規(guī)范的產(chǎn)品通常由硅制成，并作為推挽式應(yīng)用系統(tǒng)的一部分運(yùn)行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學(xué)水平上工作的機(jī)制可能有些復(fù)雜，但總的來說，它們用一系列極化離子引導(dǎo)和引導(dǎo)電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測定實(shí)際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對(duì)最大額定值？3. 是否在SOA范圍內(nèi)？4. 在使用環(huán)境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內(nèi)
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
統(tǒng)通過VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測定，并能測試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
的集電極除被控對(duì)象外，沒有連接任何其他的電路或元件，因此也將晶體管的這種連接方式稱為集電極開路。另外，在晶體管開關(guān)電路中，晶體管處于飽和狀態(tài)，使得開關(guān)導(dǎo)通。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí)（晶體管從飽和狀態(tài)恢復(fù)到截止
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管收音機(jī)的廠家，我將分批上傳本書的全部內(nèi)容(這是三管機(jī))，一是給大家了解一下當(dāng)時(shí)我國晶體管收音機(jī)的水平，二是展示一下當(dāng)時(shí)我國生產(chǎn)晶體管收音機(jī)的廠家，因?yàn)樗鼈兿喈?dāng)大一部分已不復(fù)存在了。
2011-06-16 10:22:19
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管放大電路有3種基本連接方式：共發(fā)射極接法、共基極接法和共集電極接法，如下圖所示。一般作電壓放大時(shí)，常采用共發(fā)射極電路。（1） 在共發(fā)射極電路中，發(fā)射極為輸入，輸出回路交流公共端。（2） 在
2017-03-30 09:56:34
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關(guān)，工作電流IC在正常情況下改變時(shí)，β和hFE也會(huì)有所變化；若工作電流變得過小或
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
“導(dǎo)通”意義上的電流。但是，需要被稱為“Qg”的電荷。關(guān)于MOSFET，將再次詳細(xì)介紹。IGBT為雙極晶體管與MOSFET的復(fù)合結(jié)構(gòu)。是為了利用MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)而開發(fā)的晶體管
2018-11-28 14:29:28
創(chuàng)建通道來導(dǎo)通。另外，柵極通過源極及漏極與氧化膜被絕緣，因此不會(huì)流過 “導(dǎo)通”意義上的電流。但是，需要被稱為“Qg”的電荷。 關(guān)于MOSFET，將再次詳細(xì)介紹。 IGBT為雙極晶體管與MOSFET
2020-06-09 07:34:33
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào)，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況，但是
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào)，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
晶體管的基極電流發(fā)生變化時(shí)，其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加入一個(gè)較小的信號(hào)，則其集電極將會(huì)輸出一個(gè)較大的信號(hào)。 晶體管的基本工作條件是發(fā)射結(jié)（B、E極之間）要加上
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
已不符合Ic=Iceo+β*ib而已。這就是在工程中常說的“晶體管處于臨界飽和狀態(tài)”，又稱“臨界工作狀態(tài)”。此時(shí)如果繼續(xù)加大基極的注入電流，晶體管的集電極電位將進(jìn)一步降低，當(dāng)出現(xiàn)晶體管的基極注入已不
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個(gè)區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
級(jí)都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實(shí)用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
，越往下線寬越窄，越靠近器件層。 這是CPU的截面視圖，可以清晰的看到層狀的CPU結(jié)構(gòu)，芯片內(nèi)部采用的是層級(jí)排列方式，這個(gè)CPU大概是有10層。其中最下層為器件層，即是MOSFET晶體管
2020-07-07 11:36:10
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
下，晶體管等于開關(guān)。4） 運(yùn)行狀態(tài)如果我們用上圖中的燈泡代替電阻Rc，那么當(dāng)基極電流為0時(shí)，集電極電流為0，因此燈泡關(guān)閉。如果基極電流相對(duì)較大（大于流過燈泡的電流除以放大倍率β），晶體管將飽和，燈泡將
2023-02-08 15:19:23
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來控制通過一個(gè)通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
、發(fā)射極和集電極。為了識(shí)別NPN和PNP晶體管，我們有一些標(biāo)準(zhǔn)的電阻值。每對(duì)端子必須在兩個(gè)方向上測試電阻值，總共進(jìn)行六次測試。這種方法對(duì)于快速識(shí)別PNP晶體管非常有益。我們現(xiàn)在可以觀察每對(duì)終端的運(yùn)行方式
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
影響。 什么是BTI?簡單說來，就是晶體管處于“開”狀態(tài)時(shí)的一種電荷積聚效應(yīng)，在晶體管通道及其門絕緣介質(zhì)之間形成電荷積累，這會(huì)改變晶體管開關(guān)變換狀態(tài)的電壓，隨著時(shí)間的推移晶體管開關(guān)狀態(tài)變換動(dòng)作會(huì)越來越慢。隨著芯片
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
地，氮化鎵晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬，并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)。為確保透明，我們可以調(diào)整這種設(shè)計(jì)，將這些不透明金屬改變為透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫，它廣泛應(yīng)用于透明
2020-11-27 16:30:52
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結(jié)型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項(xiàng)。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關(guān)。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
。 為什么使用鰭式場效應(yīng)晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場效應(yīng)晶體管器件而不是傳統(tǒng)的MOSFET有多種原因。提高計(jì)算能力意味著增加計(jì)算密度。需要更多的晶體管來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，這導(dǎo)致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
的原理是什么？晶體管由兩個(gè)背靠背連接的PN二極管組成。它有三個(gè)端子，即發(fā)射器，基極和集電極。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來控制通過一個(gè)通道的電流。4.晶體管
2023-02-03 09:32:55
晶體管，基極上的電壓必須低于發(fā)射極上的電壓。像這樣的基本電路通常將發(fā)射器連接到電源的加號(hào)。通過這種方式，您可以判斷發(fā)射極上的電壓。PNP 晶體管如何開啟？PNP 和 NPN 晶體管的端子電阻值然后，我們
2023-02-03 09:45:56
請(qǐng)教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 編輯
場效應(yīng)管是一種放大器件元件，而晶體管是場效應(yīng)管元件它是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，它不吸收信號(hào)源電流
2012-07-11 11:36:52
電流，進(jìn)而改變流過給定晶體管的集電極電流。 如果我們達(dá)到集電極電流的最大流量，則晶體管已飽和。將晶體管導(dǎo)通所需的輸入電壓和電流量由基極電阻決定 圖5. 數(shù)字邏輯晶體管開關(guān) 在R上方的電路
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號(hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號(hào)？常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
的基礎(chǔ)上計(jì)算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
截止的滯后時(shí)間幾乎為零，由截止到導(dǎo)通上升沿不是很抖是因?yàn)槊芾招?yīng)增加了晶體管的輸入電容的結(jié)果肖特基箝位可以看做是改變晶體管的工作點(diǎn)，減小電荷存儲(chǔ)效應(yīng)的影響，提高開關(guān)速度的方法，肖特基箝位電路不像接入
2023-02-09 15:48:33
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
問題［2］。體二極管現(xiàn)有的反向恢復(fù)電荷Qrr將產(chǎn)生高dv/dt，并且較大的直通電流將流過橋接晶體管，這可能導(dǎo)致MOSFET擊穿。因此，Qrr參數(shù)是驗(yàn)證硬換相故障模式風(fēng)險(xiǎn)的關(guān)鍵參數(shù)，因此Qrr越低越好
2023-02-27 09:37:29
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
用555制作的晶體管特性曲線描繪儀本儀器除能測試晶體管外，還能測試二極管，測試方法如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀是測試晶體管特性的專用儀器，使用該儀器可以將晶體管在各種工作電壓下的工作特性用曲線
2008-07-25 13:34:04
。在數(shù)字設(shè)備中，肯定會(huì)使用大規(guī)模集成電路，所以不會(huì)采用電子管。 通過以上的內(nèi)容可以看到，電子管與晶體管在結(jié)構(gòu)與工作方式上都存在著較大的區(qū)別，這就導(dǎo)致了兩者在應(yīng)用范圍上的不同，顯然適應(yīng)性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統(tǒng)電子管是必然的發(fā)展方向，但在某些特定的設(shè)計(jì)或者場合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
特性，我們將首先從GaN器件驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)開始介紹。 正確設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路 諸如英飛凌科技 CoolGaN?600 V HEMT之類的GaN晶體管采用了柵極p型摻雜工藝，這會(huì)將器件的柵極閾值電壓轉(zhuǎn)換
2021-01-19 16:48:15
柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)洹１疚闹校覀?b class="flag-6" style="color: red">將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開關(guān)損耗、更佳的壓擺率控制和改進(jìn)的器件保護(hù)。
2020-10-27 06:43:42
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天，貝爾實(shí)驗(yàn)室中，布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導(dǎo)線，隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
比如華為的麒麟芯片晶體管數(shù)量、功耗控制，芯片內(nèi)總線連接？澎湃芯片的失敗是不是它的研發(fā)團(tuán)隊(duì)在這些方面的不足？
2020-03-15 17:31:09
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請(qǐng)問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
，再加上若干元器件來實(shí)現(xiàn)。而現(xiàn)在李老師的努力下，讓我們有了一種全新實(shí)踐動(dòng)手搭建電路、測試電路的方式，即眼下如火如荼在聚豐眾籌進(jìn)行的“晶體管電路的實(shí)驗(yàn)藝術(shù)”的眾籌項(xiàng)目，此項(xiàng)目將《晶體管電路設(shè)計(jì)(上冊)》中
2016-06-03 18:29:59
小學(xué)生一枚，求CREE公司CGH系列晶體管模型求問ADS大神，如何將2009版以前的模型文件轉(zhuǎn)換成2011版以后啊？
2017-11-21 22:49:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
據(jù)國外媒體報(bào)道，MIT 的科學(xué)家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管，新的晶體管通過材料原子結(jié)構(gòu)中的洞孔來讓電流通過，速度是當(dāng)前晶體管的 4 倍左右。
2013-01-04 09:02:44
2916 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1211815
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