據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，其中會(huì)將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:00
4052 研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。
2015-11-11 09:03:54421 根據(jù)科技新報(bào)取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場(chǎng)謠傳的 DRAM 廠。
2016-03-22 08:14:093440 本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
2016-12-27 15:49:1320415 
根據(jù)BCC Research發(fā)布的最新研究報(bào)告指出，NRAM在苦熬多年一直無法量產(chǎn)后，終于準(zhǔn)備好在2018年商用化了，預(yù)計(jì)將席卷現(xiàn)有的DRAM與快閃記憶市場(chǎng)。該市調(diào)公司并表示，首款利用這種碳納米管（CNT）技術(shù)的非揮發(fā)性內(nèi)存芯片似乎也已經(jīng)蓄勢(shì)待發(fā)，預(yù)計(jì)將對(duì)計(jì)算機(jī)內(nèi)存領(lǐng)域帶來不小沖擊。
2017-01-22 10:08:571171 存儲(chǔ)供應(yīng)緊俏，業(yè)者獲利直線上沖，口袋賺飽。外資警告，廠商砸錢增產(chǎn)，DRAM 和 NAND Flash 的毛利率可能會(huì)在今年年中觸頂。
2017-02-09 07:11:191092 
據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371380 
一種名為NRAM的新技術(shù)或可取代現(xiàn)有的NAND閃存，為固態(tài)硬盤帶來近乎無限的使用壽命。
2021-01-12 16:03:393923 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
2月份DRAM與NAND Flash價(jià)格持續(xù)上漲，DRAM上漲最主要的動(dòng)力來自于服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心正在快速布建5G基礎(chǔ)建設(shè)的需求持續(xù)強(qiáng)勁。
2020-03-10 10:39:541182 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）旗下半導(dǎo)體研究處的最新報(bào)告稱，由于NAND Flash的供應(yīng)商數(shù)量遠(yuǎn)高于DRAM，加上供給位元成長(zhǎng)的幅度居高不下，預(yù)計(jì)2021年NAND Flash價(jià)格仍將逐季下跌。
2020-12-15 10:13:533070 ）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盤（MICRODRIVE）。這些閃存卡雖然外觀、規(guī)格不同，但是技術(shù)原理都是相同的。NAND FLASH和NOR FLASH都是現(xiàn)在用得比較多的非易失性
2012-08-15 17:11:45
步伐。據(jù)韓媒Kinews等報(bào)導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對(duì)DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。同時(shí)，另一家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09
。盡管本文絕不是對(duì)所有內(nèi)存技術(shù)的全面討論，但在討論所提出的內(nèi)存技術(shù)時(shí)，DRAM，SRAM和FLASH可以為我們提供有用的比較點(diǎn)。DRAM盡管有各種各樣的可用RAM類型（具有不同的速度），但它們幾乎總是
2020-09-25 08:01:20
我現(xiàn)在用的NAND FLASH型號(hào)為K9F4G08U0B-PCB0，它有4096個(gè)Blocks，每個(gè)Block有64個(gè)Pages，每個(gè)Page大小為2K，這個(gè)在DEVICE ID里面找不到，請(qǐng)問大家都用的是什么型號(hào)的NAND FLASH？
2018-06-21 08:58:33
Flash的接口控制設(shè)計(jì)由于NAND Flash只有8個(gè)I/O引腳,而且是復(fù)用的,既可以傳數(shù)據(jù)﹐也可以傳地址、命令。設(shè)計(jì)命令鎖存使能(Command Latch Enable，CLE)和地址鎖存使能
2020-11-05 09:18:33
板載256MB的NAND Flash，其扇區(qū)大小為128KB，uboot、linux內(nèi)核以及文件系統(tǒng)等都安裝在其中，NAND Flash的分區(qū)情況如表1所列。注：板載核心板以具體實(shí)物為準(zhǔn)，如不
2021-12-15 06:34:30
Enable，地址鎖存使能，在輸入地址之前，要先在模式寄存器中，設(shè)置ALE使能4. CE#：Chip Enable，芯片使能，在操作Nand Flash之前，要先選中此芯片，才能操作5. RE#：Read
2018-07-18 15:48:43
Latch Enable，地址鎖存使能，在輸入地址之前，要先在模式寄存器中，設(shè)置ALE使能4. CE#：Chip Enable，芯片使能，在操作Nand Flash之前，要先選中此芯片，才能操作5.
2018-06-12 10:13:36
請(qǐng)問有沒有 使用過 nand flash的，遇到一個(gè)問題找不到原因。最開始 nand flash 默認(rèn)接口 是 SDR 模式，我將 nand flash 接口配置成 DDR timing mode
2020-10-04 13:30:42
少，還是2048bytes。已知nand flash的型號(hào)為MT29F4G16ABADAH4，大小為512MBytes（好像從手冊(cè)看，CS3只能尋址32M空間），4096blocks，每個(gè)block有64
2019-01-22 11:07:57
本文先解釋了Nand Flash相關(guān)的一些名詞，再?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">Flash硬件機(jī)制開始，介紹到Nand Flash的常見的物理特性，且深入介紹了Nand Flash的一些高級(jí)功能，然后開始介紹Linux下面
2019-07-25 07:10:46
NAND FLASH Controller IP Core標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH Controller標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH控制器 我是一位在職者（北京），專業(yè)從事FPGA接口設(shè)計(jì)，有較多的空余
2012-05-21 09:32:15
的性能。NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分。NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以
2015-11-04 10:09:56
在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，做為存儲(chǔ)設(shè)備的NOR flash和NAND flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)據(jù)線，地址線并排設(shè)置與IC的管腳中。但是由于不同容量
2018-08-07 17:01:06
一般可通過PAD連接閃存，比如Cadence公司的Octal-SPI
NAND Flash controller, 支持8-bit的數(shù)據(jù)和地址傳輸，這樣的速度會(huì)比傳統(tǒng)的單比特串行SPI快很多。因?yàn)?/div>
2022-07-01 10:28:37
開發(fā)板可以看到：U-Boot 1.1.6 (Mar 28 2012 - 21:26:29)DRAM: 64 MBFlash:512 kBNAND: 256 MiB 顯示NAND FLASH大小為
2019-07-03 05:45:43
flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分。 NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。1、性能比
2018-08-09 10:37:07
我在板子上移植U-boot,移植成功了。但是我用nand erase 擦除整個(gè)nand flash芯片后，U-boot還是能啟動(dòng)。我是把uboot下載到flash上的。
2019-08-21 01:11:36
什么是NAND Flash？NAND Flash在嵌入式系統(tǒng)中的作用是什么？如何去使用NAND Flash控制器？
2021-06-21 06:56:22
，降低了成本。
flash 分為 nor flash 和 nand flash：
nor flash 數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦
2023-05-19 15:59:37
NAND FLASH Controller IP Core標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH Controller標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH控制器 我是一位在職者（北京），專業(yè)從事FPGA接口設(shè)計(jì)，有較多的空余
2012-02-17 11:11:16
NAND FLASH Controller IP Core標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH Controller標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH控制器我是一位在職者（北京），專業(yè)從事FPGA接口設(shè)計(jì)，有較多的空余
2014-03-01 18:49:08
求DM3730用的NAND+DRAM 的線路和layout
2015-07-17 14:56:53
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
U-Boot NAND FLASH驅(qū)動(dòng)分析——西伯利亞的風(fēng)一、初始化函數(shù)調(diào)用關(guān)系 初始化函數(shù)調(diào)用關(guān)系如圖1.1所示。1.U-Boot啟動(dòng)過程中調(diào)用nand_init()初始化NAND FLASH
2019-07-08 03:56:54
、DRAM和Nand Flash，區(qū)別在于其產(chǎn)品的最終形態(tài)不同，計(jì)算機(jī)內(nèi)部的形態(tài)為CPU+內(nèi)存條+硬盤，而手機(jī)則采用eMMC或eMCP兩種形式：“處理器+eMCP”或“集成了LPDDR的處理器+eMMC
2023-02-17 14:06:29
C6748NAND FLASH讀寫速度能達(dá)到多少呢？我測(cè)得寫入速度4.5MB/S左右，有點(diǎn)慢，請(qǐng)問這是正常速度嗎？
2019-09-10 10:05:42
請(qǐng)問一下，怎么樣去找nand flash 和nor flash 和dram，其實(shí)就是材料的選型，不知道怎么樣找資料，謝謝
2012-04-16 11:28:33
由于Nand Flash 寫之前需要擦除且使用壽命有限，為了提高Nand Flash 的使用壽命，需要對(duì)Nand Flash 存儲(chǔ)塊進(jìn)行均衡管理。本文研究了ZLG/FFS，針對(duì)其不足，并根據(jù)ZLG/FFS設(shè)計(jì)了一個(gè)新的FF
2009-08-11 08:10:24
17 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 根據(jù)調(diào)查，市場(chǎng)預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫(kù)存回補(bǔ)需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市
2011-09-07 09:20:48748 
NAND Flash需求主要集中在智慧型手機(jī)、云端儲(chǔ)存大型資料庫(kù)用的固態(tài)硬碟（SSD）上。2013年智慧型手機(jī)、平板電腦對(duì)于NAND Flash晶片用量倍數(shù)增加，加上云端運(yùn)算商機(jī)，市場(chǎng)對(duì)第3季NAND Flash市場(chǎng)看法偏向吃緊，晶片價(jià)格維持高檔。
2013-07-05 10:13:443031 本文提出了 一種 NAND Flash 在 WINCE. net 系統(tǒng)中的應(yīng)用方案設(shè)計(jì)。首先介紹了 NAND Flash 原理及與 NO R Flash的區(qū)別 接著介紹了 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)方案
2016-03-14 16:01:232 NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析
2016-03-17 14:14:0137 Allwinner Technology Nand Flash Support List—全志科技NAND Flash支持列表。
2016-09-26 16:31:142 Hynix NAND flash型號(hào)指南
2017-10-24 14:09:2925 如何編寫Linux 下Nand Flash驅(qū)動(dòng)
2017-10-30 08:36:4415 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM 熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)依舊，但NAND 部分，恐怕就不會(huì)那么樂觀了，由于大廠3D NAND 良率大躍進(jìn)，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017 年第四季引爆，至少2018 年上半年恐怕都不會(huì)太理想，最快2018 年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。
2018-01-22 14:33:334440 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者： （1）比NAND Flash快1000
2018-04-19 14:09:0050542 
內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下，價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:00912 隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫速度不佳。
2018-06-22 11:40:0011380 隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲(chǔ)存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科（2408）日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應(yīng)求，帶動(dòng)存儲(chǔ)器族群行情向上，旺宏（2337）在權(quán)證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨（29）日登上成交金額之首。
2018-06-22 15:45:001233 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122130 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 在存儲(chǔ)器的競(jìng)爭(zhēng)格局中，除了FRAM，不得不提的另外兩個(gè)產(chǎn)品是ReRAM和NRAM。簡(jiǎn)略地講，F(xiàn)RAM 用于數(shù)據(jù)記錄；ReRAM可替代大容量EEPROM；NRAM 用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存，還可替代NOR Flash。
2018-04-25 16:35:427793 
雖然近期DRAM及NAND Flash價(jià)格走勢(shì)因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì)，但是并不影響記內(nèi)存廠商的獲利表現(xiàn)。美國(guó)存儲(chǔ)廠商美光（Micron）昨日宣布調(diào)升2018年會(huì)計(jì)年度第二季（去年12月1日至
2018-07-06 11:56:00517 根據(jù)Yole 預(yù)測(cè)2018年DRAM價(jià)格將上漲23%，NAND價(jià)格下降15％。
2018-06-28 17:05:015696 
你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)是誰(shuí)的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場(chǎng)，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過，在內(nèi)存天下三分的大背景下，新一代存儲(chǔ)技術(shù)3D
2018-09-29 16:05:515499 據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443278 據(jù)TrendForce旗下的DRAMeXchange發(fā)布的最新報(bào)告顯示，本應(yīng)該是購(gòu)物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合約采購(gòu)價(jià)均呈現(xiàn)疲軟的態(tài)勢(shì)，其中DRAM預(yù)估下滑5％或更多。所以大家所關(guān)心的內(nèi)存和SSD產(chǎn)品在接下來的一段時(shí)間內(nèi)有希望迎來一波降價(jià)浪潮。
2018-10-11 16:12:29836 先前反壟斷局針對(duì)DRAM三大業(yè)者，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展開反壟斷嫌疑調(diào)查，據(jù)悉最近調(diào)查已告一段落，調(diào)查與開罰的理由，也從原先的DRAM價(jià)格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售。
2018-12-29 09:22:513297 水電費(fèi)廣東省根深蒂固
2019-03-26 16:18:34211 三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后，NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣，決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:553185 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:563485 IC Insights 表示，2020 年預(yù)測(cè)成長(zhǎng)最快 IC 產(chǎn)品中，NAND flash 排第一、DRAM 排第三。 今年這兩項(xiàng)商品的市場(chǎng)崩盤，2019 年 NAND flash 銷售重挫 27
2019-12-06 10:36:40558 12 月 9 日訊，2020 年 SK 海力士將進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，為實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理，會(huì)將 DRAM 和 NAND Flash 兩大開發(fā)部門整合在一起。
2019-12-10 10:59:591721 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-23 14:13:44647 NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁(yè)構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁(yè)
2020-07-22 11:56:265264 
DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲(chǔ)器，DRAM通常被稱為內(nèi)存，也有些朋友會(huì)把手機(jī)中的Flash閃存誤會(huì)成內(nèi)存。SRAM的存在感相對(duì)較弱，但他卻是CPU性能發(fā)揮的關(guān)鍵。
2020-07-29 11:14:1611868 對(duì)比別的存儲(chǔ)器，納米碳管運(yùn)行內(nèi)存（NRAM）是一個(gè)近些年出現(xiàn)的新東西，它具備眾多優(yōu)點(diǎn)：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM的可擴(kuò)展性和對(duì)閃存的超強(qiáng)耐久性的潛力。它比基本上全部新起存儲(chǔ)系統(tǒng)
2020-09-11 17:44:42612 
DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
根據(jù)2020年二季度Nand Flash市場(chǎng)排名，三星占據(jù)31%，處于領(lǐng)先地位，緊跟其后的是鎧俠，占比達(dá)17%。排名第三、第四、第五、分別是西數(shù)、美光、SK海力士。以下是DRAMeXchange
2020-11-04 14:17:5915347 移動(dòng)電話的功能日益豐富，其對(duì)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的需求正在快速增長(zhǎng)。 NAND Flash具有速度快、密度大、成本低等特點(diǎn)，在各種數(shù)碼產(chǎn)品中得到了廣泛 應(yīng)用，在各種片上系統(tǒng)芯片中（SOC）集成NAND
2021-03-29 10:07:0819 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)
2021-06-03 18:01:483229 
Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案(嵌入式開發(fā)一般考什么證書)-ST提供適用于SLC的NFTL（NAND Flash Translation Layer）和FAT類文件系統(tǒng)來解決NAND Flash存儲(chǔ)的問題。
2021-07-30 10:41:299 1.SPI Nand Flash簡(jiǎn)介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash，它和普通并行的Nand Flash相似，比如：SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630 本文章主要講解了nand_flash初始化的方法，如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
FLASH芯片分為Nor Flash和Nand Flash，Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線，用于存儲(chǔ)較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù)，NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線，Nand Flash用來安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532 非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888 
mobile收入增長(zhǎng)及DDR5、HBM等出貨擴(kuò)大的推動(dòng)下，SK海力士的NAND Flash和DRAM收入分別實(shí)現(xiàn)26.4%和48.9%的環(huán)比增長(zhǎng)
2023-09-05 16:13:32317 
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011626 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23556 
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬(wàn)個(gè)dram和3萬(wàn)個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬(wàn)個(gè)dram和1萬(wàn)個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆]有
2023-10-29 16:32:58647 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735 
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921 NRAM是一個(gè)近些年出現(xiàn)的新東西，它具備眾多優(yōu)點(diǎn)：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM芯片的可擴(kuò)展性和對(duì)閃存的超強(qiáng)耐久性的潛力。
2024-01-09 13:56:42446 
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160 
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