第 1 部分從討論傳導發射開始，我們看到了 CM（共模）發射路徑的第一個示例。我們注意到，來自 EUT（被測設備）的一些 RF 耦合到附近的（垂直和水平）板中，并且信號作為共模噪聲返回到 EUT。我們還看到頻譜分析儀連接到 LISN 以測量每條線路的傳導發射（峰值和準峰值）。

第 2 部分將更詳細地研究這一點，并討論一些減少傳導發射的方法。我們不會進行理論分析，但需要進行一些分析以使這些系列易于理解。我將盡可能簡單地討論。

了解共模噪聲路徑

第 1 部分描述了典型 EMC 測試場景中的共模環路。理解這一點至關重要，因為它將為您提供解決此問題的工具。每個設計的這條路徑都會略有不同，但一旦確定，您將擁有解決它所需的所有工具。

讓我們從一個例子開始。在圖 1 中，我們有一個 DC/DC 轉換器，其 MOS 開關連接到散熱器。MOS 使用不良絕緣材料連接到加熱裝置。在這種情況下，散熱器可能是傳導發射和輻射發射的原因。但是怎么做？如果您想象在散熱器和接地（垂直）板之間有一個寄生電容，即使只有一個 20 pF 的寄生電容，您也可以創建一個 CM 環路，如下圖所示。

圖 1.高寄生電容導致的共模電流環路。圖片由 Francesco Poderico 提供

你能看見它嗎？在這個簡單的示例中，散熱器是 CM 回路的來源。由于我們知道來源，我們可以修復它。我們可以大幅度減少排放，有很多方法可以做到。

例如，如果可以將散熱器主體連接到大地（這并不總是可行的，我們將 CM 回路從之前的圖 1 中的內容更改為下面的內容：

圖 2. CM 環路現在非常小，因為我們已經大大降低了寄生電容的影響。圖片由 Francesco Poderico 提供

你現在能看到嗎？CM 電流沒有穿過 LISN，所以我們沒有 CE 發射。

但是如果我們不能做到這一點呢？如果我們不能將散熱器接地怎么辦？

我們還有另一種修改環路的方法，例如，使用屏蔽電纜并將電纜接地。

圖 3. CM 電流繞過 LISN。圖片由 Francesco Poderico 提供

您現在能看到屏蔽電纜如何修改 CM 回路嗎？我們正在“幫助”CM 電流“繞過”LISN。

你可能會說，好吧，但是屏蔽電纜太貴了。我們有別的辦法嗎？是的，我們還有其他方法。最常見的？使用共模扼流圈。

選擇正確的 CM 扼流圈需要三個主要參數：

1.扼流圈允許的最大電流

2. 預期排放圖

3.最大衰減

扼流圈允許的最大電流

讓我們從當前開始。在我的設計中，我選擇扼流圈以使電流至少是 EUT 預期最大值的 2 或 3 倍（例如，如果 EUT 需要 1 A，我選擇 2 或 3 A 的扼流圈）。我這樣做是為了避免過濾器的磁性退化。

預期排放圖

在較低的頻率范圍域（150 kHz - 30 MHz）中，大多數輻射是由 DC/DC（或 AC/DC）轉換器引起的。這些組件通常在幾 MHz 或更少左右切換。因此，大多數預期排放將是基波的諧波。因此，例如，如果我們只有一個以 1 MHz 切換的 DCDC 轉換器，我希望看到大部分發射頻率為 1 MHz、3 MHz、5 MH 等等。（在另一篇文章中，我將討論如何在不使用 CM 扼流圈的情況下對抗偶次諧波。）

因此，關鍵部分是我們的 CM 扼流圈需要能夠至少從 1 MHz 到 30 MHz 進行濾波，而不是從 150 kHz 到 30 MHz。

最大衰減

最后，我們必須確定在 1MHz 到 30MHz 的頻率范圍內我們想要的最大衰減。正如我們之前看到的，我們無法真正控制寄生電容，它可能在 20 pF 左右，但可能會更小。我們不知道，直到我們測試該單元。我根據類似項目的經驗設置衰減，例如 30 dB。一旦我掌握了所有這三個參數，我終于可以去找扼流圈制造商看看他們的插入損耗圖了。如今，大多數 CM 扼流圈制造商至少提供兩張圖表，一張用于 CM 插入損耗，另一張用于 DM（差模）插入損耗。這些圖表是從 LISN 的角度進行測量的，因此當我們將其添加到電源線時，我們應該期待類似的衰減。我們只對 CM 插入損耗感興趣。