的，氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN? FET。新產品
2023-12-01 14:11:45
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` 誰來闡述一下5G與人工智能的關系？手把手教你設計人工智能芯片及系統（全階設計教程+AI芯片FPGA實現+開發板）詳情鏈接：http://url.elecfans.com/u/c422a4bd15`
2019-11-22 17:08:19
搭載高通(Qualcomm?) Quick Charge? 5技術的通用型氮化鎵電源適配器可在5分鐘內將智能手機的電量從0%充至50%高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商
2021-08-12 10:55:49
什么是人工智能（AI）芯片？AI芯片的主要用處有哪些？在AI任務中，AI芯片到底有多大優勢？
2021-09-22 08:00:01
，“人工智能醫生”能做什么呢?
——緩解醫療人力資源緊張。在上海市第九人民醫院放射科，每天僅肺部檢查就達150件次。該醫院引入肺癌影像智能診斷系統后，這一人工智能技術將肺部影像診斷壓縮至秒級——在
2019-02-24 09:29:57
從2014年開始，人工智能逐漸成為科技領域最熱門的概念，被科技界，企業界和媒體廣泛關注。作為一個學術領域，人工智能是在1956年夏季，以麥卡賽、明斯基、羅切斯特和申農等為首的一批有遠見卓識的年輕科學家在一起聚會，共同研究和探討用機器模擬智能的一系列有關問題時首次提出。
2019-08-12 07:53:12
在未來的某個時候，人們必定能夠相對自如地運用人工智能，安全地駕車出行。這個時刻何時到來我無法預見；但我相信，彼時“智能”會顯現出更“切實”的意義。與此同時，通過深度學習方法，人工智能的實際應用能夠在汽車安全系統的發展進步中發揮重要的作用。而這些系統遠不止僅供典型消費者群體掌握和使用。
2019-08-06 08:42:40
薪酬漲幅不再處于高位，平均漲幅在5%左右，但以人工智能、大數據為代表的新興技術崗位薪資出現明顯上升，無論薪資基數、薪資漲幅還是發展空間、均高出其他職位！2016年到2017年，人工智能崗位數量種類
2018-03-29 15:46:26
。 在BAT等巨頭之外，也不乏十分出色的智能機器人廠商，運用自身技術積累在人工智能領域大放異彩，為這片紅海帶來新的生機。 相對于巨頭廠商不同的是，這部分智能機器人廠商的定位更加明確，產品功能差異化
2015-10-21 12:03:58
機器人就是工廠中常見的類似機械臂，能夠代替工人更高效的完成簡單且重復率高的流水線上的工作。 說到第二類服務機器人時，先給大家科普一下，當前人工智能大致分為三個階段：弱人工智能階段、強人工智能
2015-09-16 15:40:27
，還是將技術作為目標本身。這種差異的體現是，制造越來越強大的計算機、軟件和機器人的目的是以人類用戶為核心進行設計，還是替代人類。人工智能與注重人機交互的智能增強本是同根同源，卻在兩條發展的道路上越走越遠
2016-03-03 11:05:39
表明，到2030年，人工智能和機器人可能會減少全球多達30%的人類勞動，到2030年自動化將取代4-8億個工作。1、機械加工機器人從事的零件鑄造、激光切割以及水射流切割等工作；2、機器人涂裝、點膠
2020-10-23 11:07:34
......無形之中，人工智能正以前所未有的發展速度滲透我們的日常生活。而作為人工智能的核心技術之一，人工智能芯片也向來備受關注。近幾年，谷歌、蘋果、微軟、Facebook、英特爾、高通、英偉達、AMD、阿里巴...
2021-07-27 07:02:46
人工智能芯片是指什么？AI芯片按照應用場景可以分為哪幾種？
2021-10-25 07:29:05
人工智能是近三年來最受關注的核心基礎技術，將深刻的改造各個傳統行業。人工智能在圖像識別、語音識別領域的應用自2017年來高速發展，是人工智能最熱點的兩項落地應用。手把手教你設計人工智能芯片及系統（全
2019-09-11 11:52:08
是人工智能發展的關鍵組成部分，有助于將AI作為未來的主流。而這僅僅是個開始。AI：反映人類推理的對象根據經典的定義，人工智能是一個相當不引人注目的事件。在他開創性的1976年論文“ 人工智能：個人觀點”中
2019-05-29 10:46:39
已經在電池上采用多極耳，多條連接線來降低大電流的發熱。氮化鎵的低阻抗優勢，可以有效的降低快充發熱。應用在手機電池保護板上，可以支持更高的快充功率，延長快充持續時間，獲得更好的快充體驗。同時氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
淺談智能控制、人工智能、智能算法的發展前景
2019-05-10 01:21:03
氣大漲，成為繼智能音箱后，又一大熱門智能單品。前段時間，暴風TV推出號稱第一臺干掉電視遙控器的人工智能電視，并希冀將AI智能電視作為智慧家庭交互入口和服務平臺。而國內家電巨頭創維也不甘落后，和百度聯手將
2018-04-20 09:28:21
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
早已摩拳擦掌，嚴陣以待，紛紛推出了順應市場的配件產品。而當各大主流手機廠商把氮化鎵快充做為手機的標準配件時，整個產業鏈將迎來一個新的發展高峰。面對氮化鎵快充市場的爆發，你準備好了嗎？我準備好了，你呢？我們一起加油。
2020-03-18 22:34:23
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇。 生活更環保 為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
65W 雙口氮化鎵充電器可以同時對兩臺設備進行 PD 快充，支持手機 + 手機、筆記本 + 手機等不同設備搭配使用。偵測到兩臺設備同時供電需求時，智能調整輸出功率為45W + 18W，實現雙口同時快充
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
卻在這兩個指標上彰顯出了卓越的性能，同時，它還具備某些附加的技術優勢。氮化鎵的原始功率密度比當前砷化鎵和 LDMOS 技術的高很多，且支持將器件技術擴展到高頻應用。氮化鎵技術允許器件設計師在保持高頻率
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環保
為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會
2019-03-14 06:45:11
更良好的發展前景。斯利通作為一家專業的陶瓷基板生產廠家，將跟隨市場方向，致力于生產出更好的陶瓷基板。想必在未來的某一天人類終將會與各種機器人共存，人工智能也將會更好的服務我們的生活。`
2021-04-23 11:34:07
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，只應用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內已經有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關管，控制器以及驅動器
2021-11-28 11:16:55
，傳統的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
：“ST的晶圓制造規模和卓越的運營能力將讓MACOM和ST能夠推動新的射頻功率應用，在制造成本上取得的突破有助于擴大硅上氮化鎵市場份額。雖然擴大現有射頻應用的機會很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
組合多個射頻能量通道，例如3x300W或2x500W等。支持的頻段范圍為915MHz到2.45GHz。“ 商業OEM渴望借助硅基氮化鎵抓住高性能射頻能量系統的巨大市場機遇，但他們不希望將資源投資于
2017-08-03 10:11:14
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
人工智能技術如今已經走進不少工廠和流水線，其幫助不少企業提升了產品制造效率，而使用人工智能來為產品質量把關也成為一個必然趨勢。近日，日本IT大廠 NEC 推出了一個“視覺檢測（AI Visual
2019-07-29 07:07:23
，GaN-on-Si 將實現成本結構和使用現有大直徑晶圓廠的能力，這將是一個很大的優勢。由于硅是一種導電基板，因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來了額外的挑戰。第一個具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
，隨機森林，K-均值算法，支持向量機和人工神經網絡等等。在應用方面表現也異常突出，目前89%的人工智能專利申請和40%人工智能范圍相關專利都屬于機器學習的范疇，可見機器學習的時代化進程多么迅速。歸結到
2023-02-17 11:00:15
```▌活動背景隨著包括谷歌、臉書、微軟、亞馬遜以及百度在內的巨頭相繼入局，人工智能已經開啟它龐大的市場機遇。2017 年，針對人工智能企業的投資金額為 754 億元，到了 2018 上半年投資
2019-01-21 17:20:05
大家：醍醐灌頂！！人工智能九問九答中國自動化學會副理亊長兼秘書長王飛躍對《三聯生活周刊》關于人工智能九個問題的回答。特別對圖靈測試、奇點理論，公眾對人工智能概念及技術的一些誤解等進行了冷靜剖析。
2015-03-21 15:04:38
：如前所述，氮化鎵器件以射頻速度開關。比現有的電力電子開關速度快得多。鑒于此，具有高共模瞬變抑制（CMTI）的高速柵極驅動器對優化Transphorm GaN FET的性能至關重要。為此，Si827x
2018-07-19 16:30:38
的新型研發機構。支持骨干企業建設新一代人工智能制造業創新中心。 2.將亟需突破的關鍵核心技術納入省重大科技專項支持范圍。 3.積極發展人工智能技術離岸孵化，對在我省實現轉化的，視同省內創新成果給予
2019-09-02 18:14:08
人工智能恐懼歷史溯源人工智能恐懼表現形式
2021-01-26 07:14:15
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
，4H-SiC是500，而氮化鎵是900，效率非常高。另外，碳化硅具有2.8 MV/cm的絕緣失效電場強度，以及3.3 MV/cm的氮化鎵。通常，在低頻工作時，其功率損耗是絕緣失效電場的3倍，而在高頻時則是2
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
如今，采用人工智能的企業遇到了一個主要障礙，那就是在內部開發人工智能產品成本高昂，因此有了外包人工智能產品的需求。而對于從中小企業到預算受限的大型企業來說，通過云計算來采用人工智能的成本要低得多。
2019-09-11 11:51:46
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
` 誰來闡述一下傳感器和人工智能的關系？手把手教你設計人工智能芯片及系統（全階設計教程+AI芯片FPGA實現+開發板）詳情鏈接：http://url.elecfans.com/u/c422a4bd15`
2019-11-25 15:51:45
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升級產品，導通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號2：AON6268絲印：6268屬性：分立半導體產品 - 晶體管封裝：DFN-8參數FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
先進的人工智能技術的支持，DACOM成功地將AI科技與無線藍牙耳機相互結合，研發出一款可以全語音交互對話及出行導航線路規劃等一站式人工智能藍牙耳機，成為智能耳機行業中的首席官。據介紹，DACOM推出
2018-11-02 11:55:08
各種來源的大量數據，識別各種模式、提供交互式理解和進行智能預測。這種創新發展的一個例子就是將人工智能應用于由傳感器生成的數據，尤其是通過智能手機和其他消費者設備所收集的數據。運動傳感器數據以及其他信息比如GPS地址，可提供大量不同的數據集。因此，問題在于：“如何使用人工智能才能充分發揮這些協同作用？”
2019-07-25 06:20:53
的應用可以大大提高效能評估的準確性和實用性，為組織和企業提供更好的管理支持。未來人工智能發展趨勢也將是與效能評估系統相互協同，為組織的運營和生產帶來全新的變革和提升。
2023-08-30 12:58:14
創建Kynisys平臺：我們如何構建人工智能（AI）的未來？
2021-03-03 07:06:02
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
嵌入式人工智能技術是什么？
2021-12-27 07:03:30
嵌入式人工智能是什么東西？
2021-12-27 07:52:21
嵌入式人工智能的實際作用是什么？
2021-12-27 06:34:29
嵌入式與人工智能關系是什么？嵌入式人工智能的發展趨勢是什么？
2021-12-27 07:13:40
和功率因數校正 （PFC） 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件，隔離式負 V一般事務（關閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅動器
2023-02-21 16:30:09
的解決方案會讓更多的開發者易于使用，為大數據、人工智能、物聯網企業解決更多的實際難題，加速整個行業的發展。www.tuolve.comTel:***
2017-10-09 15:26:53
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
機器學習和人工智能有什么區別？當今唯一可用的軟件選項是 ML 系統。在十年左右的時間里，當計算能力和算法開發達到可以顯著影響結果的地步時，我們將見證第一個真正的人工智能。是人工智能軟件嗎？軟件構成
2023-04-12 08:21:03
，預計2017年產業規模達到295.9億，2018年將達到381億元。 之前看過一遍報道說到，人工智能已成為科技界的一顆“明星”。在剛剛閉幕的全國兩會上，***工作報告提出要“全面實施戰略性新興產業
2017-03-23 17:00:07
識別貓，而不會同事識別狗等其他動物。AGI是人們恐慌人工智能的主要原因，他們恐慌的原因是都相信我們將構建出一個無人監督的學習者，它將以人類無法控制的速度遞歸地進化自己，如此日復一日，年復一年，AGI
2018-11-14 10:43:43
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
解決方案，累計近100家客戶選用了茂睿芯的氮化鎵解決方案。致力于為客戶提供最優解，進一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系統可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化鎵PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
。關于最佳人工智能編程語言的爭論從未停止，所以今天Tesra超算網絡就來比較5種人工智能項目最常用的編程語言，并列出它們的優缺點。一起來看看吧！Python由于其語法，簡單性和多功能性，Python
2018-09-29 10:27:14
通用人工智能啥時候能實現
2020-12-17 06:19:51
，發展高效智能服務，提高社會治理智能化水平，利用人工智能提升公共安全保障能力，促進社會交往的共享互信”。人工智能的迅速發展將深刻改變人類社會生活、改變世界。 為搶抓新一代人工智能發展重大戰略機遇，培育
2019-09-16 18:24:23
的轉換器。在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見。更嚴格的柵極環路設計要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當TI推出第一個600V GaN功率級樣品時，我驚嘆于該
2019-07-29 04:45:12
的應用。“氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術開發組總監Steve Tom說，“它使得系統運行更快，動力更加強勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統的性能
2022-11-16 07:42:26
的應用。“氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術開發組總監Steve Tom說，“它使得系統運行更快，動力更加強勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統的性能
2018-08-30 15:05:50
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強大的GaN功率半導體（下一代電力系統的未來）領域全球領先的企業。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET，其導通電
2023-10-12 16:40:56251 Transphorm正在對三個650 V GaN FET進行采樣，典型導通電阻為35 mΩ、50 mΩ和72 mΩ，采用TO無引線(TOLL)封裝。根據制造商的說法，這些通常關閉
2023-10-13 16:16:47403 通過碳化硅 TOLL 封裝開拓人工智能計算的前沿
2023-11-23 09:04:41548 
日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）與適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor
2024-01-03 15:17:33125
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