我們也知道，推動(dòng)集成電路前進(jìn)的主要?jiǎng)恿χ皇枪饪坦に嚦叽绲目s小。目前28nm采用的是193nm的浸液式方法，當(dāng)尺寸縮小到22/20nm時(shí)，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已無(wú)能為力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術(shù)，然而這樣會(huì)增加掩模工藝次數(shù)，從而導(dǎo)致成本增加和工藝循環(huán)周期的擴(kuò)大，這就造成了20/22nm無(wú)論從設(shè)計(jì)還是生產(chǎn)成本上一直無(wú)法實(shí)現(xiàn)很好的控制，其成本約為28nm工藝成本的1.5-2倍左右。因此，綜合技術(shù)和成本等各方面因素，28nm將成為未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間類(lèi)的關(guān)鍵工藝節(jié)點(diǎn)。

28nm制程工藝主要分為多晶硅柵+氮氧化硅絕緣層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)工藝（Poly/SiON）和金屬柵極+高介電常數(shù)絕緣層（High-k）柵結(jié)構(gòu)工藝（HKMG工藝）。Poly/SiON工藝的特點(diǎn)是成本地，工藝簡(jiǎn)單，適合對(duì)性能要求不高的手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備。HKMG的優(yōu)點(diǎn)是大幅減小漏電流，降低晶體管的關(guān)鍵尺寸從而提升性能，但是工藝相對(duì)復(fù)雜，成本與Poly/SiON工藝相比較高。

截止2016年底，臺(tái)積電是目前全球28nm市場(chǎng)的最大企業(yè)，產(chǎn)能達(dá)到155000片/月，占整個(gè)28nm代工市場(chǎng)產(chǎn)能的62%；三星，GlobalFoundry，聯(lián)電的產(chǎn)能分別達(dá)到了30000片/月，40000片/月和20000片/月。從供應(yīng)端來(lái)看，全球28nm的產(chǎn)能供給為25萬(wàn)片/月。

從需求端來(lái)看，隨著28nm工藝的成熟，市場(chǎng)需求呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。從2012年的91.3萬(wàn)片/年到2014年的294.5萬(wàn)片/年，年CAGR達(dá)79.6%，并且將延續(xù)到2017年。根據(jù)賽迪顧問(wèn)統(tǒng)計(jì)，2012-2020年28nm市場(chǎng)需求如下。

28nm的市場(chǎng)需求仍然保持強(qiáng)勁，2017年的市場(chǎng)需求為38.6萬(wàn)片/月，而以臺(tái)積電，聯(lián)電等為首的供給端為25萬(wàn)片/月，有接近13.6萬(wàn)片/月的供給-需求錯(cuò)配，對(duì)于中芯國(guó)際等國(guó)內(nèi)制造商來(lái)說(shuō)，潛在的市場(chǎng)空間很大。

從應(yīng)用端來(lái)看，28nm工藝目前主要應(yīng)用領(lǐng)域仍然為手機(jī)應(yīng)用處理器和基帶。2017年之后，28nm工藝雖然在手機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用有所下降，但在其他多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用則迅速增加，目前能看到的應(yīng)用領(lǐng)域有OTT盒子和智能電視領(lǐng)域。在2019-2020年，混合信號(hào)產(chǎn)品和圖像傳感器芯片也將規(guī)模使用28nm工藝。

在28nm上，明年來(lái)看，市場(chǎng)需求和供給之間有13.6萬(wàn)片/月左右的錯(cuò)配，因此，這個(gè)gap中芯國(guó)際就有可能來(lái)填上。主要邏輯是臺(tái)積電、三星和GF都在比拼先進(jìn)制程，并沒(méi)有在28nm上擴(kuò)產(chǎn)的計(jì)劃。，市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)好的時(shí)候，二線晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率將隨著臺(tái)積電的產(chǎn)能滿(mǎn)載而持續(xù)走高，因此很多IC設(shè)計(jì)廠商開(kāi)始接觸中芯國(guó)際尋求調(diào)配產(chǎn)能分散風(fēng)險(xiǎn)。在28nm上，中芯國(guó)際主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手為聯(lián)電。

一座晶圓廠的投資，必須達(dá)到4萬(wàn)片的產(chǎn)能，產(chǎn)能利用率75%，才能盈虧平衡。

中芯國(guó)際是中國(guó)大陸第一家提供28納米先進(jìn)工藝制程的純晶圓代工企業(yè)。中芯國(guó)際的28納米技術(shù)是業(yè)界主流技術(shù)，包含傳統(tǒng)的多晶硅（PolySiON）和后閘極的高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）制程。中芯國(guó)際28納米技術(shù)于2013年第四季度推出，現(xiàn)已成功進(jìn)入多項(xiàng)目晶圓（MPW）階段，可依照客戶(hù)需求提供28納米PolySiON和HKMG制程服務(wù)。

來(lái)自中芯國(guó)際設(shè)計(jì)服務(wù)團(tuán)隊(duì)以及多家第三方IP合作伙伴的100多項(xiàng)IP，可為全球集成電路（IC）設(shè)計(jì)商提供多種項(xiàng)目服務(wù)，目前已有多家客戶(hù)對(duì)中芯國(guó)際28納米制程表示興趣。28納米工藝制程主要應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、電視、機(jī)頂盒和互聯(lián)網(wǎng)等移動(dòng)計(jì)算及消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域。中芯國(guó)際28納米技術(shù)可為客戶(hù)提供高性能應(yīng)用處理器、移動(dòng)基帶及無(wú)線互聯(lián)芯片制造。

我們?cè)谶@里要討論28nm給中芯國(guó)際帶來(lái)的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)彈性。我們認(rèn)為，28nm在市場(chǎng)需求和供給錯(cuò)配的情況下，將是未來(lái)中芯國(guó)際業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)彈性的主要推手。

目前中芯國(guó)際在28nm上的產(chǎn)能為1.7萬(wàn)片/月，其中北京廠產(chǎn)能為1萬(wàn)片/月，上海廠產(chǎn)能為7000片/月。在工藝技術(shù)方面，向客戶(hù)提供包括28nm多晶硅（PolySiON）和28nm高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）在內(nèi)的多項(xiàng)代工服務(wù)。主要客戶(hù)有高通等。

從營(yíng)收角度來(lái)看，2016年28nm工藝營(yíng)收占總體營(yíng)收的比重為1%左右，體量還非常小。

我們預(yù)計(jì)未來(lái)3年28nm產(chǎn)能的情況將實(shí)現(xiàn)快速的增長(zhǎng)，從2016年的1.7萬(wàn)片/月，到2018年的6萬(wàn)片/月，CAGR為88%。以2018年的產(chǎn)能來(lái)計(jì)算，28nm全年?duì)I收為10.8億美元，預(yù)計(jì)將占到全年?duì)I收的30%。

布局新技術(shù)，未來(lái)的成長(zhǎng)來(lái)源

現(xiàn)在的中芯國(guó)際也正在新技術(shù)上進(jìn)行研發(fā)。如啟動(dòng)14nm研發(fā)，預(yù)計(jì)2018年投入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，突破國(guó)際技術(shù)封鎖，自力更生尋出路。

目前一代的FinFET工藝中，TSMC是16nm節(jié)點(diǎn)，三星、Intel各自開(kāi)發(fā)了14nm FinFET工藝，GlobalFoundries則使用了三星的14nm工藝授權(quán)。由于受到出口限制，中國(guó)只能選擇自己開(kāi)發(fā)，15年中比利時(shí)國(guó)王訪華時(shí)，華為、高通、中芯國(guó)際及比利時(shí)微電子中心宣布合作開(kāi)發(fā)14nm工藝，中芯國(guó)際現(xiàn)在建設(shè)的12英寸晶圓廠就是為此準(zhǔn)備的，預(yù)計(jì)最早2018年投入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。

上海的12英寸晶圓廠不止會(huì)上14nm工藝，未來(lái)還會(huì)升級(jí)10nm以及7nm工藝。

2016年四季，公司宣布在上海開(kāi)工建設(shè)新的12英寸晶圓廠，投資超過(guò)675億人民幣，明年底正式建成，這座工廠將使用14nm工藝，這是中芯國(guó)際最先進(jìn)、同時(shí)也是國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的制造工藝。新的12吋生產(chǎn)線項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資超過(guò)100億美元，將通過(guò)合資方式建設(shè)未來(lái)每個(gè)月可容納7萬(wàn)片的產(chǎn)能規(guī)模。公司董事表示，在加速研發(fā)過(guò)程中，力爭(zhēng)在2018年底實(shí)現(xiàn)突破。

另外，45/40nm進(jìn)軍PRAM存儲(chǔ)，蠶食三星份額。

中芯國(guó)際是中國(guó)大陸第一家提供40納米技術(shù)的晶圓廠。40納米標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程提供低漏電（LL）器件平臺(tái)，核心組件電壓1.1V，涵蓋三種不同閾值電壓，以及輸入/輸出組件 2.5V電壓（超載 3.3V， 低載1.8V）以滿(mǎn)足不同的設(shè)計(jì)要求。40納米邏輯制程結(jié)合了最先進(jìn)的浸入式光刻技術(shù)，應(yīng)力技術(shù)，超淺結(jié)技術(shù)以及超低介電常數(shù)介質(zhì)。此技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能和低功耗的完美融合，適用于所有高性能和低功率的應(yīng)用，如手機(jī)基帶及應(yīng)用處理器，平板電腦多媒體應(yīng)用處理器，高清晰視頻處理器以及其它消費(fèi)和通信設(shè)備芯片。

攜手Crossbar，進(jìn)入PRAM存儲(chǔ)領(lǐng)域。公司與阻變式存儲(chǔ)器（RRAM）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar，共同宣布雙方就非易失性RRAM開(kāi)發(fā)與制造達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議。作為雙方合作的一部分，中芯國(guó)際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國(guó)際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲(chǔ)器組件。這將幫助客戶(hù)將低延時(shí)、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲(chǔ)器組件整合入MCU及SoC等器件，以應(yīng)對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、消費(fèi)電子、工業(yè)及汽車(chē)電子市場(chǎng)需求。

價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇和固定資產(chǎn)加速折舊，2017年?duì)I收占比預(yù)降1-2%。我們估計(jì)在2017/18年，45 / 40nm將占銷(xiāo)售額的24％/ 24％。由于價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)激烈和固定資產(chǎn)的加速折舊，我們預(yù)計(jì)2017年45 / 40nm工藝將同比下降1-2個(gè)百分點(diǎn)。2017/18年 45 / 40nm產(chǎn)能的減少將轉(zhuǎn)化為28nm產(chǎn)能增加。