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Q: S參數主要是什么參數?
A: S參數英文是Scattering parameter。是指元器件反射信號和傳輸信號的特性，因此S參數包含反射參數，如S11，S22等；傳輸參數S12，S21等。
Q: 請問一下,在哪些產品的測試中需要測這個參數,不了解.
A: 所有的無源和有源器件都可以用S參數表征。無源器件如濾波器、衰減器、隔離器、功分器、環形器等；有源器件如放大器、混頻器、變頻器等。
Q: 測試PCB上的阻抗時對地端連接有什么要求嗎?
A: 如果您PCB上有同軸連接器，網絡分析儀電纜連接同軸接頭時就接地了，（接頭中心導體傳輸信號，外導體接地）；如果是用探針測量PCB上的傳輸線，探針上一般也有傳信號的針和接地的針。
Q: 用網絡分析儀如何測試駐波比及反射系數？
A: 用網絡分析儀來測試駐波比和反射系數非常簡單，反射系數即是S11，參數設置為S11，格式為log mag即為S11的幅度，將格式設置為SWR即可直接得出駐波比。將參數設置好，然后進行校準，然后測量，儀器可以直接以圖形的方式給出結果。
Q: 阻抗測試，是網絡分析儀準確，還是TDR測試準確?
A: 理論上說，頻域測量和時域測量是完全等效的，能夠互相轉換。因此在相同的系統上升時間、相同的校準方法的基礎上測量的時域阻抗也是一致的。但在實際應用中，VNA有更精確的校準算法可以去除電纜、接頭、PCB夾具的影響，而TDR做這些校準是比較困難的，因此通常VNA的精度更高一些。
Q: 校準的時候必須校準50ohm阻抗嗎? 是不是校準也要去掉線損，對網分和要測的網絡之間的線材有什么要求嗎?
A: 如果網分系統阻抗設為50 Ohm，校準件也是50 Ohm校準件，那么校準之后網分端口的輸出阻抗就是50 Ohm匹配。校準是在電纜端口上進行的，因此校準過程中會自動去除線損（校準誤差項中包含線損和失配）。網分和被測件之間的線材取決于需要測量的頻率，頻率越高，
線材要求越好。除了線材之外對同軸連接器也有一定的要求。PCB材料常用各式各樣， 高性能的如Rogers 4350， 松下M6/7/8, ?生益的S9N等等。連接器普通常見的有SMA接頭，2.92mm 接頭， 1.0mm接頭等等。SMA...2.92mm...1.0mm這類連接器日常使用以及避坑指南
Q: simith原圖所顯示的阻抗是指網絡的輸入阻抗嗎?
A: 沒錯，是網絡的輸入阻抗。圓圖中心點是您設置的網分系統阻抗。圓圖上顯示的測量曲線是您的被測件在不同頻率上的阻抗值。
Q: 通常情況下我發現測試低阻抗時測試誤差值太大,比如測試1歐姆左右的特性阻抗, 有沒有辦法提高其精度?
A: 您指的是頻域阻抗嗎?還是時域阻抗?如果您指的是在測低阻抗時S11的波動很大，這個波動大不一定代表了誤差大，可能是測量的真值。例如在50 Ohm的特性阻抗下，如果負載阻抗是51 Ohm, S11Linear = (51 – 50 ) / (51 + 50) = 0.01, 如果負載阻抗變為52 Ohm，
S11Linear = (52 – 50) / (52 + 50) = 0.02，只變化了0.01；如果特征阻抗是1 Ohm，負載阻抗是2 Ohm時，S11Linear = (2 – 1) /(2 +1)。網絡分析儀測試頻域阻抗的原理是從測得的S參數通過計算轉換得到Z，從S11轉換到Z的過程在系統阻抗附近具有最好的靈敏度。在現有條件下，可以通過盡量優化S11的精度來盡量得到更好的Z精度，例如減小中頻帶寬，增加平均都可以減小網絡儀的噪聲，優化S11精度，進而盡量得到更好的Z精度。
Q: 一般在什么條件改變的時候，就需要重新校準網分?
A: 網分的校準是基于某一個測試狀態，包括儀器設置（頻率范圍，點數，中頻帶寬等），電纜狀態，測試硬件連接，溫度等。其中任何一個因素變化都建議重新進行校準。一般情況下，在環境溫度變化較小，儀器設置和硬件連接不變的情況下，可以一天校準一次。如果對測量精度有更高的要求，需要查閱網分的技術指標，看它的幅度和相位隨時間和溫度的漂移有多少，來確定你需要多長時間重新校準一次。
Q: How to use VNA to measure the impedance of Differentail Tx Line? Any suggestion for calibration method if freq. is?over 5 GHz?
A: You can use 4-port VNA to do a 4-port calibration and measurement on your Tx line, the 4-port single-ended S-parameters can be transformed by the VNA or software (like PLTS) to balanced S-parameters (like SDD11, SCC11, etc), then?the VNA (like ENA-TDR) or software (like PLTS) can transform the balanced S-parameters to TDR impedance (TDD11, TCC11,
etc). You can use SOLT or TRL calibration, if you want to remove the fixture effects (coaxial to microstrip adapter) of?your Tx line, TRL calibration is a better choice, or you can use AFR (Automatic Fixture Removal) to characterize the?fixtures and de-embed from your total measurement.
Q: ENA是差分100ohm的設備,當量測不是差分100ohm的待測物時(如差分85ohm),測試夾具要制做成差分100ohm還是差分85ohm?
A: 對您的情況，夾具通常做成85 Ohm。從時域TDR上看，夾具兩側的同軸部分是100 Ohm的，而中間連接DUT部分的阻抗為85 Ohm。
Q: 1.PLTS分析阻抗時，如果只有S11或S22 參數和S11/S22/S21/S12 參數齊全的時候結果有差別嗎? 如果有主要是什么原因造成的?
2.PLTS分析阻抗，如何根據我的線路長度來設定測試頻率范圍，掃描點數等參數最后才能得到一個比較可信的結果? 3.能介紹下AFR的原理和過程以及注意事項嗎?
A: 如果有傳輸參數，PLTS在時域變換時會從傳輸參數中推算出器件的電長度，從而優化時域變換的起始時間和截止時間，如果只有反射參數，時域變換的時間范圍會有所區別，在不同的時間范圍做時域變換，得到的時域響應會稍有差別，但是很小；測量時域阻抗時通常會先規定一個測量的系統上升時間，上升時間越快，測量的阻抗波動越大，而系統上升時間是由測量帶寬決定的，在通常的窗函數系數下，20GHz帶寬的對應了35 ps的系統上升時間，您可以根據您需要的系統上升時間確定測量帶寬；從信號與系統理論上講，頻域采樣對應了時域的周期延拓，如果您的傳輸線長度超過了一個時域周期，一個周期的部分時域響應會和下一周期的時域響應疊加到一起，實際測量時要避免這種情況。時域周期和頻域的頻率間隔是倒數關系，因此在某一頻率間隔下能測量的最長傳輸線長度為Range(meters) = (1/Δf) * Vf* c，其中Δf為測量頻率間隔（頻率范圍 / 點數），Vf為傳輸線的速度因子，c為光速 PLTS的AFR（Automatic Fixture Removal）功能是為了解決非同軸測試的夾具移除問題的，它能將一個直通從數學上分成兩半，從而得到左右兩側夾具的特性進行去嵌入。直通和夾具可以是單端的，也可以是差分的。除了從直通提取夾具特性之外，它還能通過PCB上的開路或短路件提取夾具特性。如果是差分夾具，AFR要求直通盡量上下對稱；另外AFR要求直通長度既不能太小（至少5倍系統上升時間），也不能太大（直通插損和回損不能有交叉點）。
Q: 用NA測試線圈的電感值能精確到小數點后幾位?通常測試的時候一般小數點后兩位就會開始跳動，怎么設置能有更高的精確度
A: 用NA測試電感的原理是先得到S11->Z->L。所以L的精度主要由于S11的精度和轉換到Z的靈敏度決定，后者是固定的公式。所以可以通過盡量優化S11的精度來得到更準確的L值。方法是校準正確，減小中頻帶寬，增加平均。
Q: 矢量網絡分析儀與網絡分析儀的區別? 如何根據產品的不同來選擇不同的校正類型?如Short,open,load,Thur.
A: 網絡分析儀有標量和矢量之分，現在的網絡分析儀基本都是矢量網絡分析儀。校準方法取決于您的器件的接頭類型，如果有標準的同軸接頭，如3.5 mm， SMA，N型等，可以直接使用SOLT校準方法，用機械或者電子校準件都可以；如果您的器件的接頭類型是非同軸的，如
USB連接器，那么需要考慮TRL校準；或者先校準到同軸，然后提取夾具的效應再做去嵌入。
Q: 如果把S參數轉換成眼圖，同時VNA的測量又更為精確，那樣TDR還有什么優勢呢?
A: VNA和TDR相比有更大的系統動態范圍，更精確的誤差修正。TDR的優勢是直接時域測量TDR和TDT對數字工程師更加直觀。但是數據速率不斷提高，需要測量的頻率也越來越高，很多數字工程師也需要綜合考慮時域和頻域的測量。很多測試規范都 規定了時域阻抗、skew，頻域的插損、串擾等的測試。
Q: 如何測試天線連接到PCB上的阻抗?
A: 我理解您的問題是在測量天線阻抗時會受到PCB夾具的影響，如何去除PCB夾具的效應。PNA或PLTS的AFR（Automatic Fixture Removal）功能能夠很方便地提取PCB夾具的特性，有了夾具的S參數之后您只需要對天線測試做去嵌入就可以去掉PCB夾具的影響。
Q: 2-ports E-Cal用來做4-ports測量校準可以嗎?精度怎么樣?
A: 可以。如果您使用的是ENA，那么請參考http://ena.support.keysight.com/ ... ibration_with_ECal_(Electronic_Calibration)/Full_3_Port_and_Full_4_Port_Calibration_using_2_Port_ECal.htm
Q: 我想問一下，E-Cal為什么不能集成到設備里面呢?
A: 因為您在設備外面還有加電纜去和被測件相連，為了去除電纜、接頭等的效應，需要在電纜端面連接E-Cal或機械校準件做校準。
Q: 網絡分析儀器如何測量功率放大器（5W~100w左右）AM 和PM曲線，P1壓縮點.
A: 對功放的P1dB測量是通過網分的功率掃描下測量增益完成的，當某個輸入功率下的增益相比線性增益下降了1 dB，就是功放的P1dB。您的功放功率較大，網分本身可能無法提供足夠的功率使您的功放進入壓縮狀態，因此可能需要在測試中外加預放。在P1dB點的壓縮增益和
線性增益的比值稱為DeltaGain，如果所有頻點都達到了1 dB壓縮，那么DeltaGain應該顯示為-1。DeltaGain變換到相位就是AM to PM曲線。
Q: NA只能把被測件當成黑匣子測得S參數，原則上說無法 斷定其內部出現問題之處，目前測試頻率還達不到100GHz，尋找芯片內故障的功能很有限。而TDR用于微小器件測試，尤其當內部存在多處阻抗不連續處 時，從理論上說，測出的“阻抗”其實已無明顯的物理意義。同
時因脈沖上升時間難以做到1ps,存在空間分辨率過低的問題。如何解決這些問題?
A: 您說的問題是存在的，由于TDR沒有那么小的系統上升時間，因此很難觀察到微小器件的阻抗不連續點。如果您確實需要這么小的時域上升時間的話，網分是可能達到的，現在網分和探針都有頻率高達1.1 THz的系統了。
Q: 1. 觀看S參數時主要看的頻率點為何？如何對應高速信號的速率? 例如PCIE Gen2的速率為5Gbps，想評估PCB走線的SDD21或SDD11的好壞，要觀察哪一個頻率點的結果呢??2. 測量S參數時，最高(0.35/Tr?)與最低頻率要取多少，取樣點要取多少(每10MHz取一點?)，才能有比較合適與正確的結果? 3. 在查看Crosstalk時，通常取多少dB為標準(-34 dB?)可以認為相鄰的走線間串擾很小可以忽略?
A: a. 通常測量頻率范圍取數據速率的三倍以上（覆蓋三次諧波）。因為時域波形包含了很多頻率成分，因此測量頻率范圍內的所有頻率點的SDD21和SDD11都要評估；b. 高速數字應用通常采用起始頻率和頻率步進都為10 MHz的設置，這樣方便做時域變換測量TDR阻抗。測量的截止頻率取決于您需要的系統上升時間，在標準窗函數下20 GHz測量帶寬對應了35 ps的系統上升時間。有了以上三個值您就可以確定測量點數。當然您還需要確保10 MHz的頻率間隔能夠滿足您器件的長度，器件的長度不能超過Range(meters) = (1/Δf) * Vf * c，其中Δf為測量頻率間隔（頻率范圍 / 點數），Vf為傳輸線的速度因子，c為光速；c. 串擾的標準沒有統一標準，請參考不同的測試規范，如PCIE。相鄰走線的串擾通常不能忽略，很多規范都規定了遠端串擾和近端串擾的測試標準。
Q: 1.S參數在仿真軟件中，S參數的采樣點數的多少會影響仿真的結果，關于這個問題，請問您有什么看法或者解決方案呢? 2.承上，S參數在低頻(<100M)的采樣點過少或沒有采樣點，也會影響仿真的結果，請問您有什么看法或解決方案嗎？
A: S參數的數據都是頻域采樣的數據，如以10 MHz為間隔，兩個測試點之間的頻點的數據是通過相鄰的點插值得到的。您在仿真中發現點數多寡會影響仿真結果，說明您測量的點數可能過于稀疏，某些仿真中用到的頻點的數據的插值數據和實測數據有較大差別。建議您在測量時選擇更多的點數。第二個問題，我估計您的仿真中會用低頻數據外插得到DC點，低頻數據過少會影響外插的DC點的準確性，建議您從10 MHz開始測量。
Q: 能介紹下射頻測試&網分的原理以及使用方法？
A: 關于原理可以訪問Keysight網站下載我們關于網絡儀理論基礎的相關應用文章，例如
http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5965-7707E.pdf，http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5965-7708E.pdf等。關于使用方法，請提供您想了解的具體型號。一般可以參閱其使用手冊，有的型號例如E5071C ENA網絡分析儀是有中文使用手冊的
Q: 如何測量差分運放隨頻率的變化?
A: 可以用4端口網絡儀做4端口校準然后測量差分運放的單端S參數，網絡儀上的軟件能夠自動將單端S參數變換到差分S參數。特別注意一點，如果您關注的是差分運放的非線性區，單端和差分S參數是不能相互轉換的，這時您需要真正的差分激勵下測量差分S參數，Keysight的PNA系列網絡分析儀有真差分激勵的功能。
Q: 想學習下在RF天線方面的測試方法，能介紹下嗎？
A: 一般對于RF天線來說，測得比較多的是S11或駐波比SWR，這是網絡分析儀最基本的測試參數。實際行業里多是自己設計夾具，然后對夾具進行去嵌入來去除夾具誤差。
Q: 我要校準Switch Box，請問有什么方法嗎？
A: 開關矩陣輸入端口接網分端口，將開關矩陣設到您需要的通路，然后在開關矩陣端口電纜上做校準。調用網分的校準功能。
Q: 請問若想將測試平臺的影響校準掉，使用自制校準件(open, short, load, thru), 是否可行?
A: 如果使用自制的校準件，需要提取這些校準標準件的特性參數，在網分上創建一個校準件定義并輸入這些參數。之后您就可以調用網分的校準向導，使用您自己的校準件做校準了。
Q: "使用自制的校準件，需要提取這些校準標準件的特性參數"，特性參數是否指的是R, L, C這些?
A: 沒錯。您如果在網分上去觀察一個已有校準件的參數，如85052D，就能看到具體需要設置哪些參數。
Q: 如果ADC的輸入通道是差分輸入，怎么才能準備測量其輸入阻抗？
A: 用四端口網絡儀測量差分S參數并顯示史密斯原圖，即可測量差分阻抗。
Q: 想了解一下RF Switch中insertion loss, isolation loss, harmonic loss, IMD 的測量與表征？
A: 插損測量：將開關切換到某一路，用網絡儀測量輸入到該路輸出的S21，其它不用的端口端接負載；隔離測量，測量輸入端口到沒有連通的輸出端口之間的S21，其它不用的端口端接負載；諧波失真通常指輸出信號在諧波（如三次諧波）頻率上的功率相比輸出基波的功率的比值（dBc），可以用信號源加頻譜儀測基波和諧波功率得到。某些網絡儀也具有頻譜功能，如Keysight的PNA系列網絡儀，可以獨立完成諧波測量；交調測試是在輸入端加一個雙音信號，測量輸出端2f1-f2和2f2-f1頻率上產生的交調信號，通常用兩臺信號源加一臺頻譜儀完成，也可由PNA系列網絡分析儀獨立完成。
Q:?用網絡儀來測試TDR的時候，網絡儀都測量了什么呢?怎么得到的TDR數據?
A: VNA 測量的是被測件的頻率響應，測量的時候給被測器件輸入一個正弦波激勵信號，然后通過計算輸入信號與傳輸信號 (S21) 或反射信號(S11) 之間的矢量幅度比得到測量結果。通過對使用 VNA 獲得的反射和傳輸頻率響應特性進行傅立葉逆變換，可以獲得時域上的沖激響應特性。再通過對沖激響應特性進行積分，可得到階躍響應特性。這和在 TDR 示波器上觀察到的響應特性是一樣的。
Q: 網絡分析儀也可以測TDR,想問一下：S參數與TDR之間的聯系?
A: 由信號與系統理論可知，時域和頻域的信息是完全等效的。根本上說，時域沖激響應做FFT變換可以得到頻域S參數；頻域S參數做IFFT可以得到時域沖激響應，時域階躍響應（TDR波形或阻抗）是時域沖激響應的積分。當然，在具體實現中，儀器會有一些特殊處理。
Q: 我想了解如何使用網絡分析儀測試阻抗、以及設備端口的反射損耗的。
A: 網絡分析儀是通過S參數的測量得到器件的阻抗的。測量S11是通過在已知激勵的情況下（R1接收機測量參考信號），通過A接收機測量器件反射回來的信號，A/R1得到的就是S11反射損耗，或反射系數，通過反射系數和阻抗的關系可以得到阻抗值。如果您想測試時域的阻抗和反射損耗，可以使用ENA-TDR選件來得到，ENA-TDR選件有設置向導，可以指導您一步一步進行測試。
Q:?ENA-TDR跟示波器TDR相比的優缺點是什么?
A: ENA-TDR跟一般的示波器TDR相比有三個明顯的優點 1 由于網絡儀能使用較先進的矢量誤差校準技術，因此網絡儀能夠消除掉測試配置中電纜和連接器等等帶來的適配，幅度和相位誤差，而一般的示波器只能通過糾偏來消除相位誤差，這樣會導致系統整體的上升時間會變長，進而影響系統的測試分辨率。2. 網絡儀在前面板的每個端口都配有專利保護的保護電路，可以抵抗高達3000V的靜電，而一般的示波器TDR極易損壞，造成研發和生產的停滯，并帶來高額的維護費用 3. ENA-TDR的操作界面為向導式操作，即使對網絡儀不熟悉的工程師也可以很快上手。
Q: ENA-TDR跟示波器TDR相比測試的一致性有數據參考嗎?
A: Keysight有專門的文章來討論ENA-TDR的測試結果與示波器結果的一致性，您可以到Keysight官方網站下載：Agilent TDR示波器與VNA生成時域波形之間的比較.pdf。
Q: 是所有的網絡分析儀都支持TDR應用嗎?
A: Keysight支持TDR應用的ENA系列網絡分析儀型號為E5071C，需要單獨購買TDR選件的功能。幾乎所有的網絡分析儀都會支持-010時域測試的功能，但是這個時域的功能相對于-TDR選件來說要簡單的多。
Q: 如何來驗證網絡儀測量TDR阻抗的精度呢?
A: 您可以用一根NIST標準可以溯源的標準空氣線校驗件來驗證ENA-TDR的阻抗測量精度，在測量之前最好進行一下全端口的校準。經過驗證之后可以發現，ENA-TDR測量阻抗的精度是業內所有TDR設備內最高的。
Q: 可以用S參數來驗證PCB開路和短路嗎?
A: 可以。PCB開路和短路的S參數都類似于插損曲線，實際上由于往返的損耗，開路和短路的S11接近二倍插損，只是由于失配的影響，會有較大的波動；除了頻域的觀察，您還可以將開路和短路的S11變換到時域TDR，觀察其時域響應，它很像一個時域階躍信號。通過TDR您可以看到由SMA接頭以及走線的阻抗不連續造成的波動，由TDR時域階躍信號的上升部分中點對應的時間可以得到開路和短路的電長度。您還可以通過時域Gating的功能獲取SMA接頭部分的S參數，或者去除SMA接頭部分的影響觀察剩余走線部分的S參數。
Q: 一個PCB板中的S參數的實際意義是什么?如果PCB上還沒有安裝器件，能測S參數嗎？
A: 如果沒有安裝器件也可以測，這時測到的就是PCB上傳輸線的特性，如單位長度的插損、阻抗波動等等。這對評估PCB材料、評估PCB加工工藝、提取夾具特性做去嵌入都有意義。
Q: 駐波比怎么算
A: 假設反射系數幅值為p,那么駐波比VSWR=(1+p)/(1-p)
Q: 校準不是測試的前提嗎?
A: 是的，一個比較推薦的測試步驟是（假設系統連接沒問題）：1預測試（不校準，直接測量被測件的特性是否正常工作）2設置儀器參數?3 校準 4 測試 5 分析結果
Q: 想了解網分為什么要校準，儀器不是沒有校準也可以用么?
A: 儀器本身就是不完美的，存在系統誤差（制作完美的儀器會非常昂貴）；另外用儀器測量器件時需要使用電纜、轉接頭，都會引入額外的誤差，需要通過校準消除。校準是通過測量一些特性已知的器件（稱為校準件）來得到誤差模型，然后在測量過程中做誤差修正得到被測件的真正特性。
Q: 在標準窗函數下20 GHz測量帶寬對應了35 ps的系統上升時間.....請問是不是rise time 35ps 的puls 可見的帶寬至20GHz?
A: 可以這么說。不過用網分測試時這個關系是反過來的，測量帶寬（如20 GHz )決定了系統上升時間35 ps。網分上還有窗函數可以調整上升時間的范圍。
Q: 為什么叫網絡分析儀?與網絡有什么聯系?
A: 在電子工程領域，我們把工作在射頻微波頻率以上的各種器件都稱作網絡（network），網絡這個詞早在1930年代因特網遠沒有出現之前就開始被應用于電子工程領域了。從簡單的一個電阻、一個晶體管到較為復雜的一個放大器、混頻器等，在電路上我們都把它們叫做網絡。分析器件，也即網絡，隨信號的頻率或大小的變化而表現出來的各種特性就是網絡分析。
Q: 校準時, SPAN設置太寬會不會影響測試精度?問這個問題的原因是我需要同時測試不同頻率, 但是只想做一次校準.
A: span設置太寬對您的影響可能是在相同點數的情況下，測量的頻率間隔更加稀疏。您可以增加測量點數，保證需要的測試頻率間隔。在相同頻率間隔下，相同的中頻帶寬下，校準精度是相同的。
Q: SPAN應該是Bandwith 設置記得Keysight建議1kHz。
A: span是指測量頻率范圍，需要根據您具體的測試需求設置。您說的是IFBW(中頻帶寬），是指網分接收機的中頻帶寬，通常設為1 kHz足夠了。
Q: 請問如何測量1W以上PA的S22?
A: 如果是用Keysight的PNA測量，PNA端口輸入功率不能超過30 dBm。你的PA輸出端需要加一個衰減器避免損壞網分。這個衰減器最好小于10 dB，否則校準時端口2噪聲會非常大。另外在測量時需要把端口2功率設置為0 dBm，不要和網分端口1設置同樣的功率。這樣才能保證足
夠的功率進入B接收機測到端口2的反射信號。
Q: 請問如何用Keysight的矢量網絡分析儀來測量射頻輸出電路的阻抗，做阻抗分析，如何做阻抗匹配?謝謝！
A: 您可以通過測量該電路的反射S參數并通過史密斯原圖顯示其阻抗特性，設計阻抗匹配電路不是我們的專長。在您設計好阻抗匹配電路后，可以通過網絡分析儀里的Port Matching功能模擬加上阻抗匹配電路之后的結果。
Q:?類似PCB layout饋入線設計下?de-embeding， 在ADS 設計下需要設計TRL 校正，請問如何再測試的做de-embeding?
A: 如果要獲取PCB夾具的特性做去嵌入，一種方法是TRL校準，另一種方法是用PNA或PLTS的AFR功能，可以從一個直通件數學上分成兩半，得到一半夾具的特性。
Q: 請問可以讓E5071C 輸出?Impedance 75ohm 量測75ohm PCB上面的無源SMD CHIP
A: 您也可以在50 ohm系統下測量75 ohm的PCB器件，我理解您的PCB同軸端口應該是50 ohm的，PCB上包含50 ohm到75 ohm的轉換夾具。
Q: 網絡分析儀測試有源和無源器件時,對速度和性能的優勢有哪些?
A: 如果是測量S參數的話，網絡分析儀幾乎是唯一的選擇。如果是測量有源器件的某些特性，如三階交調、噪聲系數、諧波等，也可以用信號源、頻譜儀、噪聲分析儀來完成，但是現代的網路分析儀已經集成了這些功能，可以在一次連接下把所有的特性都測出來。自動化和集成的程度非常高，可以省去編程控制信號源、頻譜儀的過程，測試效率大大提高。
Q: 1、PCB上沒有SMA引出，使用5071C，有沒有探針形式的方案測量TDR? 2、AFR方式校準引線，請問，引線設計多長比較合適?即2X的長度，需要校準的是1X的走線。第2個問題可以提前回復我郵箱么，謝謝。
A: ENA能夠使用U1021B探頭測量PCB，并通過De-skew的方法去除探頭效應。直通的長度既不能太短（必須大于5倍系統上升時間），也不能太長（保證直通的插損和回損沒有交叉點）。
Q: 向量分析儀?做LCR 的Zs Rs 分析應該要靠VBA 工具施行是吧? 不過向量分析儀器頂多檢驗用傳輸線50ohm or 75ohm, 如何確認3GHz以下測量的LCR 特性并保證測量的=Acc 精確度有在0.8% 之內....
A: ENA系列網絡分析儀有VBA程序可以將S參數轉換為阻抗或LCR參數。如果是E5061B這個型號，那么它是有專門的阻抗測量選件005可以來進行測量，典型精度為2%。值得一提的是，不管是5061B還是其他的網絡分析儀，他們測試阻抗或者LCR參數都是沒有specification的值的，E5061B也只有典型阻抗精度值，這點跟4982A等LCR表是不一樣的。
Q: 所以現在討論測量的精度比較于 LCR vs ENA 在 1GHz 下測量 Zs Rs & Q value,請問有什么見解和分析嗎？
A: 您的問題是想了解LCR與ENA在Zs Rs Q上的精度比較是嗎?我們有一篇應用文章里面介紹了RF IV和網絡分析儀的反射法在測量時的一些原理與比較，請參考http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5988-0728EN.pdf
Q: 有沒有方式可以讓E5071C輸出的阻抗是 75ohm, 如此才可以使用測量傳輸線75ohm 設計的元件特性?Thanks！
A: 請參考http://www.keysight.com/main/edi ... 0794&id=1764164
Q: 請問 對于雙端口網絡,s11定義時候是2端口匹配1端口的反射功率比入射功率.網分測S11時候,2端口接的是網分的port,如何能保證2端口無反射呢?
A: 這是一個好問題。網分實際測量的時候不會保證a2等于0的情況下測量S11 = b1/a1。而是會做兩次獨立的測量，求解二元一次方程組：S11 = (b1a2' - a2b1') / (a1a2' - a2a1')
Q: 連接器普通常見的有SMA接頭，高性能的如西南微波的同軸接頭。西南微波同軸接頭比 SMA測量的范圍更寬嗎? 例如 10GHz -->46GHz
A: 測量的頻率范圍是由連接器的尺寸決定的。SMA一般能測量到18 GHz, 3.5 mm能到26.5 GHz, 2.4 mm能到50 GHz，1.85 mm能到67 GHz。西南微波的連接器只是一個例子，他們的質量很好，我們以前做高頻驗證時用過他們的2.4 mm的連接器。他們也有不同的尺寸覆蓋不同頻率。
Q: 測試差分損耗的時候需要用到4個端口的網絡儀，那是不是代表必須得用四端口的電子校準件來測試呢?能用2端口的嗎?
A: 使用ENA-TDR的時候不能使用2端口的電子校準件校準來測試差分損耗。您可以使用4端口的電子校準件，機械校準件，或者TRL校準件進行全4端口的校準。
Q: 傳輸跟蹤和反射跟蹤誤差指的是什么意思?
A: 矢量網絡分析儀內部一般會有三個測量接收機 R、A 和 B 接收機。其中 R 是用來測量激勵源信號的參考接收機，A是測反射信號的，B是測傳輸信號的。如果用測量接收機R、A、B分別去測量對于同一個射頻信號（幅度、相位和頻率），我們不要求它們的測量精度很好，但
是即便是都存在測量誤差的情況下，也不管誤差有多大，網絡分析儀所要求的是A 的測量和B的測量結果要盡量和R的測量結果一致。在一個頻段范圍內，無論 R 的測量結果是什么， 如果 A 和 B 的測量結果都能和 R 的測量結果保持一致，就說明 A 和 B 的測量結果能夠在這個頻率范圍內“跟蹤”上 R 的測量結果。如果不一致，就表示有了“跟蹤”誤差。
Q: 校準是只需要做一次就可以還是需要每次測試之前都重新校準?
A: 校準的目的是通過測量得到測試時那套配置下的誤差，這個誤差包括了很多因素，包括當時當地的儀器設置和狀態，溫度，連接配置。其中的任何一項有改變了都最好重新做一下校準。需要盡量使得校準的數據為真實測量時的狀態，才能保證好的校準效果。
Q: 對于電纜一致性測試方案比如HDMI/USB這樣的標準，您更推薦VNA還是采樣示波器的方案?
A: ENA-TDR是我們推薦的方案，因為它是HDMI/USB電纜一致性的認證方案。更多信息請參考www.keysight.com/find/ena-tdr_compliance
編輯：黃飛
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工商網監
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