET 的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路。圖 1 所示電路主要用途是用于驅(qū)動(dòng)頻率范圍為 1 Hz 至 300 kHz、占空因子為 0~ 100%

2010-07-15 08:40:22

FET柵極的驅(qū)動(dòng)方法電路圖

FET柵極的驅(qū)動(dòng)方法電路圖

2009-08-15 17:31:21

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Toshiba推出低功率柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器

Toshiba推出低功率柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設(shè)計(jì)用來驅(qū)動(dòng)需要輸出電流高達(dá)±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅(qū)動(dòng)器IC光耦合器TLP358系

2010-01-20 08:37:03

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高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路

高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。

2011-12-17 00:02:00

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開源硬件-TIDA-01159-緊湊型半橋增強(qiáng)隔離式柵極驅(qū)動(dòng) PCB layout 設(shè)計(jì)

本參考設(shè)計(jì)為 UPS 驅(qū)動(dòng)功率級(jí)、逆變器、服務(wù)器和電信應(yīng)用中使用的半橋隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。本參考設(shè)計(jì)基于 UCC21520 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 SiC-FET

2015-11-16 13:46:00

Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開關(guān)功率MOSFET與IGBT

Diodes公司（Diodes Incorporated）新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。

2016-03-14 18:13:23

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實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器可用于許多應(yīng)用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，探索隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。

2017-02-09 17:40:11

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實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

許多應(yīng)用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。

2017-02-10 07:57:41

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高壓mosfet驅(qū)動(dòng)器電路圖分享

高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：

2017-10-19 16:02:37

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制

通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。

2019-04-16 17:07:39

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高功率隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4135的性能分析

本視頻展示了一個(gè)評(píng)估板上的ADI公司高功率隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4135。ADuM4135驅(qū)動(dòng)Microsemi SiC功率模塊。此評(píng)估板是ADI公司與Microsemi合作的一個(gè)范例。

2019-06-18 06:00:00

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主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路

主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路

2019-07-02 15:06:29

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常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析

MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替

2019-07-03 16:26:55

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如何使用柵極電荷設(shè)計(jì)功率MOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路

　不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。基于柵極對(duì)源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對(duì)源電容是一個(gè)重要

2020-03-09 08:00:00

基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案

本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路

2021-06-14 03:51:00

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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制

Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車

2021-01-20 15:00:24

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器揭秘

摘要 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為

2021-01-28 08:13:38

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些類型

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)為可靠驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率器件不需要隔離時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是比較簡單的，目前也有了許多優(yōu)秀的驅(qū)動(dòng)集成電路。

2021-02-08 17:38:00

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ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET

ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET

2021-05-27 13:55:08

探究羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器以及超級(jí)結(jié)MOSFET PrestoMOS

ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET

2021-08-09 14:30:51

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高功率器件驅(qū)動(dòng)風(fēng)向?qū)⑹?b class="flag-6" style="color: red">隔離柵極驅(qū)動(dòng)

2021-11-08 09:28:07

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MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理

2021-11-29 16:29:17

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算

本文介紹了三個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET工作時(shí)的功率計(jì)算以及通過實(shí)例進(jìn)行計(jì)算輔助MOSFET電路的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算不是mosfet導(dǎo)通電流是mosfet柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和驅(qū)動(dòng)功耗計(jì)算

2022-11-11 17:33:03

使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)用設(shè)計(jì)指南

使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)用設(shè)計(jì)指南

2022-11-14 21:08:43

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器輸入級(jí)對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的影響

本文介紹了在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中為功率級(jí)選擇隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，您有多種選擇。柵極驅(qū)動(dòng)器可簡單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管（IGBT）發(fā)射極的欠壓（UVLO）鎖定參考等功能。

2022-11-30 09:58:21

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實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器用于許多應(yīng)用，從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器。本文將詳細(xì)討論這些設(shè)計(jì)概念，探討隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。

2023-01-17 11:08:46

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隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器：什么、為什么以及如何

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極

2023-01-30 17:17:12

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保姆級(jí)攻略 | 使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)指南（一）

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們本設(shè)計(jì)指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，并介紹實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。本文為第一部分，主要包括隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南。安森美

2023-02-05 05:55:01

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非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器與功率元器件

非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器與功率元器件

2023-02-08 13:43:24

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MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路學(xué)習(xí)筆記之柵極驅(qū)動(dòng)參考

柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)

2023-02-23 15:59:00

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路之高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)

高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是

2023-02-23 15:35:24

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。

2023-04-04 09:58:39

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隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。

2023-05-17 10:21:39

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