本文將介紹一種門極驅動器利用SiC-MOSFET的檢測端子為其提供全面保護的先進方法。所提供的測試結果包括了可調整過流和短路檢測以及軟關斷和有源鉗位(可在關斷時主動降低過壓尖峰)等功能。
2016-11-16 11:19:57
8316 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過,如低損耗、高速開關、高溫工作等,顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較,進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:52
2072 在高耐壓范圍中,SiC MOSFET與Si-MOSFET相比,具有“開關損耗與導通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優勢。基于這些優勢,當SiC-MOSFET用于AC/DC轉換器和DC
2019-04-24 12:46:44
2091 描述PMP10121 參考設計采用 UCC28600 準諧振反激式控制器從交流輸入生成 22V @ 3.5A 輸出。此反激式轉換器并非隔離式,無需光耦合器即可進行調節。主要特色 準諧振反激式拓撲四點
2018-11-14 11:19:08
% 的峰值效率。如圖 2 所示,即使在未使用光耦合器的情況下,仍然保持了嚴緊的負載和電壓調節。圖 1:用于 20V 至 450V 寬輸入范圍的完整 12V 隔離型反激式轉換器圖 2:圖 1 所示反激式
2018-10-29 17:04:58
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時,還需要探討柵極驅動器電路。與Si-MOSFET的區別:內部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身(芯片)的內部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對策 實裝PCB板布局與總結使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例 前言設計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優化評価
2018-11-27 16:40:24
”)應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET,這里給出了DMOS結構,不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
面積小(可實現小型封裝),而且體二極管的恢復損耗非常小。 主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。 2. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此,在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
擊穿耐受能力SiC-MOSFET的優點是芯片尺寸可以比Si-MOSFET小,但另一方面,靜電擊穿(ESD)耐受能力卻較低。因此,處理時需要采取充分的防靜電措施。靜電對策舉例?利用離子發生器除去人體
2018-11-30 11:30:41
的隔離型準諧振轉換器的設計案例 前言設計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優化評価編絕緣型反激式轉換器的性能評估和檢查要點 所謂隔離型反激式轉換器的性能評估和檢查要點 性能評估事例中所使用電源IC
2018-11-27 16:38:39
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此,在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項,而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中,該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET+低邊
2018-11-30 11:31:17
描述此 PMP5600 是一種準諧振隔離型反激式,從高壓線路開始,并提供 13.65V (1.5A)。轉換器通過電容器和小型 SOT-23 Mosfet 來“讀取”市電頻率。執行電池測試功能時測試點的短路將輸出電壓降低至 8.34V
2018-07-13 07:10:40
隔離型反激式轉換器廣泛用于汽車、工業、醫療和電信領域,在此類應用中電源必須具有可靠、易用、高電壓和隔離的特性,隔離型反激式轉換器必須隨著負載、電壓和溫度的變化提供卓越的穩壓性能。LT8304-1 是一款隔離型、非光反激式轉換器,其專為高輸出電壓應用而優化,可提供高達 1000 V 的輸出。
2019-08-06 07:15:01
和SiC-MOSFET:SCT2H12NZ的隔離型準諧振AC/DC轉換器示例下一篇文章計劃介紹用于設計的電源IC和準諧振類型。關鍵要點:?準諧振方式的隔離型AC/DC轉換器的設計案例。?功率開關中使用SiC-MOSFET。
2018-11-27 17:03:34
本章作為AC/DC轉換器設計篇的第2彈,介紹非隔離型降壓轉換器的設計案例。在AC/DC轉換器設計篇,首先以“AC/DC PWM方式反激式轉換器設計手法”為題,就隔離型反激式AC/DC轉換器
2018-11-27 17:04:42
描述 PMP9750 是一種 CLL 諧振轉換器參考設計,輸入電壓為 400VDC,輸出電壓為 28V/9A。與 LLC 系列諧振轉換器不同,PMP9750 中使用的 CLL 諧振轉換器利用其輸出
2022-09-22 08:32:08
DN05078 / D,設計說明描述了NCP1361BABAY,15瓦,通用交流輸入,隔離準諧振反激式轉換器,適用于智能手機,平板電腦充電器和智能插座電源等。特色電源為初級側恒流和次級恒壓采用TSOP6封裝的新型NCP1361電流模式控制器進行調節
2019-06-18 10:50:10
在隔離型DC/DC轉換器設計,氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)具有低傳導損耗、低開關損耗、低驅動功率及低電感等優點,可以實現更高功率密度、在高頻時更大電流及高效以及在諧振設計的占空比更高,從而
2019-04-04 06:20:39
失效模式等。項目計劃①根據文檔,快速認識評估板的電路結構和功能;②準備元器件,相同耐壓的Si-MOSFET和業內3家SiC-MOSFET③項目開展,按時間計劃實施,④項目調試,優化,比較,分享。預計成果分享項目的開展,實施,結果過程,展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
,以及源漏電壓進行采集,由于使用的非隔離示波器,就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄:綠色:柵極源極間電壓;黃色:源極漏極間電壓;由于Mosfet使用的SiC材料,通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V,負載我們設為0.9Ω的阻值,通過下圖來看實際的輸入和輸出情況:圖4 輸入和輸出通過電子負載示數,輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
、根據評估版原理圖,分析SIC MOS的驅動和保護方案。2、搭建一個非隔離的半橋結構的雙向DC-DC變換器樣機。預期參數:高壓端400V,低壓端200V,開關頻率250KHZ,電流10A。3、對DSP
2020-04-24 18:08:05
項目名稱:應用于電動汽車的基于 SiC 器件雙向諧振型 DC/DC 變換器試用計劃:申請理由:本人一直從事電源領域的學習與研究,并在前一段時間對于寬禁帶SiC器件進行了深入的調研,準備開展其在
2020-04-24 18:11:27
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板,感謝羅姆,感謝電子發燒友。先上幾張開箱圖,sic-mos有兩種封裝形式的,SCT3040KR,主要參數如下:SCT3040KL,主要參數如下:后續準備搭建一個DC-DC BUCK電路,然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
;Reliability (可靠性) " ,始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性:第一個高壓特性,比硅更好一些;而是高頻特性;三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
是ALTAIR05T-800,它是ALTAIR系列的第一個(全主傳感開關穩壓器)。該IC在同一封裝中集成了高性能,低電壓PWM控制器芯片和800V,雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一種準諧振(QR)電流模式控制器IC,專為QR ZVS(零電壓開關)反激式轉換器而設計
2020-08-12 08:43:59
狀態之間轉換,并且具有更低的導通電阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻(圖 1)。圖 1:SiC MOSFET(右側)與硅
2017-12-18 13:58:36
。從圖 11 中未觀察到異常柵極驅動信號,也未看到明顯的效率差異。 結論 本文介紹了一種采用 SiC MOSFET 和集成磁性元件的 LLC 諧振 DC/DC 轉換器,并在 500 kHz
2023-02-27 14:02:43
啟動后動作不同的新機型單品及評估板BM2SC123FP2-EVK-001均可通過電商平臺購買內置SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ的主要規格和功能下面總結
2022-07-27 11:00:52
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
介紹了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二極管的100KHz,10KW交錯式硬開關升壓型DC / DC轉換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關損耗使得開關頻率在硅實現方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
耐壓MOSFET的DC/DC轉換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉換器IC的業界頂級水平,在ROHM的目前產品陣容中,也是耐壓最高的DC/DC轉換器IC。ROHM在推出該
2019-04-08 08:48:17
評估板EVAL-PS-E1BF12-SIC用于評估FF11MR12W1M1_B11和FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC MOSFET模塊。評估板允許執行雙脈沖測量以及DC / DC轉換器的功能測試。因此,該板設計為雙向降壓 - 升壓轉換器。它適用于太陽能,UPS,EV充電等應用
2019-04-29 09:00:44
比較數據。SCT2H12NZ與BD7682FJ-LB的評估板已作為“BD7682FJ-LB-EVK-402”在網上銷售,因此可立即進行使用優化SiC-MOSFET的反激式轉換器的評估。ROHM除該反激式
2018-12-04 10:11:25
CRD-60DD12N,60 kW交錯式升壓轉換器演示板基于1200 V,75mΩ(C3M)SiC MOSFET。該演示板由四個15 kW交錯升壓級組成,每個級使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅動板
2019-04-29 09:18:26
,廣泛用于消費產品的電源設計中。新型的綠色電源系列控制器實現低至150 mW 的典型超低待機功耗。本文將闡述準諧振反激式轉換器是如何提高電源效率以及如何用UCC28600設計準諧振電源。 1 常規
2018-09-29 16:38:13
導讀:新型的綠色電源系列控制器實現低至150 mW 的典型超低待機功耗。本文將闡述準諧振反激式轉換器是如何提高電源效率以及如何用UCC28600設計準諧振電源。 1 常規的硬開關反激電路 圖1
2018-11-29 11:24:13
隔離型DC-DC轉換器歷來通過分立元件實施-分立驅動IC和分立功率MOSFET。這些器件被用于各種拓撲結構。最主要的是“半橋”和“全橋”。許多云基礎設施的應用采用半橋和全橋拓撲結構,如無線基站(遠程
2018-10-24 08:59:37
設計方面,SiC功率模塊被認為是關鍵使能技術。 為了提高功率密度,通常的做法是設計更高開關頻率的功率轉換器。 DC/DC 轉換器和應用簡介 在許多應用中,較高的開關頻率會導致濾波器更小,電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
。反向恢復電流非常高并且在啟動期間足以造成直通問題,如圖4所示圖4: 啟動期間LLC 諧振轉換器中的波形。圖4: 啟動期間LLC 諧振轉換器中的波形
2019-01-15 17:31:58
本設計實例介紹了一種使用Sparkfun USB-to-UART通用板(BOB)搭建的低成本隔離型USB-to-UART轉換器。
2021-05-20 06:32:55
的C3M0060065D 650V 60mohm SiC MOSFET,CCM圖騰柱PFC的高頻半橋選擇了兩個并聯器件。 PFC的低頻半橋以及CLLC諧振轉換器的直流母線側和電池側均選擇單個C3M0060065D
2023-02-27 09:44:36
]Nch1700V3.7A35W1.15Ω(Typ.)14nC(Typ.)4A44W57W0.75Ω(Typ.)17nC(Typ.)☆:開發中SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點必看與SiC用AC/DC轉換器控制IC組合,效率顯著提高< 相關產品信息 >SiC-MOSFETSi-MOSFET
2018-12-05 10:01:25
這些準諧振DC-DC轉換器一起使用,其預期工作頻率為100 kHz。他們參與其中的系統具有微計算機控制,其軟件以100 kHz頻率為基礎,我的任務是對轉換器的運行情況進行最壞情況分析。圖1這是準諧振
2020-06-03 13:46:47
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低。全SiC功率模塊的結構現在正在量產的全SiC功率模塊有幾種類型,有可僅以1個模塊組成半橋電路的2in1型,也有可僅以1個模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
采用雙溝槽結構的SiC-MOSFET,與正在量產中的第2代平面型(DMOS結構)SiC-MOSFET相比,導通電阻降低約50%,輸入電容降低約35%。實際的SiC-MOSFET產品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入,但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
CRD-060DD17P-2,采用市售1700V碳化硅(SiC)MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET,采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝,占板面
2019-04-29 09:25:59
本設計事例使用稱為反激式的變壓器方式。在這里,將說明反激方式的基本電路和特征。反激式轉換器除了一般的PWM控制外,還有自勵型的RCC(Ringing Choke ConVerter)、RCC利用
2018-11-27 17:01:04
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器,開發出耐壓高達1200V的第2代SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述,本文中會涉及“準諧振轉換器”的設計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此,設計中所使用的電源IC,是可將
2018-11-27 16:54:24
均高于96.5%的原型,其中CCM圖騰柱PFC轉換器為67 kHz,CLLC諧振轉換器為150-300 kHz。通過將功率半導體和功率磁器件集成在同一工具散熱器上,由于650V SiC MOSFET的低功率損耗,因此在雙向高功率轉換應用(例如EV的OBC)中可以實現高功率密度和高效率。
2019-10-25 10:02:58
描述PMP7167 是采用 UCC28610 的隔離型準諧振反激式參考設計。低待機電流和快速啟動是其共源共柵架構的優點。PMP7167 基于 PMP5643 Rev_B PWB 而構建。特性滿負載
2022-09-27 07:01:27
%。這非常有望進一步實現應用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產品陣容現狀。除BSM180D12P3C007外,采用第2代SiC-MOSFET的產品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
描述此 PMP4736 采用通用準諧振隔離式反向,從通用線路開始,提供 9.6V @ 1.3A 電流。轉換器得益于“級聯”拓撲,可進一步減少無負載損失(此處為 80mW @ 230Vac),實現超極啟動時間。
2018-07-13 03:22:47
非隔離式的DC-DC轉換器都是基于降壓,升壓以及降壓-升壓型DC-DC轉換器而衍生出來的,下面就簡單介紹一下這三種DC-DC轉換器。 1.降壓型DC-DC轉換器 圖1顯示的是降壓型DC-DC
2020-12-09 15:28:06
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制,采用節省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率,STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間,并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
處理器(例如ADSP-CM419F)完成。最后,利用高能效隔離式∑-?型轉換器(例如AD7403)檢測電壓,從而實現設計的緊湊性。在Si IGBT到SiC MOSFET的過渡階段,必須考慮混合拓撲結構
2018-10-22 17:01:41
oss和Q rr也很重要。在如圖1所示的電感-電感-電容器-串聯諧振轉換器(LLC-SRC)之類的諧振轉換器中,諧振儲能電路中的電流對FET 的C oss進行充電/放電(圖2中的狀態1),以便實現零電壓
2022-05-11 10:17:28
和MOSFET器件的同時,沒有出現基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同,但它們到底有什么區別呢?本文將針對與IGBT的區別進行介紹。
2017-12-21 09:07:04
36485 
當輸入電壓上升時,如果過流限制是恒定的,則容許功率將直接增加。當輸入電壓超過設置值時,這種校正功能可通過降低電流限制電平來降低損耗功率,從而使過負載時的保護更可靠。
2019-04-24 12:57:29
943 
由于浪涌電壓不僅受變壓器的漏電感影響,還受PCB板薄膜布線的寄生分量影響,因此需要在組裝于實際PCB板中的狀態下確認Vds,并根據實際的電壓調整緩沖電路。
2019-08-22 09:13:29
2156 
當輸入電壓上升時,如果過流限制是恒定的,則容許功率將直接增加。當輸入電壓超過設置值時,這種校正功能可通過降低電流限制電平來降低損耗功率,從而使過負載時的保護更可靠。
2019-08-22 10:08:38
1684 
為了獲得所需的耐壓,我們采用了串聯連接電容的手法,但在這種情況下,需要保持施加到所有電容的電壓均衡,因而需要與各電容并聯連接平衡電阻。從電路圖中可以看出,平衡電阻是串聯在輸入端和GND之間,因此流經平衡電阻的電流只是一種損耗,故建議選擇470kΩ以上的電阻值。
2019-08-22 10:30:25
1706 
,硅基 IGBT 廣泛用于大功率轉換器設計。表 1 提供了基于 Si 的模塊和基于 SiC-MOSFET 的模塊之間基于其開關速度的比較。
2022-07-26 08:02:53
1061 
LLC 諧振轉換器可用于各種應用,如消費電子產品,以及可再生能源應用,如光伏、風能、水力和地熱等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的詳細比較具有寬輸入電壓范圍的半橋 LLC 轉換器。
2022-07-29 09:44:20
1207 
功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體有如下優勢,如低損耗、高速開關、高溫工作等,顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較,進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:13
2874 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外,除了SiC-MOSFET,還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51
645 
繼前篇結束的SiC-SBD之后,本篇進入SiC-MOSFET相關的內容介紹。功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19
210 
近年來超級結(Super Junction)結構的MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET,ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19
525 
從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:20
644 
上一章針對與Si-MOSFET的區別,介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別:Vd-Id特性,Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:20
1722 
上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20
790 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中,ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用,在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:21
1381 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-08 13:43:21
366 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外,包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異,如果有不明之處或希望確認現在的產品情況,請點擊這里聯系我們。
2023-02-08 13:43:21
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ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:08
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ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04
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上一篇文章對設計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設計案例的電路。準諧振方式:上一篇文章提到,電源IC使用的是SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06
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從本文開始進入具體的設計,比如計算相關電路常數等。首先是變壓器T1的設計。計算步驟如下。這與“隔離型反激式轉換器電路設計:變壓器設計(數值計算)”中的思路基本相同,可以參考這篇文章中的內容。
2023-02-17 09:25:06
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在前面的“變壓器T1的設計 其1”中,對下述計算步驟①~③進行了說明。本文作為“其2”來計算剩下的④~⑥,并結束變壓器T1的設計篇。①反激式電壓VOR的設定②一次側繞組電感值Lp、一次側的最大電流Ippk的計算③變壓器尺寸的決定④一次側繞組匝數Np的計算⑤二次側繞組匝數Ns的計算⑥VCC繞組匝數Nd的計算
2023-02-17 09:25:06
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截至上一篇文章,結束了部件選型相關的內容,本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結。使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07
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這之前介紹了示例電路的各部件選型要點、常數的計算、PCB板布局示例,最后將利用示例電路來確認并評估一下效率和波形。本文將給出整個電路和所有部件清單。部件表中的部件是示例電路中使用的部件清單。
2023-02-17 09:25:07
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此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”,本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設計案例中有兩個關鍵要點。一個是功率開關中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08
480 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過,如低損耗、高速開關、高溫工作等,顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較,進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47
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本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57
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如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結構上講,體二極管是由源極-漏極間的pn結形成的,也被稱為“寄生二極管”或“內部二極管”。對于MOSFET來說,體二極管的性能是重要的參數之一,在應用中使用時,其性能發揮著至關重要的作用。
2023-02-24 11:47:40
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在SiC-MOSFET不斷發展的進程中,ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18
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本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-24 11:49:19
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相對于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗,實現了高頻率工作,有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET,導通電阻較小,可減少相同導通電阻的芯片面積,并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:33
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如何避免LLC諧振轉換器中的MOSFET出現故障? 在LLC諧振轉換器中,MOSFET扮演著至關重要的角色。因為它們在轉換器的關鍵電路中,控制著電流的流動和開關。但是,由于轉換器的工作環境可能很嚴
2023-10-22 12:52:19
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