據(jù)TechCrunch網(wǎng)站報(bào)道，碳納米管屬于一種超級(jí)材料——它是直徑為1或2納米的圓柱狀物，它有包括從超級(jí)計(jì)算機(jī)到效能比更高的智能手機(jī)在內(nèi)的許多夢(mèng)幻般應(yīng)用。問(wèn)題是，它們不容易制造，推出商業(yè)化碳納米管產(chǎn)品可能尚需10-15年。
2016-08-22 10:09:07
1710 得益于研究人員的持續(xù)推進(jìn)，碳納米管器件現(xiàn)在正在越來(lái)越接近硅的能力，最新的進(jìn)展也在最近舉辦的IEEE電子器件會(huì)議IEDM上揭曉。會(huì)上，來(lái)自臺(tái)積電，加州大學(xué)圣地亞哥分校和斯坦福大學(xué)的工程師介紹了一種新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對(duì)于確保在邏輯電路中晶體管完全關(guān)閉至關(guān)重要。
2020-12-16 10:11:293181 碳納米管是20世紀(jì)90年代日本科學(xué)家Iijima先生（Iijima?Sumio. Helical microtubules of graphitic carbon. Nature,1991,354
2023-07-19 13:35:50851 
控制流過(guò)發(fā)射極-集電極電路的電流。 硅模型 像8050這樣的硅晶體管通常在基極電壓比發(fā)射極高0.65伏時(shí)接通。發(fā)射極基極電路通常設(shè)置為提供接近觸發(fā)點(diǎn)的預(yù)設(shè)電壓。這稱為偏差。當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，輸出遵循
2023-02-16 18:22:30
列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此，通過(guò)測(cè)定VBE，可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路，對(duì)晶體管輸入封裝功率：PC
2019-04-09 21:27:24
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
Ω（用 R×10檔測(cè)）以上。硅材料晶體管的電阻值應(yīng)大于100kΩ（用R×10k檔測(cè)），實(shí)測(cè)值一般為500kΩ以上。若測(cè)得晶體管C、E極之間的電阻值偏小，則說(shuō)明該晶體管的漏電流較大；若測(cè)得C、E極之間
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開(kāi)關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
，故穩(wěn)定性較好。由于硅管ICEO很小，故一般已不作為主要參數(shù)。(6) 集電極反向電流ICBOICBO是指晶體管發(fā)射極開(kāi)路時(shí)的集電極反向電流。晶體管的ICEO約為ICBO的β倍，故ICEO要明顯大于ICBO。(7) 特征頻率FT FT越高，晶體管的高頻性能越好，也就是可工作的頻率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
分為硅管和鍺管兩類。 晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于基區(qū)摻雜濃度，并且基區(qū)很薄，集電結(jié)的面積比發(fā)射結(jié)面積大。這是晶體管具有放大能力的內(nèi)部條件。 2. 電流分配與放大作用 體管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此，通過(guò)測(cè)定VBE，可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路，對(duì)晶體管輸入封裝功率：PC
2019-05-09 23:12:18
，特別是近年來(lái)碳納米管的發(fā)展令人注目，在速度、集成度、特別是功耗方面都將有重大突破，但離開(kāi)實(shí)際應(yīng)用可能比硅基量子器件要更遠(yuǎn)一些。原文見(jiàn)王陽(yáng)元院士在“納米CMOS器件”書中寫的序（2004年1月科學(xué)出版社出版）。 :
2018-08-24 16:30:27
碳納米管/ TiO2 電極光電催化測(cè)定耐蘭方法探討摘要:自合成二氧化鈦2碳納米管( TiO22CN T) 復(fù)合催化劑,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳電極上制成CN T2TiO2
2009-08-08 09:44:34
并采用CST進(jìn)行仿真，結(jié)果表明納米管束比單根納米管的天線效率提高了30-40dB，文中把納米管束作為電導(dǎo)率與納米管根數(shù)成正比的單根天線來(lái)研究，在理論上不夠準(zhǔn)確，而且鑒于納米管束的尺寸，采用中點(diǎn)饋電
2019-05-28 07:58:57
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
設(shè)計(jì)分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量碳納米管電氣特性提高納米電子和分子電子器件的低電流測(cè)量在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測(cè)量納米級(jí)器件和材料的電氣測(cè)量提高超高電阻和電阻率測(cè)量的可
2021-11-16 15:59:56
MAPRST0912-50硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MAPRST0912-50報(bào)價(jià)MAPRST0912-50代理MAPRST0912-50咨詢熱線MAPRST0912-50現(xiàn)貨,王先生
2018-08-09 09:57:23
流。IG 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管比 SG 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管需要更大的面積。 絕緣體上硅 （SOI） 與大晶硅鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管已在絕緣體上硅（SOI）晶圓和傳統(tǒng)的散裝晶圓上制造?！ OI
2023-02-24 15:20:59
MRF422硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF422報(bào)價(jià)MRF422代理MRF422MRF422現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司MRF422主要用于高功率線性放大器的設(shè)計(jì)，從2到30 MHz優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品
2018-10-09 12:10:05
兩個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)P型半導(dǎo)體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說(shuō)明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
電流。為了使基極電流在 PNP 晶體管中流動(dòng)，基極必須比發(fā)射極（電流必須離開(kāi)基極）更負(fù)，對(duì)于硅器件大約 0.7 伏，對(duì)于鍺器件，基極電流和集電極電流的負(fù)值約為0.3 伏，用于計(jì)算基極電阻、基極電流或
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
輸出;還可以把基極電流lb放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。（2）場(chǎng)效應(yīng)晶體管含義：原件要比晶體管小得多晶體管就是一個(gè)小硅片 但是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜場(chǎng)效應(yīng)管的溝道一般是幾個(gè)納米
2019-04-09 11:37:36
碳納米管對(duì)于傳感器器件的重要性。”Applied Nanotech首席執(zhí)行官表示：“酶涂層碳納米管使靈敏度和選擇性提高，并有消除錯(cuò)誤的潛力?！?
2018-11-19 15:20:44
。
在器件層面，根據(jù)實(shí)際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過(guò)采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破，中國(guó)應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
集電極（也稱為公共集放大器/ CC配置/發(fā)射極耦合器）。晶體管的分類3.1 晶體管如何分類》 晶體管中使用的材料根據(jù)晶體管中使用的半導(dǎo)體材料，可分為硅晶體管和鍺晶體管。根據(jù)晶體管的極性，可分為鍺NPN
2023-02-03 09:36:05
，GaN完勝。塊體GaN電子遷移率是硅的兩倍多，而二維電子氣形態(tài)的GaN電子遷移率則是硅的四倍。正如GaN具有高臨界擊穿電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率，GaN也具有遠(yuǎn)高于硅的載流子飽和速度?！ ⊥该?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的障礙
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
的輸入阻抗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管通常遵循與單個(gè)晶體管相同的設(shè)計(jì)規(guī)則，但有一些限制。它需要更高的基極發(fā)射極電壓才能導(dǎo)通，通常是單個(gè)晶體管的兩倍。它的關(guān)斷時(shí)間要長(zhǎng)得多，因?yàn)檩敵?b class="flag-6" style="color: red">晶體管基極電流不能主動(dòng)關(guān)斷。通過(guò)在輸出晶體管
2023-02-16 18:19:11
開(kāi)關(guān)。其應(yīng)用包括家用電腦、筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、高端網(wǎng)絡(luò)、汽車等?！ ■捠綀?chǎng)效應(yīng)
晶體管代表鰭狀場(chǎng)效應(yīng)
晶體管。鰭片，因?yàn)樗幸粋€(gè)鰭狀體——形成
晶體管主體的
硅鰭片區(qū)分了它。場(chǎng)效應(yīng)，因?yàn)?/div>
2023-02-24 15:25:29
測(cè)量高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)
2021-11-11 10:35:10
測(cè)量高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)
2021-12-08 15:35:04
設(shè)計(jì) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì) 太陽(yáng)能電池和 LED 設(shè)計(jì) 高電子遷移率晶體管設(shè)計(jì) 復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì) 分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件 碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn) 測(cè)量碳納米管電氣特性 提高納米電子和分子
2020-08-12 15:08:14
晶體管設(shè)計(jì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)太陽(yáng)能電池和 LED 設(shè)計(jì)高電子遷移率晶體管設(shè)計(jì)復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量碳納米管電氣特性提高納米電子
2018-11-09 11:28:25
載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
描述EarthQuaker Devices 污垢發(fā)射器基于硅晶體管模糊電路。除了標(biāo)準(zhǔn)的 Tone、Level 和 Dirt 旋鈕外，Dirt Transmitter 還具有一個(gè) Bias 旋鈕，用于模擬快要耗盡的電池的電壓不足，以獲得類似 Velcro 的絨毛音調(diào)。PCB+原理圖
2022-08-10 06:40:23
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)。 晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
。 如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。（1）晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間：晶體管的開(kāi)關(guān)波形如圖1所示。其中開(kāi)啟過(guò)程又分為延遲和上升兩個(gè)過(guò)程，關(guān)斷過(guò)程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過(guò)程
2019-09-22 08:00:00
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
有誰(shuí)可以解答一下如何通過(guò)晶體管去提高倍壓器的精度嗎？
2021-04-20 07:27:55
。 如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。（1）晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間：晶體管的開(kāi)關(guān)波形如圖1所示。其中開(kāi)啟過(guò)程又分為延遲和上升兩個(gè)過(guò)程，關(guān)斷過(guò)程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過(guò)程
2019-08-19 04:00:00
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大?！?Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計(jì)算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
晶體管可以讓工程師開(kāi)發(fā)出速度更快、集成度和效率更高的集成電路，進(jìn)而設(shè)計(jì)出更輕薄的筆記本電腦，散發(fā)的熱量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于現(xiàn)在的水平。這些晶體管包含很多由砷化銦鎵做成的納米管，并沒(méi)有采用傳統(tǒng)的材料硅。生產(chǎn)工藝采用
2011-12-08 00:01:44
等效的提高開(kāi)關(guān)速度的方法，較小R1值也會(huì)加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在較高頻率下，無(wú)源諧振電路（例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器）的尺寸明顯減小，從而提高了功率密度。此外，還需要考慮功率晶體管（Q1和Q2）的選擇，以權(quán)衡
2023-02-27 09:37:29
Ib放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。二、場(chǎng)效應(yīng)晶體管：原件要比晶體管小得多.晶體管就是一個(gè)小硅片.但是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜.場(chǎng)效應(yīng)管的溝道一般是幾個(gè)納米,也就是說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-03-27 11:36:30
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2021-01-19 16:48:15
用。（2）橫向PNP管： 這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運(yùn)動(dòng)的，故稱為橫向PNP管。由于受工藝限制，基區(qū)寬度不可能很小，所以它的值相對(duì)較低，一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優(yōu)點(diǎn)
2019-04-30 06:00:00
采取直接在硅片上真空蒸鍍NiCr合金作為催化劑，用化學(xué)氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。并采用H2等離子體球處理碳納米管薄膜，測(cè)試其場(chǎng)發(fā)射特性，并與未經(jīng)處理的碳納米管薄
2008-12-03 12:55:26
13 碳納米管薄膜是一種能應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射平面顯示器等器件中的新型冷陰極材料。該文用Ni作為催化劑，采用催化熱解法在硅片上制備了多壁碳納米管薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極，反應(yīng)氣體為乙炔
2009-05-14 19:44:1820 隨著對(duì)碳納米管研究的不斷深入，對(duì)碳納米管的應(yīng)用研究越來(lái)越受到人們的重視。通過(guò)分析碳納米管的物理特性，對(duì)碳納米管的應(yīng)用前景進(jìn)行了廣泛的探索。著重分析了碳納米管
2009-07-13 10:28:1813 碳納米管研究的不斷發(fā)展為其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 的結(jié)合提供了可能,這種結(jié)合“Top - down”與“Bottom2up”的方法是微米/ 納米技術(shù)的一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。碳納米管的特性及其在MEMS 上
2009-11-16 11:31:0726 文章系統(tǒng)地論述了非碳納米管的制備,較詳盡地介紹了多種非碳納米管制備最新的進(jìn)展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特別重點(diǎn)地總結(jié)了非碳納米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:4652 碳納米管具有一些獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì), 在納米電子學(xué)有很好的應(yīng)用前景。隨著納米技術(shù)的發(fā)展, 新的工藝技術(shù)也隨之產(chǎn)生。納米器件的由下至上制作工藝, 是在納米技術(shù)和納米材料的基礎(chǔ)之
2011-06-21 17:50:0662 來(lái)自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國(guó)普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個(gè)10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:29843 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:307799 基于SEM圖像的碳納米管薄膜均勻性表征方法研究_陳彥海
2017-03-19 19:12:420 金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù)，具有純度高，管徑小等優(yōu)點(diǎn)。用其分散出來(lái)的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H)，與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低，導(dǎo)電性好等優(yōu)點(diǎn)，能夠更好的滿足動(dòng)力電池對(duì)安全性和導(dǎo)電性需求。
2017-12-27 11:42:524273 
目前碳納米管的制備方法主要有三種，分別是弧光放電法，激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實(shí)驗(yàn)樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:0010885 
在Nano Letters雜志描述的研究中，Barron和他的團(tuán)隊(duì)在嘗試了各種方法從各種污染物中清潔碳納米管之后，對(duì)多壁碳納米管和單壁碳納米管進(jìn)行了艱苦的阻力測(cè)量。 結(jié)果是他們可以去除的雜質(zhì)越多，阻力測(cè)量值越準(zhǔn)確和一致。
2018-03-09 15:41:344140 經(jīng)多年研發(fā)，趙社濤最近成功突破了碳納米管導(dǎo)電劑的新世代生產(chǎn)技術(shù)，進(jìn)一步大大提高了現(xiàn)有小管徑碳納米管導(dǎo)電劑的性能。新工藝所制造的碳納米管集三大優(yōu)點(diǎn)于一身：1、是陳列式的碳納米管，蓬松易分散
2018-08-21 17:15:328684 
文章介紹了碳納米管的結(jié)構(gòu)和性能，綜述了碳納米管/聚合物復(fù)合材料的制備方法及其聚合物結(jié)構(gòu)復(fù)合材料和聚合物功能復(fù)合材料中的應(yīng)用研究情況，在此基礎(chǔ)上，分析了碳納米管在復(fù)合材料制備過(guò)程中的純化、分散、損傷和界面等問(wèn)題，并展望了今后碳納米管/聚合物復(fù)合材料的發(fā)展趨勢(shì)。
2018-12-13 08:00:008 英國(guó)《自然》雜志28日發(fā)表了一項(xiàng)計(jì)算科學(xué)最新進(jìn)展：美國(guó)麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)利用14000多個(gè)碳納米管晶體管，制造出16位微處理器，并生成這樣一條信息。其設(shè)計(jì)和制造方法克服了之前與碳納米管相關(guān)的挑戰(zhàn)，將為先進(jìn)微電子裝置中的硅帶來(lái)一種高效能替代品。
2019-08-29 16:12:133298 MIT和ADI公司的研究人員們創(chuàng)造了第一個(gè)完全可編程的16位碳納米管微處理器。它是迄今基于碳納米管的CMOS邏輯最復(fù)雜的集成，擁有14000多個(gè)晶體管，基于RISC-V架構(gòu)，可執(zhí)行與商用微處理器相同的任務(wù)。
2019-09-02 14:37:291054 以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管作為先進(jìn)微電子器件中硅晶體管的替代品，顯然很有前景。但碳納米管固有的納米級(jí)缺陷和可變性，以及處理它們面臨的挑戰(zhàn)，阻礙了它們?cè)谖㈦娮宇I(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。
2019-09-07 07:08:007191 自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來(lái)，納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究，是目前科學(xué)界的研究熱點(diǎn)。基于碳納米管獨(dú)特的電學(xué)特性，提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想。自此
2020-11-06 10:40:002 但是，這并不代表著對(duì)碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。1998年首個(gè)碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長(zhǎng)期以來(lái)，最小碳納米管CMOS器件的柵長(zhǎng)停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:503526 新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對(duì)于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管的晶體管完全關(guān)閉時(shí)至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:131610 論文題目中有個(gè)看起來(lái)有點(diǎn)兒高深的詞「碳納米管紗線」（Carbon nanotube yarns），那么在談具體的研究細(xì)節(jié)之前，我們先來(lái)解決一個(gè)問(wèn)題：碳納米管紗線為何物？
2021-02-20 09:19:302915 
本文提出了一種碳納米管“橋接策略”來(lái)合成這種富含用于 ORR 催化的高活性單原子 Fe 位點(diǎn)和用于 OER催化的高性能NiCo 納米顆粒的雙功能氧電催化劑（FePc||CNTs||NiCo/CP）。
2022-11-11 11:04:52869 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評(píng)論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機(jī)遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361104 OCSiAl通過(guò)技術(shù)革新，提升了單壁碳納米管粉料的產(chǎn)能，同時(shí)推出了新一代的高固含導(dǎo)電產(chǎn)品，相較現(xiàn)有產(chǎn)品，固含提升在2倍以上，進(jìn)一步降低單壁碳納米管的使用成本，提升性價(jià)比。
2023-04-20 09:34:461283 on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的綜述文章，該綜述全面介紹了高純度半導(dǎo)體碳納米管的提純和薄膜制備
2023-06-12 17:02:40338 
? 近日，北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊(duì) 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ，具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù)，目前該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:18538 
等，成為提高鋰電池能量密度、實(shí)現(xiàn)快充快放和提升循環(huán)壽命的關(guān)鍵輔材。在過(guò)去的幾年里，碳納米管導(dǎo)電漿料的需求急劇增長(zhǎng)，尤其是在下游動(dòng)力電池企業(yè)中，為碳納米管導(dǎo)電劑的市場(chǎng)帶來(lái)了蓬勃發(fā)展。
2023-10-27 17:41:231433 研究中，他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該結(jié)構(gòu)中，通過(guò)將摻雜僅僅局限在延伸部分，而在通道保持未摻雜的狀態(tài)，憑借這一架構(gòu)課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:32338 
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