對中國大陸來說，今年可算是真正意義上的存儲器元年。武漢存儲器基地項目啟動，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫光。三個地方加一個企業(yè)牽頭的“3+1”存儲器版圖已初現(xiàn)端倪。

　　此前，中國還未有任何一家企業(yè)在存儲器主流市場中占據(jù)過一席之地。面對一個動輒上百億元巨額投資、由寡頭壟斷的產(chǎn)業(yè)，讓人不由得思考：這種多方并進、多點齊投的發(fā)展模式是不是合理？各方選擇的路徑顯然都不是坦途，最后哪條才能走進存儲器的明天？

　　新進入者：要創(chuàng)造不可能的可能

　　存儲器是一個嚴格按照摩爾定律前進、追求低成本的規(guī)模經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)，想做起來太難。在這個寡頭割據(jù)的市場中，完全沒有給新進入者留下太多發(fā)展的余地。在過去的年月里，能夠聽到的只有不斷退出的失敗悲歌。

　　“現(xiàn)實世界中應(yīng)當不會有新加入者了，因為它無法實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟，不可能加入進來持續(xù)虧錢。”Bernstein分析師Mark Newman告訴《中國電子報》記者。

　　Mark Newman指出，新進入者通常在起步時就要落后同行業(yè)至少3年，在供需平衡的情況下，新進入者一年可能要面臨60%左右的虧損；而在產(chǎn)能過剩的情況下，新進入者的虧損很可能達到百分之幾百。

　　參考過去十幾年的經(jīng)驗，這個市場并不是沒有新進入者。

　　中國***地區(qū)曾在2001年至2010年間以400億美元的大手筆投資大幅挺進存儲器市場，最多的時候能夠占據(jù)存儲器總市場份額的20%。但最終結(jié)果慘淡，市場并不歡迎這個新玩家，目前中國***存儲器只剩下4%的市場份額。

　　這一次，決心晉身存儲器玩家的是中國大陸。

　　從2014年《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》特別指出要發(fā)展新興存儲等關(guān)鍵芯片產(chǎn)業(yè)，到工信部印發(fā)的貫徹落實《國務(wù)院關(guān)于積極推進“互聯(lián)網(wǎng)+”行動的指導意見》行動計劃（2015-2018年）中提出到2018年在海量存儲系統(tǒng)領(lǐng)域取得重大突破，毫無疑問，面對常年“缺芯”的窘境，市場總額超過800億美元、卻幾乎100%依賴進口的存儲器已經(jīng)上升到國家意志的高度，發(fā)展刻不容緩。

　　中科院微電子所研究員霍宗亮告訴《中國電子報》記者，對新進入的中國玩家，想切入DRAM和NAND閃存領(lǐng)域存有一線可能。DRAM制程工藝已快遇到物理上的極限，更新?lián)Q代越來越慢，技術(shù)難度越來越大，在這樣的情況下，國外廠家有可能跟中國新進入者共同研發(fā)或技術(shù)轉(zhuǎn)移，但利潤很薄，前景堪憂。

　　他指出，閃存則開始走進3D NAND新興技術(shù)，該技術(shù)可以向下延展到更多的技術(shù)節(jié)點，比如32層、48層、64層、96層……在設(shè)備成本差別不大的情況下，中國新進入者只要完成前期的技術(shù)開發(fā)，后續(xù)的進展有可能加速。

　　其實中國大陸早已成為國際存儲器大廠爭相投資的熱土。

　　目前在中國做存儲器的版圖中還有原本就已布局西安的三星、扎根無錫的SK海力士和已確定將大連工廠從做邏輯IC轉(zhuǎn)為做3D Xpoint存儲器的英特爾等國際主流玩家。

　　據(jù)賽迪智庫集成電路研究所所長霍雨濤判斷，SK海力士無錫工廠的DRAM產(chǎn)能可以占其DRAM總產(chǎn)能的43%。三星西安工廠的NAND Flash產(chǎn)能接近其NAND Flash總產(chǎn)能的22%。

　　市場就在這里，需求就在這里。不僅僅只是國際廠商意識到了這一點，中國顯然也并不缺乏勇于吃螃蟹的人。

　　在短短不到2年的時間里，存儲器項目在中國大陸各地開花。參與這場追擊戰(zhàn)的除原本曾在Nor閃存領(lǐng)域耕耘10年的武漢新芯外，還有決心在集成電路產(chǎn)業(yè)干一番大事的安徽合肥、福建晉江市政府，以及憑借強有力的資本運作手段完成多個重大項目的紫光集團。

　　至此，中國大陸“3+1”存儲器版圖初定。

　　是激進冒險？還是打破了一潭死寂？

　　“紫光集團計劃在未來5年投資300億美元在存儲器產(chǎn)業(yè)上。”紫光集團董事長趙偉國告訴《中國電子報》記者。他表示，除了紫光國芯計劃增發(fā)的800億元中，不少于600億元將投資到存儲器制造上外，紫光計劃再籌集1400億元投入到存儲器產(chǎn)業(yè)。

　　根據(jù)公開資料，福建省晉江市與聯(lián)電技術(shù)合作的晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線項目，一期投資額也有53億美元。

　　事實上，作為規(guī)模經(jīng)濟的典型代表，存儲器產(chǎn)業(yè)是眾所周知的投資大、周期長，要建一條20nm以下工藝的生產(chǎn)線，至少要投入70億美元。以目前已啟動的武漢存儲器基地為例，其總投資金額將達240億美元。

　　回顧從前，在國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立前，在紫光屢屢豪邁地對國際企業(yè)發(fā)出并購邀約前，中國半導體業(yè)內(nèi)的主旋律還是缺錢，也并沒有一家廠商有勇氣以如此巨額投資做IDM模式的存儲器。

　　業(yè)界也因此出現(xiàn)了質(zhì)疑的聲音：這么龐大的資金投入會不會被浪費？對團隊和人才會不會出現(xiàn)不必要的內(nèi)部爭奪？會不會出現(xiàn)嚴重的同質(zhì)化問題？

　　半導體行業(yè)專家莫大康向記者表示，存儲器行業(yè)風險太大，需要盡量謹慎。他不太贊成各地開花的做法，但認為只支持一家上馬的風險也很大。

　　“從戰(zhàn)略層面來講，舉全國之力做一件事，毫無疑問是正確的。在自身各方面條件有限的情況下，集中力量才能想辦法做成點兒大事。”清華大學微電子所所長魏少軍對《中國電子報》記者表示。

　　他同時也指出，在實際情況下，存儲器也是完全市場化競爭的產(chǎn)品，企業(yè)在做之前必然也會判斷重點、估算得失，不會盲目投資。

　　必須承認的一點是，各地選擇的市場切入點、商業(yè)模式不盡相同，其積極性確實打破了全球存儲器格局的一潭死寂。當事人們也都表示出了極大的信心。