為了推動自主存儲芯片的發(fā)展，我國以國家戰(zhàn)略和意志建設(shè)半導體產(chǎn)業(yè)鏈，至今為止我國僅能批量生產(chǎn)55nm級別的NOR Flash（NOR閃存），用于主板BIOS芯片等小容量、寫入慢的邏輯芯片。3D NAND閃存也僅在實驗室狀態(tài)下，完成9層結(jié)構(gòu)的存儲芯片的存儲器功能的電學驗證。DRAM則干脆處于技術(shù)儲備、規(guī)劃當中，短期內(nèi)無量產(chǎn)可能，如果靠我國純正血統(tǒng)的技術(shù)、團隊在幾年時間追趕國外領(lǐng)先的存儲芯片水平，其難度遠高于我國的大飛機項目，且不論容量大小，不允許有任何失誤。因此我們找到①技術(shù)的合作伙伴、②有經(jīng)驗的優(yōu)秀團隊以及③矽知識產(chǎn)權(quán)，將是加速我國存儲芯片量產(chǎn)的三大關(guān)鍵因素。

　　中國完成DRAM技術(shù)飛躍的契機

　　據(jù)日經(jīng)新聞報道，由日本爾必達的元社長坂本幸雄所設(shè)立的半導體設(shè)計公司兆基科技（Sino King Technology）和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約，兆基科技將主導合肥市政府總額高達8000億日元（460億人民幣（6.7180， 0.0130， 0.19%））的大規(guī)模半導體工廠興建企劃。新工廠將生產(chǎn)由兆基科技所設(shè)計研發(fā)、具備低耗電力的計算機內(nèi)存（DRAM），計劃在2018年下半年開始量產(chǎn)，以12吋晶圓換算的月產(chǎn)能達10萬片的國內(nèi)最大的內(nèi)存芯片工廠。其實兆基科技現(xiàn)在只有10名日藉員工，從理論上講應(yīng)該是一個半導體設(shè)計公司，他們也準備從中國、日本和***三國招募1000名半導體技術(shù)人員。合肥的計劃當然是政府振新半導體行業(yè)的一部分，但是合肥市政府如此巨額的投資，為什么要和一個剛建立不久且員工只有10名的無名小輩合作呢？社長坂本幸雄個人的魅力是一個很重要的一點，但最重要的原因應(yīng)該和武漢新芯和飛索聯(lián)合作獲取3D NAND Flash生產(chǎn)技術(shù)一樣，是為了獲取DRAM的生產(chǎn)技術(shù)。日本爾必達倒產(chǎn)以后，生產(chǎn)DRAM的只有三星、美光和SK Hynix三巨頭，紫光在美光收購和SK Hynix入股的接連失敗后，兆基科技成為現(xiàn)階段獲取DRAM技術(shù)的唯一選擇。

　　中國半導體選擇存儲芯片崛起的原因

　　中國半導體行業(yè)選擇存儲芯片作為崛起的突破口最重要的原因是迎合“大數(shù)據(jù)”和“云計算”時代的到來。根據(jù)野村證券的研報，現(xiàn)在世界在網(wǎng)絡(luò)上的數(shù)據(jù)為8ZG（1ZB =270bit）左右，而其中15%的1.2ZB是儲存在存儲芯片里，90%由硬盤（HDD）存儲，10%存儲在像NAND那樣的閃存里。到2020年，人類在虛擬空間積累的數(shù)據(jù)將達到44ZB，而且為了能對這些數(shù)據(jù)進行“云計算”，儲存在閃存的數(shù)據(jù)將達到15ZB。這個數(shù)據(jù)是以現(xiàn)在NAND的價格為前提計算的，如果像3D NAND Flash那樣的技術(shù)能提高存儲容量和降低價格的話，2020年時閃存所占的比例將會為50%-70%，即22-30ZB左右，按此計算的話，月產(chǎn)10萬片的超級工廠需要234座，而現(xiàn)在世界上只有15座，在未來的4-5年間，世界需要219座超級工廠，“大數(shù)據(jù)”和“云計算”時代會給以3D NAND Flash為代表的閃存帶來幾何式增長需求。

　　另一原因，一大半以上的“大數(shù)據(jù)”和“云計算”設(shè)備在中國生產(chǎn)應(yīng)該是沒有任何懸念，在生產(chǎn)階段，中國將消費大部分的存儲芯片。再則，隨著中國“虛擬現(xiàn)實”、“互聯(lián)網(wǎng)金融”等的發(fā)展，中國自身對存儲芯片的需求也會成爆發(fā)式增長，這些“鋼性需求”對新參的中國企業(yè)來說無疑是天賜良機。從戰(zhàn)略層面上講，現(xiàn)在是發(fā)展存儲芯片難得的時間窗口。