液鉭電容器---EP2，器件每款電壓等級和外形尺寸的容量均為業(yè)界先進(jìn)。EP2有B和C兩種封裝，提供徑向插件端接，可選螺桿固定，可用來直接取代同類器件，或用作等效機(jī)械封裝的高容量電容，減少元件數(shù)量、節(jié)省空間
2022-05-25 11:03:21
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、VS-2EFH01-M3和VS-1EFH02-M3和VS-2EFH02-M3，器件使用小尺寸、超薄的SMF （DO-219AB） eSMP?系列封裝。這些器件通過AEC-Q101認(rèn)證，具有極快恢復(fù)和軟恢復(fù)特性，以及低泄漏電流和低正向壓降，在汽車和通信應(yīng)用里可減少開關(guān)損耗和功率耗散。
2015-07-07 11:47:49735 Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型柵極驅(qū)動變壓器---MGDT，可在高功率的國防和航天、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用中顯著節(jié)省空間。
2018-03-07 13:57:098754 為了更好地理解對功率密度的關(guān)注，讓我們看看實現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:141169 
Vishay宣布，推出節(jié)省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴(kuò)充其TNPU e3系列汽車級高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 08:08:00831 日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達(dá)98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211425 汽車級MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 和信號完整性以提高系統(tǒng)級保護(hù)和精度。 ? 在這些趨勢之外，功率密度越來越高也是一個不爭的行業(yè)趨勢，如果能在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率，就能以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)級性能。隨著功率需求的增加，電路板面積和厚度日益成為限制
2022-11-29 01:04:001328 也顯而易見，更少的組件，更高的集成度以及更低的成本。 ? 更高的功率密度和溫度 ?功率密度是在給定空間內(nèi)可處理多少功率的度量，基于轉(zhuǎn)換器的額定功率以及電源組件的體積計算得出。電流密度也是一種與功率密度有關(guān)的指標(biāo)，
2022-12-26 09:30:522114 節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% ，有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計 ? 美國 賓夕法尼亞 MALVER N 、中國 上海 — 2023
2023-01-30 10:09:49529 
CDMA系列電阻可減少系統(tǒng)元件數(shù)量，降低汽車和工業(yè)應(yīng)用加工成本，同時減小PCB尺寸，提高精度和穩(wěn)定性。 ? 日前發(fā)布的片式電阻分壓器在單體封裝中集成兩個電阻，爬電距離
2023-03-08 18:15:40608 
器件通過 AEC-Q200 認(rèn)證，節(jié)省電路板空間的同時，減少元器件數(shù)量并降低加工成本 ? 美國 賓夕法尼亞 MALVER N 、中國 上海 — 2023 年 3 月 29 日 — 日前，Vishay
2023-03-29 17:00:06695 
解決方案的功率僅為其75%。 新器件的高功率密度允許設(shè)計人員升級現(xiàn)有設(shè)計，開發(fā)輸出功率提高最多25%的新平臺，或者減少并聯(lián)功率器件數(shù)量，從而實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計。獨(dú)一無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247，用于表面貼裝。這可支持輕松焊接，實現(xiàn)快速且可靠的貼裝生產(chǎn)線。
2018-10-23 16:21:49
探討電容、電阻、電感、光隔離器、功率器件在工業(yè)電源、機(jī)車電源系統(tǒng)、電機(jī)控制、逆變器、變頻器等領(lǐng)域的應(yīng)用。講座亮點：Vishay電容器部門區(qū)域市場技術(shù)經(jīng)理黃勇做演講1）電容器在工業(yè)電源系統(tǒng)中的應(yīng)用：主要
2010-09-08 15:49:48
e3體積小、電壓高，可替換較大封裝的電阻和多個相似外形尺寸的器件，且不影響精度，減少元件數(shù)量，節(jié)省電路板空間，降低成本。器件經(jīng)過AEC-Q200認(rèn)證，典型應(yīng)用包括汽車和工業(yè)逆變器電壓測量、電池管理
2022-03-30 13:58:54
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 電源，滿足基站遠(yuǎn)程射頻單元 (RRU) 應(yīng)用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 內(nèi)核電壓軌電源規(guī)格。該電源在
2022-09-27 06:47:49
高功率密度雙8AμModule穩(wěn)壓器
2019-05-17 17:25:42
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過機(jī)電元件
2022-11-07 06:45:10
%的緊湊型電子變壓器。 這種緊湊型變壓器的設(shè)計，首先遇到的問題是要在高功率密度和高效率兩者間作折衷選擇，其研制出的主要技術(shù)是使用銅箔交疊的平面繞組結(jié)構(gòu)，以增加銅箔密度的方法減小在高頻(MHz級
2016-01-18 10:27:02
能量從輸入傳遞至輸出。電容器的能量密度遠(yuǎn)高于電感器，因而采用充電泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在啟動、保護(hù)、柵極驅(qū)動和穩(wěn)壓方面面臨挑戰(zhàn)，所以充電泵傳統(tǒng)上一直局限于低功率應(yīng)用。LTC7820
2018-10-31 11:26:48
3mm （LxWxH）。 工業(yè)和汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器和其它要求高功率密度的電源應(yīng)用的設(shè)計人員，將會獲益于抗銹的過模壓結(jié)構(gòu)和寬泛的額定工作溫度范圍。此兩款器件都經(jīng)過特別的工程設(shè)計，具有高性能和高成本
2018-09-26 15:44:31
解決方案，從而導(dǎo)致功率密度大幅度降低。 當(dāng)應(yīng)用設(shè)計意在僅將元器件安裝在 PCB 單側(cè)時，這一點尤其突出。 在無法利用系統(tǒng) PCB 反面的情況下，分立式電源往往會進(jìn)行擴(kuò)展，從而占用寶貴的 PCB 板空間
2018-07-20 09:51:08
的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。<
2009-01-07 16:01:44
LT1965 一款高功率密度1A LDO器件.該IC在滿負(fù)載時具有僅為300mV的低壓差電壓、1.8V 至20V的寬VIN能力和1.2V至19.5V的可調(diào)輸出，不日前由凌力爾特公司
2018-09-27 10:37:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 16:29:16
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 15:43:13
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
實現(xiàn)設(shè)計，同時通過在一個封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案
2020-10-27 09:28:22
的反激電源(Fly-Back)一樣，所以設(shè)計方法相同。Fly-Buck利用了高集成度Buck芯片的優(yōu)勢，減少了電路體積和外圍元器件數(shù)量，使隔離電源總體積縮小。圖7是相同功率和電壓的Fly-Buck和反
2019-03-14 06:45:08
設(shè)計、降低成本和電路板空間要求。對于高輸入/輸出電壓應(yīng)用 (48 V 至 12 V)，傳統(tǒng)降壓型轉(zhuǎn)換器所需元件通常尺寸更大，因此并非理想的解決方案。也就是說，降壓型轉(zhuǎn)換器必須在低開關(guān)頻率 (例如，100 kHz
2020-10-27 07:58:39
擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
描述 PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
升壓從動器PFC通過調(diào)整來提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡化了復(fù)雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅(qū)動損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開關(guān)損耗和循環(huán)能量，提高系統(tǒng)效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
要監(jiān)視更多的傳感器。本文將討論如何顯著減少PCB占用空間，增加通道密度以及最大限度地發(fā)揮其他組件和功能與TI微型數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器高度集成的優(yōu)勢，從而以更小的尺寸創(chuàng)造更多的價值。第一個優(yōu)點：PCB占用空間更小
2022-11-09 06:13:10
隨著系統(tǒng)尺寸越來越小，每平方毫米的印刷電路板（PCB）面積都至關(guān)重要。與此同時，隨著對數(shù)據(jù)需求的增加，則需要監(jiān)視更多的傳感器。 本文將討論如何顯著減少PCB占用空間，增加通道密度以及最大限度地發(fā)揮其他組件和功能與TI微型數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器高度集成的優(yōu)勢，從而以更小的尺寸創(chuàng)造更多的價值。
2021-01-19 06:41:35
;第二，工程師可以通過減小各部件體積的方式使其適應(yīng)新型的封裝形式，利用緊湊型工藝結(jié)構(gòu)有效縮小其體積;第三個方法是改進(jìn)熱設(shè)計，使高功率密度條件下達(dá)成散熱平衡成為可能。 除此之外，在電路的設(shè)計中我們還可
2016-01-25 11:29:20
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
器件即可相互反相工作——包括時鐘和相位控制。多相工作模式下可以減少輸出和輸入紋波電流，從而減少所需輸入和輸出電容的數(shù)量。在圖10中，4個LTM4636相互反相90°。圖10. 這款140 W的調(diào)節(jié)器搭載
2018-10-24 10:38:26
相互反相工作——包括時鐘和相位控制。多相工作模式下可以減少輸出和輸入紋波電流，從而減少所需輸入和輸出電容的數(shù)量。在圖10中，4個LTM4636相互反相90°。結(jié)論為密集型系統(tǒng)選擇POL調(diào)節(jié)器，僅僅檢查
2018-10-24 09:54:43
3W以上的功率。但是通過適當(dāng)?shù)厥褂蒙崞鳎@些DualCool器件可以處理6W或更多的功耗，功率密度翻了一倍，而PCB占用面積減少了一半。如今，在電動工具、園林工具及電池供電的家用電器中推出更受歡迎
2017-08-21 14:21:03
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
（圖 3）。 圖 3：高集成度柵極驅(qū)動器（如 TI 的 DRV8323R）可以減少系統(tǒng)元件數(shù)量，降低成本和復(fù)雜性，同時節(jié)省空間。（圖片來源：Texas Instruments） 這些柵極驅(qū)動器具有多項
2019-09-23 08:30:00
的 DRV8323R）可以減少系統(tǒng)元件數(shù)量，降低成本和復(fù)雜性，同時節(jié)省空間。（圖片來源：Texas Instruments）這些柵極驅(qū)動器具有多項保護(hù)功能，如電源欠壓鎖定、充電泵欠壓鎖定、過流監(jiān)控、柵極驅(qū)動器
2019-10-31 08:00:00
星期二海報對話會議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級功率密度Jonathan Harper，安森美半導(dǎo)體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
實現(xiàn)設(shè)計，同時通過在一個封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案
2022-11-10 06:36:09
的占地面積，并以現(xiàn)有的管理成本創(chuàng)造出更多的價值。本文分析了追求能源轉(zhuǎn)換效率在節(jié)能、采集/處理成本和機(jī)柜/工廠車間利用率中所占百分比的實際成本，并與增加功率密度和系統(tǒng)效率進(jìn)行了比較。
2020-10-27 10:46:12
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。”
2019-08-06 07:20:51
適配器。此外，不同的便攜式設(shè)備內(nèi)部的電池數(shù)串聯(lián)節(jié)數(shù)也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路（IC）采用降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， 去適應(yīng)輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。 具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片
2020-10-27 08:10:42
設(shè)計用于最大限度地減少外部元器件數(shù)量，如圖 2 所示。為了提高抗噪性，建議在 VDDIO 和接地之間以及 VDD 和接地之間使用 100 納法 (nF) 去耦電容器。省去這些電容器可以節(jié)省寶貴的空間，但可能會損失精度。
2019-01-02 16:30:00
所需的電壓軌數(shù)量的復(fù)雜性，可以在應(yīng)用中使用SiP和ChiP的組合。 這將有助于實現(xiàn)系統(tǒng)內(nèi)的最大功率密度和成本效益，并保持系統(tǒng)中每個器件的高效率運(yùn)行。 回頭看一下圖1,很明顯，前三路電壓軌（MR#1
2018-11-21 17:14:17
PCB 上。 在這些解決方案中，電源解決方案和其余系統(tǒng) PCB 功能之間往往存在相互競爭空間的需求。 由于電源需要采用龐大笨重的元器件，這樣可能會難以將所有元器件集中于電路板級解決方案，從而導(dǎo)致功率密度
2018-12-03 10:00:34
。第二級尺寸減小的后續(xù)增益對應(yīng)了第一級尺寸的增加。第二級變換器的靈活使用和第一級變換器的響應(yīng)調(diào)整功能，增加了解決方案的可調(diào)性。采用此種解決方案，在保證數(shù)據(jù)中心成本和尺寸不變的同時，可實現(xiàn)每機(jī)架100kW的功率密度。
2021-05-26 19:13:52
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
尺寸和節(jié)省布板空間。減小封裝尺寸并將功能集成至有刷直流驅(qū)動器，可減少外部元件數(shù)量，從而節(jié)省布板空間并降低成本。設(shè)計小型系統(tǒng)時，應(yīng)考慮以下改進(jìn)方法：小型封裝尺寸 — 對于高功率密度解決方案，請使用
2022-11-03 08:17:24
對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費(fèi)賬單。
2011-07-14 09:15:132672 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里，導(dǎo)通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節(jié)省空間，并簡化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列厚膜片式電阻---RCV e3，以滿足工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用對高電壓器件的需求，同時節(jié)省寶貴
2015-05-07 16:15:121145 1.4mm x 1.8mm miniQFN10封裝的音頻接孔探測器DG2592和低壓雙路SPDT模擬開關(guān)DG2750，用來替代便攜式應(yīng)用中常用的尺寸較大的miniQFN10和WCSP器件，達(dá)到節(jié)省空間的目的。
2016-03-07 11:33:06658 Vishay推出新系列厚膜電阻---CDMV系列，其在高壓工業(yè)和新能源設(shè)備應(yīng)用中可幫助分壓設(shè)計節(jié)約寶貴空間，簡化生產(chǎn)設(shè)計，提高設(shè)計靈活性。
2016-06-14 10:14:19843 
Vishay Intertechnology， Inc.宣布，發(fā)布功率等級提高到1.0W，采用0612小外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip? 檢流電阻---WSKW0612
2016-09-21 17:12:411779 ---WSK1216。Vishay Dale WSK1216采用Kelvin 4接頭連接，能有效提高測量精度，同時其0.001Ω的極低電阻使功率損耗最小化，能提高最終產(chǎn)品的效率。
2016-11-23 16:48:111698 ，功率等級達(dá)0.33W，采用0306小外形尺寸的新系列厚膜表面貼裝片式電阻---RCWK0306。Vishay Dale RCWK0306系列的功率密度是0603焊盤尺寸的標(biāo)準(zhǔn)電阻的3.3倍，可用于通信、計算機(jī)、工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品，設(shè)計用于節(jié)省空間和減少元器件數(shù)量。
2017-06-26 09:42:341339 汽車和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計開發(fā)的，可節(jié)省空間并減少元器件用量，工作電壓可達(dá)1415V，有1206至2512的5種小外形尺寸。
2018-01-17 11:30:378619 Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，擴(kuò)充其microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分節(jié)省空間，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 安裝尺寸的全新高功率、大電流云母柵格電阻器系列---GREM。Vishay Milwaukee GREM電阻器為設(shè)計人員，提供了相較標(biāo)準(zhǔn)不銹鋼柵格設(shè)計成本更低的選擇，器件采用EDG技術(shù)在改善供電容量，重量和功率密度的同時，維持封裝尺寸不變。
2018-08-25 11:05:002953 該視頻演示了Xilinx模擬混合信號（AMS）技術(shù)如何幫助減少器件數(shù)量，提高整體系統(tǒng)性能，并增強(qiáng)Xilinx 7系列FPGA的整體安全性，安全性和可靠性。
2018-11-20 06:59:002289 中的檢流和脈沖應(yīng)用，設(shè)計人員可使用單個大功率電阻，而不必并聯(lián)多個電阻產(chǎn)生電流測量誤差。由于提高了功率密度，WFM還節(jié)省電路板空間，從而可為最終消費(fèi)者提供體積更小、重量更輕的產(chǎn)品。
2019-06-09 16:47:001149 機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務(wù)器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實現(xiàn)的呢？它主要是通過嘗試新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
2021-03-12 09:46:342465 
高功率密度系統(tǒng)需要大電流轉(zhuǎn)換器
2021-03-21 12:38:38
10 3D封裝對電源器件性能及功率密度的影響
2021-05-25 11:56:0315 電阻串聯(lián)。因此，設(shè)計師可節(jié)省電動（EV）和混合動力（HEV）汽車逆變器、車載充電器和DC/DC 轉(zhuǎn)換器電路板空間，同時減少元件數(shù)量，降低加工成本。 ? RCV-AT e3 系列器件阻值范圍從
2021-09-13 10:30:571414 Vishay Draloric RCC1206 e3 器件通過 AEC-Q200 認(rèn)證節(jié)省電路板空間同時減少元件數(shù)量，降低加工成本。 Vishay 推出增強(qiáng)型 Vishay Draloric
2021-10-11 15:32:491314 的散熱
通過機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:061906 
一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評價，電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評價，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評價。
2022-10-31 10:11:213717 和信號完整性以提高系統(tǒng)級保護(hù)和精度。 在這些趨勢之外，功率密度越來越高也是一個不爭的行業(yè)趨勢，如果能在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率，就能以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)級性能。隨著功率需求的增加，電路板面積和厚度日益成為限制因
2022-11-29 07:15:10700 MAX1737開關(guān)模式鋰離子（Li+）電池充電器包括源電流環(huán)路，用于調(diào)節(jié)從電源汲取的總電流。雖然這種控制環(huán)路在許多應(yīng)用中很有用，但如果電源可以提供所需的最大系統(tǒng)電流加上所需的最大充電器電流，則沒有必要。禁用源電流環(huán)路可減少元件數(shù)量并降低成本。
2023-01-14 14:54:13563 
中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 適用于計算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高能效的同時，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。 日前發(fā)布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個 PowerPAK 1212 封裝分立器件，節(jié)省 50% 基板空間，同時
2023-02-04 06:10:04502 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:201160 
式電阻，工作電壓達(dá) 1415 V。Vishay Techno CDMA 系列 電阻可減少系統(tǒng)元件數(shù)量，降低汽車和工業(yè)應(yīng)用加工成本，同時減小 PCB 尺寸，提高精度和穩(wěn)定性。 日前發(fā)布的片式電阻分壓器在單體
2023-06-21 07:40:00526 Vishay?Draloric RCS0805 e3 器件通過 AEC-Q200 認(rèn)證 節(jié)省電路板空間的同時 減少元器件數(shù)量 降低加工成本 Vishay? 推出加強(qiáng)版 0805 封裝抗浪涌厚膜電阻
2023-06-21 11:56:03632 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 
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