國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IR3588 ChiL數字控制IC,以及IR3552與IR3546單、雙相位PowIRstage器件
2012-08-29 09:26:14
1159 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/50/wKgZomUMPNeAf7nuAAARu61S63I869.jpg)
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IR4311M 和IR4312M,以擴充PowIRaudio? 集成式功率模塊系列。
2013-01-14 11:38:24
2117 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出單通道IR4321M和雙通道IR4322M集成式功率模塊以擴充
2013-05-29 15:18:37
2135 全球功率半導體和管理方案領導廠商,國際整流器公司(IR)近日推出IR3823 SupIRBuck?集成式穩壓器,適用于空間受限、節能高效的網絡通信、服務器和存儲應用。
2013-08-14 17:35:14
1162 微軟將以71.7億美元收購諾基亞設備與服務部門,加速發展Windows生態系統。
2013-09-03 14:36:46
848 在聯想成功收購ThinkPad業務九年后,聯想昨日宣布收購IBM x86服務器業務。與此前收購備受質疑不同,聯想的此次收購整體市場反應都較為認同,顯然聯想數年的國際化和此前ThinkPad業務成功整合為此加分不少。不過此次收購依然有些疑問待解。
2014-01-24 16:28:04
1895 北京時間8月21日凌晨消息,德國芯片巨頭英飛凌科技公司周三宣布,已同意以大約30億美元現金收購美國電源管理芯片制造商International Rectifier(簡稱IR),是該公司有史以來最大一起收購。
2014-08-21 09:44:06
6972 據外媒 TechCrunch 報導,亞馬遜的云服務部門 AWS 很可能已經悄然收購了網絡信息安全公司 harvest.ai。 harvest.ai 創始團隊中包括兩名前 NSA 員工,他們用機器學習和人工智能的方式,分析一家公司關鍵 IP 上的用戶行為,進而辨識和阻止有針對性的攻擊,防止資訊泄露。
2017-01-11 09:10:11
1349 外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導體制造,如集成電路工業的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:47
10447 12月30日消息 根據中欣晶圓官方的消息,中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線,成為國內首家獨立完成12英寸單晶、拋光到外延研發、生產的企業。
2020-12-31 10:57:31
3826 IPM使用的驅動芯片是IR公司的IR2135,但是不知道ITRIP(過電流檢測輸入端)、CA+ CA- CAO(內部電流放大器)這一部分的外圍電路怎么連接,手冊上有給典型電路,但具體參數我不知道
2013-07-19 13:59:30
總所周知,IR不僅是全球功率半導體領先供應商,還是管理方案領先供應商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術,40V
2018-09-28 15:57:04
收購一款ITOP 4412開發板,有的請聯系我。。。。。。。。
2015-08-16 10:12:21
收購各系車輛OBD轉向燈數據,有剩余油量數據更好電話:***QQ:297266953聯系人:歐先生
2015-08-20 15:19:53
硅-硅直接鍵合技術主要應用于SOI、MEMS和大功率器件,按照結構又可以分為兩大類:一類是鍵合襯底材料,包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
NHD-0212WH-ATMI-JT - Character Liquid Crystal Display Module - Newhaven Display International, Inc.
2022-11-04 17:22:44
NHD-0440WH-ATMI-JT - Character Liquid Crystal Display Module - Newhaven Display International, Inc.
2022-11-04 17:22:44
PRISMA基礎入門二
2019-09-10 16:42:42
Verilog設計內外延時
2012-08-15 16:31:14
打造唐山電腦維修旗艦店----------唐山亦道為嬴電腦科技上門服務部:唐山唯一一家以家庭客戶為主要服務對象的正規公司。主要服務項目:軟件安裝、殺毒、升級,家庭網絡調試安裝
2009-01-03 20:45:28
ch9328的USB端可以外延帶屏蔽的標準USB線嗎,有線長要求嗎?
2022-07-07 06:08:49
全球領先的傳感器供應商InvenSense(INVN)7日宣布收購法國運動處理技術公司Movea,旨在通過此次收購在運動傳感器和聯網式(GPS/WIF)數據追蹤技術方面得以提升,此項收購的規模為8100萬美元,其中現金部分為7500萬美元。
2020-04-28 06:14:17
我想了解關于LED關于外延片生長的結構,謝謝
2013-12-11 12:50:27
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2010-10-31 14:00:00
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2021-01-07 17:43:17
` 有誰用過SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測試儀,關于測試儀的機構和控制部分,尤其是精度部分希望交流,資料可發g-optics@163.com,多謝!`
2018-11-20 20:25:37
工作職責:1、售后服務部日常管理;2、對售后產品問題進行診斷和協調;3、對常見售后產品質量問題及時解答和歸總;任職要求:1、對照明特別是LED照明行業有3年以上工作經驗;2、對LED產品性能熟悉
2012-07-30 17:20:50
汽車是一個由數以萬計零部件組成的機電混合復雜系統,GRGTEST能幫助新能源汽車整車廠及零部件廠商快速提升零部件性能,滿足您對產品品質和安全的高要求,服務涵蓋汽車零部件的環境可靠性測試、電學性能
2016-12-26 13:59:56
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2020-10-08 09:49:14
本篇應用筆記作為第二部分,重點介紹高輸出的硅應變計
2021-03-11 07:56:41
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2014-05-15 16:27:56
選擇服務器的托管的時候要注意以下幾點: 1,選擇技術支持能立即為您解決問題的,有些IDC運營商客服部和機房離得比較遠,一旦你的服務器出現遠程控制不了的問題,比如死機,如果機房遠,服務部通過電話跟機房
2013-12-13 11:43:51
打擾下了,如果您現在也正在尋找新的發展平臺請您留意下我們公司我公司網站:www.jinbenteng.com以上兩職位均需要有汽車電子方面工作經驗。技術服務部副經理需要您具備汽車電子方面的售后工作
2009-08-04 16:26:39
各位大神,目前國內賣銦鎵砷紅外探測器的有不少,知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產的嗎,坐等答案
2013-06-04 17:22:07
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2021-07-19 18:51:35
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2021-09-22 19:20:15
the IR2339/IR2339n is a high performacne quad comparator ,which poerates form a single power supply to a wide range of voltages.
2008-09-08 13:03:19
39 IR2130是美國國際整流器公司繼IR2110之后于1991年推出并至今獨家生產的MOS功率器件專用柵極驅動集厲電路,一片IR2130可取代二片IR2110,且僅需一個輸入級電源。
2009-04-25 16:48:34
613 NPN 硅外延三極管型號
2009-11-12 14:28:41
21 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結構,將器件耐壓、導通電阻和電流處理能力提高到一個新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的,由于一個管芯包括幾千個元胞
2009-12-21 10:52:24
40 Vishay公司作出一項非約束性收購計劃,即耗資16億美元來收購IR公司(International Rectifier)的股票。如果該項交易通過的話,收購將強化Vishay的分立器件業務。IR與Vishay均是全球最大的
2008-08-19 13:14:15
1460 ir2110應用電路
美國IR 公司生產的IR2110驅動器。它兼有光耦隔離(體積小)和電磁隔
2008-12-03 12:18:58
7372 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/7C/wKgZomUMNGmAEBBHAABddctn8hU149.jpg)
硅單晶外延層的質量檢測與分析
表征外延層片質量的主要參數是外延層電阻率、厚度、層錯及位錯密度、少數載流子壽命
2009-03-09 13:55:40
2682 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/9F/wKgZomUMNQGAdq7_AAAMYPlbRkc189.jpg)
Abstract: A circuit is described that transmits temperature data over an IR link, thus allowing
2009-04-17 11:08:52
1060 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/C3/wKgZomUMNZeAb5wMAAAZedK2F9A117.gif)
英國電信全球服務部和沃達豐將在Light Reading于倫敦舉辦的OSS 2.0會議上發表主題演講
TM Forum 也將參與討論
&n
2009-10-15 08:39:39
723
外延型二極管 用外延面長的過程制造PN結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布,故適宜于制造高靈敏度
2009-11-07 08:43:34
686 LED外延片代工廠走勢分析
延續2009年第2季半導體產業景氣自谷底彈升,包括臺積電、聯電、特許半導體(Chartered)及中芯等前4大外延片代工廠,2009年第3季合計營收達43。3
2009-11-27 11:02:14
720 推出IR3870M SupIRBuck 集成穩壓器
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IR3870M SupIRBuck 集成電源|穩壓器,適用于筆記本和臺式電腦、游戲機以及消
2010-01-14 08:31:12
725 啟用PowerFill外延硅工藝的電源設備
ASM International推出了其PowerFill的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-23 08:35:54
539 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-25 09:17:05
525 ASM啟用新的PowerFill外延技術的電源設備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:29
1820 IR推出二款DirectFET MOSFET芯片組
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組,為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺
2010-04-20 10:24:32
900 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/90/wKgZomUMOQSAYhgQAADFcktwLis011.jpg)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出集成式 PowIRstage? 產品系列的第一個產品 IR3550
2011-04-01 11:24:06
1382 利用外延片焊接技術,把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結構GaN藍光LED.與外延材料未轉移的同側結構相比,轉移
2011-04-14 13:29:34
29 ir2113芯片的引腳圖及管腳圖。
2011-06-19 10:22:29
24250 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/E9/wKgZomUMOr2AElZAAAANeLKBBag945.jpg)
外延片的生產制作過程是非常復雜,展完外延片,接下來就在每張 外延片 隨意抽取九點做測試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。 半導體制造
2011-09-22 16:38:32
1188 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 今天宣布擴充其 PowIRstage 集成式器件系列,推出專為下一代服務器、消費者及通信系統優化的 40A IR3553。
2011-12-06 16:06:31
1102 本內容介紹了LED外延片基礎知識,LED外延片--襯底材料,評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:54
2743 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IR3551以擴充PowIRstage 集成式器件系列,新器件特別適合下一代服務器、臺式電腦、顯卡及通信系統應用。
2012-02-17 09:37:09
987 思科昨日宣布,它已經完成收購NDS Group的交易。思科還將通過收購NDS擴展其全球視頻產品在新生市場的銷售范圍,進一步拓寬其服務供應商的服務范圍和加深與客戶的關系。
2012-08-01 09:24:46
943 本周一(25日),思科宣布將收購云服務管理解決方案供應商SolveDirect。
2013-03-26 10:10:25
618 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IR3891和IR3892 SupIRBuck集成式雙輸出穩壓器,適用于空受限的網絡通信、服務器和存儲應用。
2013-11-20 16:04:25
1114 IR2110 原理 設計 MOS驅動。
2016-04-28 10:46:34
41 NB-IoT Instruments -NBA-中科院測試服務部
2016-12-26 16:01:22
34 The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels.
2017-09-11 15:33:33
29 本文開始介紹了ir2104特點與ir2104技術參數,其次介紹了ir2104引腳圖及功能說明,介紹了ir2104絕對最大額定值、推薦工作條件及電氣特性,最后介紹了ir2104功能框圖及ir2104半橋驅動器應用電路圖。
2018-03-04 13:56:19
236682 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/46/59/o4YBAFqbjGGAcreEAAAcW1VvVw4658.jpg)
本文開始介紹看IR2110的特點和IR2110內部功能圖,其次詳細闡述了IR2110的工作原理,對IR2110自舉電路工作原理進行了分析和IR2110柵極電平箝位電路,最后介紹了三款ir2110的應用電路。
2018-03-04 15:01:31
198096 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/46/5D/pIYBAFqbmt-AMUdOAACqfu4q7o4376.jpg)
無論您剛剛畢業還是有數年經驗,請考慮加入ADI公司。本視頻重點展現ADI公司企業信息服務部門激動人心的工作內容分析。
2018-06-01 14:57:00
2576 分析師凱蒂-休伯特(Katy Huberty)在給客戶的一份報告中指出。“蘋果應用商店已經成為蘋果服務部門最大動力來源。”休伯特將蘋果的目標股價從每股200美元上調到了214美元,與周三收盤價相比
2018-05-28 12:31:00
2568 IR2133IR2135 / IR2233IR2355(J&S)是高壓,高速功率MOSFET和IGBT驅動器,具有三個獨立的高端和低端參考輸出通道,用于3相應用。專有的HVIC技術可實現堅固耐用的單片結構
2018-05-31 13:00:00
58 微軟收購的步伐在加速,繼收購github后,又收購人工智能創企Bonsai,計劃將Bonsai與該公司配備了GPU和Brainware的Azure云服務相結合,全方位部署云服務。
2018-06-21 09:48:42
3976 近日,歐司朗Sylvania與Wesco簽訂了收購SLS資產的最終協議,SLS將成為Wesco Services LLC子公司的一部分。據知情人士透露,這筆交易價格不到1億歐元。SLS是歐司朗在北美的服務部門,2018年的銷售額約為1億美元,總部位于馬薩諸塞州的威爾明頓。
2019-01-22 15:25:47
1377 法國Soitec半導體公司宣布已與氮化鎵(簡稱GaN)外延硅片材料供應商EpiGaN達成最終協議,以3,000萬歐元現金收購EpiGaN公司。
2019-05-18 11:18:51
3895 據國外媒體報道,在上月26億美元收購Looker Data Sciences公司之后,搜索巨頭谷歌在云計算方面又有了新的收購目標,其已宣布將收購云存儲服務提供商Elastifile。
2019-07-10 16:33:31
539 紐約州的金融監管機構是NYDFS,即紐約州金融服務部。長期以來,紐約州以其對加密貨幣嚴厲的監管著稱。紐約州的加密貨幣交易牌照BitLicense,也是美國所有州中最難拿到的加密貨幣許可牌照之一
2019-07-25 10:56:16
1106 LED外延片其實是襯底材料作用的,也就是說在使用一些照明產業當中,這種材料被廣泛的運用于芯片加工。導體外延片的存在是與發光產業相連接的,也就是說在進行LED外延片的選擇方上,要與外形的晶體相符合,另外也與其他的客觀因素有著相當大的關系,最主要的是與穩定性和導熱性有著密切聯系。
2020-07-17 16:29:59
5089 9月14日最新消息,英偉達(NVIDIA)正式宣布將以400億美元(約合2733億元)從軟銀(Softbank)手中收購ARM(IoT服務部門除外),形式是股票+現金!。 早在今年七月份就有鋪天蓋地
2020-09-15 14:05:18
1793 Pure Storage今天宣布收購數據服務平臺Portworx,希望借此涉足到面向云原生和Kubernetes存儲服務這個不斷發展的市場。
2020-09-19 09:24:00
2057 11月17日消息,據國外媒體報道,電動汽車制造商特斯拉將在中國成立一個移動服務部門,特斯拉車主可使用簡單易用的二維碼來進行移動服務預約。 據悉,特斯拉一直采用的是直銷模式,沒有經銷商與4S店,其售后
2020-11-17 15:49:50
2192 提到技術服務或技術支持,首先聯想到的是頭戴著耳麥提供遠程技術咨詢的話務員,或手臂夾著筆記本趕到現場解決問題的工程師。相比產品部門、品牌部門或研發部門的高曝光率,科技公司的技術服務部門一直是被外界忽略
2020-12-10 11:09:23
1816 IR4301,IR4311集成了PWM控制器和數字音頻MOSFET,構成了高性能D類音頻放大器。
2021-03-18 16:27:27
4857 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/E6/23/pIYBAGBTDw2AAbKwAABur6yeW8M418.png)
最近做芯片和外延的研究,發現同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大,大到改變試驗設計的“世界觀”。基板襯底的質量好壞很關鍵。
2021-08-12 10:55:58
4302 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/0F/8B/pYYBAGEUjV6Ac-OGAAA7vRhBYwY848.png)
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長,可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:38
5892 固相外延,是指固體源在襯底上生長一層單晶層,如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時,硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:52
10250 氮化鎵外延片生長工藝較為復雜,多采用兩步生長法,需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度,以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應力而產生翹曲,為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:00
4345 氮化鎵外延片指采用外延方法,使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來,在國家政策支持下,我國氮化鎵外延片行業規模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:35
3012 通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法(MOCVD)生長的GaN。外延片上面一般都已經做有u-GaN,n-GaN,量子阱,p-GaN。
2023-02-12 14:31:25
2100 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝,主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:32
10569 外延層是在晶圓的基礎上,經過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片,可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件,其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:09
2827 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/E5/wKgaomR2pWSANdatAABHwfHqOB0158.png)
金剛石異質外延已發展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質量的異質外延單晶金剛石已取得較大進展。本文主要從關于異質外延單晶金剛石及其電子器件兩個方面對異質外延單晶金剛石的發展進行了闡述。
2023-07-12 15:22:23
843 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/91/wKgaomSuVgOAd6pnAAAVUqZ-zrs677.jpg)
對于摻雜的SiC外延片,紅外光譜測量膜厚為通用的行業標準。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導致兩者具有不同的折射率,因此試樣的反射光譜會出現反映外延層厚度信息的連續干涉條紋。
2023-08-05 10:31:47
914 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8F/76/wKgaomTNtRGAE_2QAAA5_pliZTY957.png)
碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:34
1001 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/91/wKgZomTbHwiAUxW3AAANESXDtWE556.jpg)
外延工藝的介紹,單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16
878 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B2/04/wKgaomVoYdWAOokUAAASkCaJjf8433.jpg)
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現,高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎,外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現。
2023-12-15 09:45:53
607 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B7/50/wKgZomV7sDOAHEocAAApk9wD0tY813.png)
分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)是一種在超高真空狀態下,進行材料外延技術,下圖為分子束外延的核心組成,包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10
963 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BC/A5/wKgZomWlBbCAFa44AABDyJAQ5eY690.png)
襯底(substrate)是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件,也可以進行外延工藝加工生產外延片。
2024-03-08 11:07:41
161 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C3/48/wKgZomXqggaATgUPAAAOr4Lk1e0165.jpg)
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