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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>瞬態(tài)事件對LDO動態(tài)性能的影響

瞬態(tài)事件對LDO動態(tài)性能的影響

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Intersil新推一流壓差和瞬態(tài)性能的新款LDO穩(wěn)壓器

創(chuàng)新電源管理與精密模擬解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Intersil公司(納斯達(dá)克交易代碼:ISIL)今天宣布,推出兩款新的高性能單路輸出低壓差(LDO)穩(wěn)壓器--- ISL80510和ISL80505,它們可提供一流的壓差和瞬態(tài)性能,適用于對噪聲敏感的負(fù)載。
2015-10-09 11:15:04997

使用LDO進(jìn)行設(shè)計(jì)的一些鮮為人知的方面

(ESR)。現(xiàn)代 LDO 使這變得更加容易,因?yàn)樗鼈冎С指鞣N輸出電容器,包括低 ESR 陶瓷類型。電源抑制 (PSRR) 等 LDO 性能指標(biāo)也受到關(guān)注,因?yàn)樵撝笜?biāo)定義了 LDO 抑制其輸入紋波和噪聲的效率。 本文介紹了使用 LDO 進(jìn)行設(shè)計(jì)的一些鮮為人知的方面。 ? 重復(fù)負(fù)載瞬態(tài)行為 即使使用低
2022-04-12 13:51:2711763

低壓差穩(wěn)壓電源LDO芯片設(shè)計(jì)

LDO是用來做什么的?對于一個(gè)電源來說,我們希望得到一個(gè)非常干凈的DC電壓,但是,負(fù)載的瞬態(tài)變化以及輸入紋波都是LDO需要考慮的干擾因素。
2023-06-25 16:17:192573

LDO的參數(shù)指標(biāo)分析(1)

文章一開始介紹了LDO的歷史和由來,以及為什么需要LDO這個(gè)東西。像在鎖相環(huán)或者SAR ADC這樣的系統(tǒng)里,由于不同模塊的瞬態(tài)電流具有不同的頻率分量,為防止模塊之間的干擾,一般不會共享同一個(gè)電源。也就是說,每個(gè)模塊需要一個(gè)單獨(dú)的LDO。那么LDO的設(shè)計(jì)就顯得尤為重要。
2023-11-22 16:17:18654

300/600mA的超快瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器的典型應(yīng)用

RT9166 300 / 600mA,超快瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器的典型應(yīng)用。 RT9166 / A系列是CMOS低壓差穩(wěn)壓器,針對超快速瞬態(tài)響應(yīng)進(jìn)行了優(yōu)化
2020-08-17 09:31:43

LDO用于數(shù)字負(fù)載和模擬負(fù)載以及射頻負(fù)載需要關(guān)注的指標(biāo)

LDO因?yàn)楠?dú)特的性能優(yōu)勢獲得廣泛的應(yīng)用,但不同的應(yīng)用對LDO的關(guān)鍵特性要求一般不一樣,這里小編從專家觀點(diǎn)文章中整理一些相關(guān)內(nèi)容分享給大家供參考哦: LDO用于數(shù)字負(fù)載:像ADP170
2018-10-19 15:11:53

LDO的PSRR與什么有關(guān)?有沒有性能較好的LDO推薦。

LDO的PSRR與什么有關(guān)?有沒有性能較好的LDO推薦。
2022-03-21 17:46:37

LDO的噪聲來源是什么?對輸出噪聲有什么影響?

的影響。對于高性能的時(shí)鐘和射頻頻綜產(chǎn)品,為了獲得極低的相噪性能,往往采用低噪聲的 LDO 供電。然而,采用不同的 LDO 給頻綜供電,取得的相噪性能往往會有很大差別,同時(shí),LDO 外圍電路設(shè)計(jì)也會影響到頻綜的相噪性能
2019-08-21 08:04:28

LDO的工作原理是什么呢

隨著便攜式的電子產(chǎn)品種類數(shù)量逐漸變多,一款好的電源管理芯片往往會給電子產(chǎn)品帶來給優(yōu)質(zhì)的性能,在電源管理芯片中,LDO起到一個(gè)很重要的作用,在進(jìn)入模擬IC到現(xiàn)在一直在進(jìn)行LDO的學(xué)習(xí)和研究,那么LDO
2021-12-27 07:43:10

LDO線性穩(wěn)壓器的研究與設(shè)計(jì)

。此外,由于LDO還具有較好的線性瞬態(tài)響應(yīng)和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),使它在便攜式、工業(yè)化、汽車行業(yè)等領(lǐng)域占有重要地位,比如在PDA,MP3播放器,無線電話,DDR等電子設(shè)備中應(yīng)用廣泛。因此,LDO的設(shè)計(jì)成為當(dāng)前
2009-12-02 11:07:59

LDO芯片的六大重要參數(shù)解析

LDO芯片的動態(tài)性能有哪些?LDO芯片的靜態(tài)電流的大小與芯片有何關(guān)系?
2021-11-01 07:11:39

LDO輸出電容器

消除這些元件。請注意,利用較低ESR的大電容器一般可以全面提高PSRR、噪聲以及瞬態(tài)性能。陶瓷電容器通常是首選,因?yàn)樗鼈儍r(jià)格低而且故障模式是斷路,相比之下鉭電容器比較昂貴且其故障模式是短路。請注意,輸出
2011-06-16 16:13:55

動態(tài)電壓調(diào)節(jié)與雙 LDO

`描述此應(yīng)用解決方案詳細(xì)說明雙通道 LDO 可以如何用于提供動態(tài)電壓調(diào)節(jié)輸出。此功能在為工作電壓范圍較寬的微控制器供電方面有特殊用途:在可能的情況下通過降低 MCU 的工作電壓來實(shí)現(xiàn)更低的功耗是一種
2015-03-13 15:58:45

瞬態(tài)干擾的抑制和瞬態(tài)保護(hù)器件

瞬態(tài)脈沖干擾和浪涌會導(dǎo)致電子產(chǎn)品的性能下降甚至損壞,因此,瞬態(tài)脈沖干擾抑制和浪涌防護(hù)問題已經(jīng)得到越來越多設(shè)計(jì)者的重視,國家在對于不同的應(yīng)用環(huán)境,出臺了相關(guān)EMC標(biāo)準(zhǔn)。常見的瞬態(tài)干擾(設(shè)備需要通過試驗(yàn)
2019-02-26 17:15:10

ETA5050/5055,500mA低噪聲,高PSRR,瞬態(tài)響應(yīng)LDO,兼容LM3985

是一種低損耗(LDO)線性調(diào)壓器,具有超高電源抑制比(PSRR)、超低靜止電流、快速啟動和優(yōu)良的線路和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。它的PSRR可高達(dá)1.2V,輸出102dB。因此,ETA5055是噪聲敏感應(yīng)用的理想電源
2022-03-16 14:33:53

IP Camera監(jiān)控系統(tǒng)的視頻性能動態(tài)分析,不看肯定后悔

IP Camera的優(yōu)勢是什么?IP Camera監(jiān)控系統(tǒng)的視頻性能動態(tài)分析
2021-06-01 06:20:17

MCP1754高性能LDO的典型應(yīng)用

MCP1754 150 mA,16V,高性能LDO的典型應(yīng)用。 MCP1754 / MCP1754S是CMOS低壓差(LDO)穩(wěn)壓器系列,可提供高達(dá)150 mA的電流,同時(shí)僅消耗56.0 uA的靜態(tài)電流(典型值)
2020-05-25 07:46:59

MCP1755S高性能LDO的典型應(yīng)用

MCP1755S 300mA,16V,高性能LDO的典型應(yīng)用。 MCP1755 / 1755S是CMOS低壓差(LDO)穩(wěn)壓器系列,可提供高達(dá)300 mA的電流,同時(shí)僅消耗68.0 uA的靜態(tài)電流(典型值)
2020-05-25 14:14:27

【轉(zhuǎn)】LDO電源參數(shù)(個(gè)人整理后續(xù)逐漸更新)

LDO設(shè)計(jì)的重要方面可以在三類中規(guī)范進(jìn)行說明:1、靜態(tài)規(guī)范:靜態(tài)規(guī)范,包括線路和負(fù)載規(guī)則,以及溫度系數(shù)。2、動態(tài)規(guī)范:動態(tài)狀態(tài)規(guī)范,包括由暫態(tài)負(fù)載電流步驟和波紋抑制比引起的線路和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。3
2018-11-02 22:11:35

為什么要進(jìn)行電源的瞬態(tài)響應(yīng)測試呢

為什么IC需要自己的去耦電容?為什么要進(jìn)行電源的瞬態(tài)響應(yīng)測試?天線和整機(jī)的無線性能的測試方法有幾種?各有什么特點(diǎn)?求大神解答
2021-11-04 06:40:08

關(guān)于LDO穩(wěn)壓芯片應(yīng)用選型和應(yīng)用參考

LDO主要由PMOS、誤差放大器、反饋電阻和基準(zhǔn)參考電壓構(gòu)成。LDO主要工作流程是將輸出電壓通過分壓電阻分壓,與基準(zhǔn)參考電壓做比較,通過運(yùn)放輸出來調(diào)節(jié)PMOS管的導(dǎo)通壓降從而進(jìn)行動態(tài)的輸出穩(wěn)壓。  選型
2023-04-04 14:52:41

具有低噪聲輸出電壓和高紋波抑制性能LDO線性穩(wěn)壓器的典型應(yīng)用

NCP4688 150 mA,低噪聲,LDO線性穩(wěn)壓器的典型應(yīng)用。 NCP4688是一款CMOS 150 mA LDO線性穩(wěn)壓器,具有高輸出電壓精度,具有低噪聲輸出電壓和高紋波抑制性能。低電平輸出噪聲10 Vrms通常保持在任何輸出電壓
2020-07-25 11:12:30

分享一個(gè)60V輸入LDO芯片資料

MST56XXB系列是一種高輸入電壓(60V),低靜態(tài)電流,高PSRR線性穩(wěn)壓器(LDO)能夠提供150毫安的負(fù)載電流。LDO具有對線電壓瞬態(tài)和負(fù)載電流瞬態(tài)響應(yīng)非常快的特點(diǎn),并確保在LDO啟動和短路
2020-08-07 09:16:21

衛(wèi)星應(yīng)用如何選擇合適的LDO

耐輻射低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 是許多航天級子系統(tǒng)(包括現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和模擬電路)的重要電源元件。LDO 有助于確保為性能取決于干凈輸入的元件提供穩(wěn)定的低噪聲和低紋波電源
2022-11-03 08:23:55

可滿足高性能數(shù)字接收機(jī)動態(tài)性能要求的ADC和射頻器件有哪些?

可滿足高性能數(shù)字接收機(jī)動態(tài)性能要求的ADC和射頻器件有哪些?
2021-05-28 06:45:13

基于LDO實(shí)現(xiàn)簡潔的電源以提高圖像傳感器質(zhì)量

1 – 不良的PCB布板和電容布局引起的Vdd上的電壓紋波輸出電容的選擇必須考慮到低壓降穩(wěn)壓器(LDO)的穩(wěn)定性,在瞬態(tài)響應(yīng)和啟動間隔/過沖時(shí)保持充電。電源抑制比(PSRR)影響PSRR描述了穩(wěn)壓系統(tǒng)
2018-10-24 08:42:25

基于LDO的電源管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)

,第二級與第三級的帶寬要大,以便保證LDO處在穩(wěn)定狀態(tài)。同時(shí)也應(yīng)保證在較寬的  對于一個(gè)內(nèi)部米勒補(bǔ)償?shù)母咴鲆嫦到y(tǒng),米勒補(bǔ)償能夠更好地在較大的負(fù)載電容范圍內(nèi)控制其穩(wěn)定性,同時(shí),它也會提供一個(gè)更好的瞬態(tài)
2018-09-25 14:33:35

基于大電流LDO的FPGA供電設(shè)計(jì)

用大電流 LDO 為 FPGA 供電需要低噪聲、低壓差和快速瞬態(tài)響應(yīng)
2019-06-19 12:21:43

基于高性能LDO線性穩(wěn)壓器的電路設(shè)計(jì)

,并以一個(gè)很小的電阻開啟與R串聯(lián),此時(shí)MP表現(xiàn)為一個(gè)開關(guān)。此時(shí)調(diào)整管柵極對VDD的電阻會極大地減小,同時(shí)前級偏置電流增加,帶寬也會增加。從環(huán)路穩(wěn)定性來說,它允許LDO通過動態(tài)的改變調(diào)整管柵極處的帶寬和電阻來適應(yīng)負(fù)載電流的改變,從而較好地提高電路的瞬態(tài)響應(yīng)。
2011-05-25 11:32:40

基于高性能LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

C1用來為電路進(jìn)行頻率補(bǔ)償,第二級與第3J的帶寬要大,以便保證LDO處在穩(wěn)定狀態(tài)。同時(shí)也應(yīng)保證在較寬的頻帶下調(diào)整管的輸出電阻維持不變,以便得到較好的電源抑制性能。若將A2、A3、A4簡化成一個(gè),這樣,一
2011-07-09 16:05:47

基于高性能LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

偏置電流增加,帶寬也會增加。從環(huán)路穩(wěn)定性來說,它允許LDO通過動態(tài)的改變調(diào)整管柵極處的帶寬和電阻來適應(yīng)負(fù)載電流的改變,從而較好地提高電路的瞬態(tài)響應(yīng)。   2 過壓保護(hù)   當(dāng)LDO的輸出電源電壓高于
2011-04-14 09:52:58

基于高性能LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

偏置電流增加,帶寬也會增加。從環(huán)路穩(wěn)定性來說,它允許LDO通過動態(tài)的改變調(diào)整管柵極處的帶寬和電阻來適應(yīng)負(fù)載電流的改變,從而較好地提高電路的瞬態(tài)響應(yīng)。   2 過壓保護(hù)   當(dāng)LDO的輸出電源電壓高于
2011-08-29 09:36:09

如何選擇合適的LDO?

必需的電壓以下,則我們說 LDO 出現(xiàn)“壓降”,輸出等于輸入減去旁路元件 (pass element) 的 RDS(on) 乘以負(fù)載電流。  需要注意壓降時(shí)的性能變化。驅(qū)動旁路晶體管的誤差放大器完全
2021-01-28 17:09:01

常用的LDO相關(guān)術(shù)語

、靜態(tài)電流、接地電流、關(guān)斷電流、效率、直流輸入電壓和負(fù)載調(diào)整率、輸入電壓和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)、電源抑制比(PSRR)、輸出噪聲和精度。同時(shí),為了方便理解,文中采用了示例和插圖。設(shè)計(jì)過程中通常到后期才會進(jìn)行LDO 選型,并且很少進(jìn)行分析。本文所述的概念將使設(shè)計(jì)人員能夠根據(jù)系統(tǒng)要求挑選最佳的LDO。壓差壓差(
2021-11-15 07:38:55

有關(guān)LDO選型問題---意法半導(dǎo)體

轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品的比例均衡。3.LDO產(chǎn)品目前競爭十分激烈,本土LDO企業(yè)也開始逐步走向成熟,我們?nèi)绾翁幚磉@種競爭?3. 我們在兩個(gè)方面采取行動:壓縮成熟產(chǎn)品的成本,新產(chǎn)品在性能上尋求創(chuàng)新
2009-01-07 16:05:22

理解低壓差穩(wěn)壓器(LDO)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計(jì)

LDO 的接地電流變化與負(fù)載電流之間的關(guān)系。圖4. ADP160 LDO接地電流與負(fù)載電流之間的關(guān)系對于高性能CMOS LDO,接地電流通常遠(yuǎn)小于負(fù)載電流的1%。接地電流隨負(fù)載電流的增加而增加,因?yàn)?/div>
2019-10-18 08:30:00

用于參考手冊 II 的同步降壓、LDO(2.5V(6A))

LDO 可最大程度減小面積,同時(shí)具有出眾的跟蹤性能。特性適用于 DDR 或 DDR2 存儲器應(yīng)用的全套電源解決方案帶有集成式 LDO 的高效 (92%) 同步控制器用于快速瞬態(tài)響應(yīng)的自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制支持全部三種睡眠狀態(tài):掛起到 RAM、軟關(guān)機(jī)、掛起到磁盤
2015-04-14 10:07:16

看完這篇文章,別再說你不懂LDO了!

LDO能保持LDO恒定不變。當(dāng)負(fù)載電流快速變化時(shí),輸出電壓就會隨之改變。這個(gè)輸出電壓的改變量決定了負(fù)載瞬態(tài)性能,這個(gè)值越小越好。線性瞬態(tài)響應(yīng)在負(fù)載一定的時(shí)候,輸出電壓隨著輸入電壓改變而產(chǎn)生的變化量
2021-01-22 07:00:00

請教一個(gè)動態(tài)比較器的噪聲性能如何確定?

做一個(gè)低功耗的14bit的SAR ADC,異步結(jié)構(gòu),用動態(tài)比較器,請教動態(tài)比較器的噪聲性能如何確定?
2021-06-25 06:03:20

轉(zhuǎn):改善基于微控制器的應(yīng)用的瞬態(tài)免疫性能

之前在飛思卡爾官網(wǎng)查資料時(shí)發(fā)現(xiàn)了這篇關(guān)于《改善基于微控制器的應(yīng)用的瞬態(tài)免疫性能》的應(yīng)用手冊中文的喲{:12:}.覺得蠻不錯(cuò)的,大家有需要的可以看一看。 引言家電制造業(yè)的競爭日益激烈,市場調(diào)整壓力
2016-06-07 11:46:09

輸入電容和輸出電容在LDO 的應(yīng)用中扮演的角色

LDO(low dropout)是一種線性穩(wěn)壓器件,用于將高電壓降壓成較低電壓,使得電路中的器件能夠正常工作。在LDO的應(yīng)用中,輸入和輸出電容是非常重要的組成部分,對LDO性能和穩(wěn)定性具有重要
2023-03-11 18:04:26

面向12位500MSPS ADC的高效無LDO電源包括BOM及框圖

(SNR) 和無偽波動態(tài)范圍 (SFDR) 比較情況,證明它們的性能相同。主要特色效率從 47% 提升到 83%輸入電流從 620mA 降低到 350mA無需線性穩(wěn)壓器 (LDO) 為 ADC 穩(wěn)定供電保持 12 位性能尺寸小于 LDO 的直流/直流解決方案支持 5V 輸入電壓
2018-09-29 09:51:05

性能音頻系統(tǒng)的兩個(gè)關(guān)鍵器件(轉(zhuǎn))

時(shí),最受關(guān)注的規(guī)格常常是低噪聲和高電源電壓抑制比(PSRR)。然而,僅基于這些參數(shù)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)并不能真正提供最佳音頻性能,還必須檢查穩(wěn)壓器的瞬態(tài)響應(yīng),因?yàn)楫?dāng)音頻設(shè)備改變其工作模式時(shí),LDO上的負(fù)載需求
2019-03-15 12:06:49

利用動態(tài)密勒補(bǔ)償電路解決LDO的穩(wěn)定性問題

利用動態(tài)密勒補(bǔ)償電路解決LDO的穩(wěn)定性問題:針對LDO穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性問題,設(shè)計(jì)了一種新穎的動態(tài)密勒補(bǔ)償電路8與傳統(tǒng)方法相比,該電路具有恒定的帶寬,大大提高了系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)
2009-09-26 09:35:3826

一種LDo穩(wěn)壓器內(nèi)部動態(tài)頻率補(bǔ)償電路的設(shè)計(jì)

摘要:針對LDO穩(wěn)壓器需要進(jìn)行頻率補(bǔ)償?shù)奶攸c(diǎn),本文在分析了LDO穩(wěn)壓器利用輸出電容等效串聯(lián)電阻(EsR)進(jìn)行頻率補(bǔ)償原理的基礎(chǔ)上,提出了一種新穎的LDO穩(wěn)壓器動態(tài)頻率補(bǔ)償方法。
2010-04-28 08:51:3998

LDO動態(tài)補(bǔ)償電路的設(shè)計(jì)

摘要:分析了LDO穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性問題,在此基礎(chǔ)上提出了一種新型的動態(tài)補(bǔ)償電路,利用MOS管的開關(guān)電阻、等生電容等構(gòu)成的電阻電容網(wǎng)絡(luò),通過采樣負(fù)載電流而改變MOS開關(guān)管的工
2010-05-07 10:28:2032

LDO線性穩(wěn)壓器動態(tài)頻率補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)

摘要:對LDO線性穩(wěn)壓器關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了分析,重點(diǎn)分析了LDO穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性問題,在此基礎(chǔ)上提出了一種新型的動態(tài)頻率補(bǔ)償電路,利用MOS管的開關(guān)電阻、寄生電容等構(gòu)成的電阻電
2010-05-14 09:14:1584

LDO穩(wěn)壓器中動態(tài)頻率補(bǔ)償和限流保護(hù)的研究

文章針對LDO穩(wěn)定性的問題,提出了一種內(nèi)部動態(tài)頻率補(bǔ)償電路,使LDO線性穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性不受負(fù)載電容的等效串聯(lián)電阻的影響,其單位增益帶寬也不隨負(fù)載電流變化而改變,大大
2010-10-18 16:05:4448

極點(diǎn)跟隨的LDO穩(wěn)壓器頻率補(bǔ)償方法的研究

  LDO穩(wěn)壓器的頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì),不僅直接決定了頻率穩(wěn)定性,而且對LD0穩(wěn)壓器的性能參數(shù),尤其是瞬態(tài)響應(yīng)速度,有很大的影響。此外,隨著當(dāng)前半導(dǎo)體集成電路工藝的發(fā)展,越
2009-04-27 12:15:552791

#硬聲創(chuàng)作季 LDO熱設(shè)計(jì)-Colin

ldoLDO)
Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-20 19:10:37

RT9001應(yīng)用電路 (600ma,超快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓

RT9001應(yīng)用電路 (600ma,超快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器) Pin Configurations (TOP VIEW)
2009-11-20 09:56:401174

TVS瞬態(tài)干擾抑制器的性能與應(yīng)用

TVS瞬態(tài)干擾抑制器的性能與應(yīng)用 TVS 是 TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 的簡寫 中文簡稱為:瞬間
2009-12-09 12:24:372085

Intersil推出兩款具備業(yè)內(nèi)最快瞬態(tài)響應(yīng)的LDO

Intersil推出兩款具備業(yè)內(nèi)最快瞬態(tài)響應(yīng)的LDO Intersil推出兩款低電壓、大電流、低壓線性穩(wěn)壓器(LDO):ISL80102和ISL80103。它們可分別提供2A和3A輸出電流。當(dāng)市場上大多數(shù)LDO
2009-12-30 08:33:40595

GPS設(shè)備的動態(tài)性能

GPS設(shè)備的動態(tài)性能              接收機(jī)相對于地球表面運(yùn)動,則稱為動態(tài)定位。如用于車船等概略導(dǎo)航定位的精度為30
2009-12-31 14:12:28799

什么是GPS動態(tài)性能

什么是GPS動態(tài)性能     接收機(jī)相對于地球表面運(yùn)動,則稱為動態(tài)定位。如用于車船等概略導(dǎo)航定位的精度為30~100米的偽距
2010-01-29 10:15:50450

基于LabVIEW的瞬態(tài)溫度測試系統(tǒng)

針對極端工況下瞬態(tài)溫度動態(tài)診斷的難題,設(shè)計(jì)了以鎢錸快速熱電偶為傳感元件和LabV IEW為開發(fā)平臺的測試系統(tǒng),對熱電偶進(jìn)行了冷端溫度補(bǔ)償,實(shí)現(xiàn)了在侵蝕環(huán)境下的瞬態(tài)溫度的診斷。對
2011-06-22 17:41:5952

瞬態(tài)抑制器的性能與應(yīng)用

瞬態(tài)干擾指交流電網(wǎng)上出現(xiàn)的浪涌電壓、振鈴電壓、火花放電等瞬間干擾信號,其特點(diǎn)是作用時(shí)間極短,但電壓幅度高、瞬態(tài)能量大。
2011-11-02 14:09:461159

一種無片外電容LDO瞬態(tài)增強(qiáng)電路設(shè)計(jì)

利用RC高通電路的思想,針對LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強(qiáng)電路結(jié)構(gòu)。該電路設(shè)計(jì)有效地加快了LDO瞬態(tài)響應(yīng)速度,而且瞬態(tài)增強(qiáng)電路工作的過程中,系統(tǒng)的功耗并沒有增加。此LDO芯片設(shè)
2013-03-13 16:26:2340

動態(tài)來流對風(fēng)力機(jī)性能的影響_胡丹梅

動態(tài)來流對風(fēng)力機(jī)性能的影響_胡丹梅
2016-12-30 14:38:200

基于雙環(huán)調(diào)節(jié)的快速瞬態(tài)響應(yīng)無片外電容LDO

基于雙環(huán)調(diào)節(jié)的快速瞬態(tài)響應(yīng)無片外電容LDO_鐘俊達(dá)
2017-01-07 21:39:444

無片上電容的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)增強(qiáng)型LDO

無片上電容的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)增強(qiáng)型LDO_韓旭
2017-01-07 21:45:573

一種快速瞬態(tài)響應(yīng)的無片外電容LDO_孫建偉

一種快速瞬態(tài)響應(yīng)的無片外電容LDO_孫建偉
2017-01-07 21:45:575

一種快速瞬態(tài)響應(yīng)型自啟動LDO的設(shè)計(jì)_周朝陽

一種快速瞬態(tài)響應(yīng)型自啟動LDO的設(shè)計(jì)_周朝陽
2017-01-07 22:14:032

一種瞬態(tài)增強(qiáng)無片外電容LDO電路_周杭軍

一種瞬態(tài)增強(qiáng)無片外電容LDO電路_周杭軍
2017-01-08 10:18:578

負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性LDO電壓調(diào)整器

XC6505系列產(chǎn)品是消耗電流僅為5.5μA,具有既往的高速LDO同等水平的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性(紋波抑制60dB@1kHz)的LDO電壓調(diào)整器;對應(yīng)于1.7V-10.5V的輸入電壓范圍。
2019-01-03 11:08:0810613

LTM4624降壓型μModule穩(wěn)壓器的效和負(fù)載瞬態(tài)性能

效率,熱和負(fù)載瞬態(tài)性能_zh
2019-08-26 06:09:002700

如何設(shè)計(jì)適用于SoC片上系統(tǒng)的動態(tài)補(bǔ)償與動態(tài)偏置LDO

成為了電源管理芯片中的重要一員。而隨著電子系統(tǒng)對電源要求的提高,傳統(tǒng)的LDO已不能滿足人們對芯片效率、噪聲、精度、瞬態(tài)性能等指標(biāo)的要求。因而,高性能LDO的研究成了電源管理芯片領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
2019-12-31 11:12:1013

用大電流 LDO 為 FPGA 供電需要低噪聲、低壓差和快速瞬態(tài)響應(yīng)

用大電流 LDO 為 FPGA 供電需要低噪聲、低壓差和快速瞬態(tài)響應(yīng)
2021-03-19 02:38:477

具 55V 瞬態(tài)保護(hù)和集成 LDO 的 36V、500mA (IOUT) 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

具 55V 瞬態(tài)保護(hù)和集成 LDO 的 36V、500mA (IOUT) 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
2021-03-19 06:31:539

1.5A 負(fù) LDO 提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、低輸出噪聲和精確電流限制

1.5A 負(fù) LDO 提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、低輸出噪聲和精確電流限制
2021-03-20 15:39:169

大電流 LDO 應(yīng)用具增強(qiáng)的熱性能以減少了熱點(diǎn)

大電流 LDO 應(yīng)用具增強(qiáng)的熱性能以減少了熱點(diǎn)
2021-03-20 17:20:186

LT1764A演示電路-快速瞬態(tài)響應(yīng)、低噪聲LDO穩(wěn)壓器(10V至5V@2A)

LT1764A演示電路-快速瞬態(tài)響應(yīng)、低噪聲LDO穩(wěn)壓器(10V至5V@2A)
2021-04-09 21:23:2316

LT1963A演示電路-低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器(10V至[email protected])

LT1963A演示電路-低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器(10V至[email protected])
2021-04-09 21:28:0517

LT1963演示電路-低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器(10V至[email protected])

LT1963演示電路-低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器(10V至[email protected])
2021-04-09 21:32:1911

性能低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)

性能低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)
2021-04-20 14:36:218

ADM7172:6.5 V,2 A,超低噪聲,高電源抑制比,快速瞬態(tài)響應(yīng)CMOS LDO數(shù)據(jù)表

ADM7172:6.5 V,2 A,超低噪聲,高電源抑制比,快速瞬態(tài)響應(yīng)CMOS LDO數(shù)據(jù)表
2021-05-14 17:01:486

LT1764A:3A,快速瞬態(tài)響應(yīng),低噪聲,LDO穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表

LT1764A:3A,快速瞬態(tài)響應(yīng),低噪聲,LDO穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 20:04:564

ADM7170:6.5 V,500 mA,超低噪聲,高電源抑制比,快速瞬態(tài)響應(yīng)CMOS LDO數(shù)據(jù)表

ADM7170:6.5 V,500 mA,超低噪聲,高電源抑制比,快速瞬態(tài)響應(yīng)CMOS LDO數(shù)據(jù)表
2021-05-21 19:19:347

ADM7171:6.5 V,1 A,超低噪聲,高電源抑制比,快速瞬態(tài)響應(yīng)CMOS LDO數(shù)據(jù)表

ADM7171:6.5 V,1 A,超低噪聲,高電源抑制比,快速瞬態(tài)響應(yīng)CMOS LDO數(shù)據(jù)表
2021-05-21 19:33:0512

LT1963:1.5A、低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表

LT1963:1.5A、低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表
2021-05-22 21:10:248

LT1963A系列1.5A低噪聲快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表

LT1963A系列1.5A低噪聲快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表
2021-06-07 13:48:442

LT1764A演示電路-快速瞬態(tài)響應(yīng)、低噪聲LDO穩(wěn)壓器(10V至5V@2A)

LT1764A演示電路-快速瞬態(tài)響應(yīng)、低噪聲LDO穩(wěn)壓器(10V至5V@2A)
2021-06-11 13:02:4392

LT1963A演示電路-低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器(10V至[email protected])

LT1963A演示電路-低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器(10V至[email protected])
2021-06-11 13:05:2290

LT1963演示電路-低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器(10V至[email protected])

LT1963演示電路-低噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)LDO穩(wěn)壓器(10V至[email protected])
2021-06-11 13:10:2987

什么電路能提高電池壽命 LDO如何提供正確的電壓

迄今為止,限制數(shù)字LDO使用的主要障礙是緩慢的瞬態(tài)響應(yīng)。
2021-09-01 09:51:563532

抗輻照DAC芯片LDO電路和版圖設(shè)計(jì)

是給數(shù)字電路提供電源電壓,因此不僅要保證LDO的輸出精度,而且對電路的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)要求很高。本文分析對比了傳統(tǒng)LDO和無片外電容LDO在負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能上的差異,結(jié)合目前已有的無片外電容LDO負(fù)載瞬態(tài)增強(qiáng)
2021-09-17 10:28:010

LDO性能測試方案

LDO常用的電性能參數(shù)測試,主要包括輸出電壓、輸入輸出電壓差、線性調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率、靜態(tài)電流等。由于LDO的測試需要分別采集輸入與輸出端的數(shù)據(jù),因此一般情況下,測試系統(tǒng)至少需要配置2臺SMU
2021-12-24 15:31:375413

改善電源負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能的?設(shè)計(jì)方法

瞬態(tài)響應(yīng)性能瞬態(tài)定義為“僅維持一段短暫時(shí)間的事物"。但是,隨著微處理器工作速度和電流需求量的提高,當(dāng)負(fù)載電流發(fā)生瞬態(tài)變化時(shí),穩(wěn)壓器在指定范圍內(nèi)保持輸出電壓的能力成為一個(gè)廣泛存在的困擾。...
2022-02-11 14:16:5011

負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)與靜態(tài)電流的關(guān)系是怎樣的

選擇適當(dāng)?shù)呢?fù)載瞬態(tài)響應(yīng)同時(shí)還要盡量減小靜態(tài)電流很重要。良好的瞬態(tài)響應(yīng)通常意味著較高的LDO靜態(tài)電流;而不良的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)通常意味著較低的靜態(tài)電流。
2022-05-06 14:50:571877

NIS5112 瞬態(tài)性能

NIS5112 瞬態(tài)性能
2022-11-15 19:40:280

電源之LDO-3. LDO的熱性能

一、基本概念二、LDO的熱性能與什么有關(guān)? 三、 如何提高LDO的熱性能
2023-07-19 10:33:541361

LDO基礎(chǔ)知識:噪聲-降噪引腳如何提高系統(tǒng)性能

LDO基礎(chǔ)知識:噪聲-降噪引腳如何提高系統(tǒng)性能
2023-09-18 10:58:41606

求解瞬態(tài)問題時(shí),如何選擇階數(shù)和時(shí)步?

求解瞬態(tài)問題時(shí),如何選擇階數(shù)和時(shí)步? 瞬態(tài)問題在工程領(lǐng)域中也稱為動態(tài)問題,是指在時(shí)間上持續(xù)變化的物理問題。因?yàn)樯婕暗綍r(shí)間因素,因此在求解瞬態(tài)問題時(shí)需要考慮時(shí)間步長和階數(shù)這兩個(gè)重要參數(shù)。在本文中,我們
2023-10-29 11:35:22409

如何改善電源負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能

電源的瞬態(tài)響應(yīng)性能是指電源在負(fù)載變化時(shí)的輸出響應(yīng)速度和穩(wěn)定性。瞬態(tài)響應(yīng)性能好的電源可以在負(fù)載變化時(shí)快速調(diào)整輸出電壓和電流,從而保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
2023-11-02 12:36:59541

改善電源負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能的設(shè)計(jì)

電源的瞬態(tài)響應(yīng)性能是指電源在負(fù)載變化時(shí)的輸出響應(yīng)速度和穩(wěn)定性。瞬態(tài)響應(yīng)性能好的電源可以在負(fù)載變化時(shí)快速調(diào)整輸出電壓和電流,從而保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
2023-11-06 16:30:23385

快速判斷LDO VOUT的變化方向

我們知道,在LDO或者開關(guān)變換器里,VIN(輸入電壓)以及i(負(fù)載電流)的突變會引起VOUT(輸出電壓)的瞬態(tài)變化,引起overshoot(過沖)或undershoot(下沖)的現(xiàn)象。當(dāng)然,這和電路本身的帶寬有關(guān)。這里僅以LDO為例,快速判斷VOUT的變化方向。
2023-11-07 17:29:53281

瞬態(tài)事件如何影響LDO動態(tài)性能

瞬態(tài)事件如何影響LDO動態(tài)性能
2023-11-28 16:43:39239

快速瞬態(tài)響應(yīng)750 mA LDO穩(wěn)壓器TPS777系列數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《快速瞬態(tài)響應(yīng)750 mA LDO穩(wěn)壓器TPS777系列數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-04 10:40:590

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