什么是雪崩光電二極管APD
光研科學(xué)強(qiáng)力引進(jìn)新品——雪崩光電二極管APD。現(xiàn)有IAE、SAE和SAR系列。這幾個(gè)系列的產(chǎn)品有著極高的響應(yīng)度和極短的上升和下降時(shí)間。如此高性能的APD可以很好地應(yīng)用在熒光探測(cè)、激光雷達(dá)系統(tǒng)、光纖數(shù)據(jù)傳輸和條形碼掃描器等方面。其出色的低噪音性能使其可以很好地應(yīng)用在低光強(qiáng)度下對(duì)中或較高頻率光的探測(cè)。
IAE系列 銦砷化鎵雪崩光電二極管
描述
IAE系列雪崩光電二極管是銦砷化鎵雪崩光電二極管最大商業(yè)化的應(yīng)用,在1000到1650nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi),它有著極高的響應(yīng)度和極短的上升和下降時(shí)間。在1550nm處的峰值響應(yīng)度可以理想地應(yīng)用到對(duì)人眼安全的測(cè)距,自由空間的光學(xué)通訊,光時(shí)域反射儀和高分辨率的光學(xué)相干X線斷層攝影術(shù)上。芯片被封裝在一個(gè)改良的TO46包裝內(nèi)或安置在一個(gè)陶瓷的底座上。
特性
● 80或200μm有效范圍
● 大于500MHz的特有帶寬
● 從1000到1650nm
● 低暗電流和噪聲
● 改良的TO46包裝或陶瓷底座
應(yīng)用
● 測(cè)距
● 光學(xué)通信系統(tǒng)
硅雪崩光電二極管(近紅外增強(qiáng)型)
描述
SAE230NS系列和SAE50NS系列外延雪崩光電二極管是雪崩光電二極管中用途相當(dāng)普遍的,在550到1050nm的范圍內(nèi),它們有著極高的響應(yīng)度和極短的上升和下降時(shí)間。用于測(cè)距時(shí),在900nm的波長(zhǎng)下可以得到最佳的響應(yīng)度。芯片被封裝在一個(gè)改良過的TO46包裝內(nèi),并帶有集成的905nm濾波器可供選擇。
特性
● 極高的量子效率
● 低噪音,高速
● 倍增增益,用于M>100時(shí)
● 230μm和500μm直徑有效范圍
● 漸進(jìn)的倍增曲線圖表
●極寬的工作溫度范圍
應(yīng)用
● 測(cè)距
● 光學(xué)通信系統(tǒng)
硅雪崩光電二極管(紅光增強(qiáng)型)
描述
SAE500VS系列外延雪崩光電二極管是雪崩光電二極管中用途相當(dāng)普遍的, 在400到1000nm的范圍內(nèi), 它有著極高的響應(yīng)度和極短的上升和下降時(shí)間。在650nm處的峰值響應(yīng)度可以理想地應(yīng)用到使用可視激光二極管的測(cè)距上。芯片被封裝在一個(gè)改良的TO46包裝內(nèi)。
特性
● 極高的量子效率
● 低噪音,高速
● 倍增增益,用于M>100時(shí)
● 500μm直徑有效范圍
● 漸進(jìn)的倍增曲線圖表
● 極寬的工作溫度范圍
應(yīng)用
● 測(cè)距
● 光學(xué)通信系統(tǒng)
SAE系列(紅光增強(qiáng)型)實(shí)物圖
SAR3500系列 硅雪崩光電二極管
描述
SAR3500是為了獲得卓越的量子效率和極高的速度,而基于拉通型結(jié)構(gòu)而設(shè)計(jì)的。芯片被封裝在一個(gè)改良過的TO-8包裝內(nèi)。SAR3500也可以和熱電致冷器一起封裝在TO-37包裝內(nèi)。這使得這種雪崩光電二極管可以被應(yīng)用在熒光探測(cè)器、激光雷達(dá)和醫(yī)藥領(lǐng)域。
特性
● 非常高的量子效率
● 低噪音,高速
● 倍增增益,用于M>1000時(shí)
● 3500μm直徑有效范圍
● 漸進(jìn)的倍增曲線圖表
● 極寬的工作溫度范圍
應(yīng)用
● 醫(yī)學(xué)領(lǐng)域
● 熒光探測(cè)器
● 激光雷達(dá)
● 分析方面
SAR3500實(shí)物圖
SAR/SARP系列 硅雪崩光電二極管
描述
SAR500系列是為了獲得卓越的量子效率和極高的速度,而基于拉通型結(jié)構(gòu)而設(shè)計(jì)的。其在近紅外區(qū)域的峰值靈敏度使其和激光脈沖二極管可以一同應(yīng)用在測(cè)距中。這種雪崩光電二極管被封裝在一個(gè)改良過的TO-46包裝內(nèi),并帶有集成的905nm濾波器可供選擇。
SARP500有著極低的噪聲和暗電流,適用于對(duì)亮度極暗的光線的探測(cè),是SAR500的一個(gè)優(yōu)化版。SAR500可以和熱電致冷器一起封裝在一個(gè)的TO-37包裝內(nèi)。這使得這種雪崩光電二極管可以被應(yīng)用在光譜、熒光探測(cè)器、激光雷達(dá)和醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。
特性
●非常高的量子效率
● 低噪音,高速
● 倍增增益,用于M>200時(shí)
● 500μm直徑有效范圍
● 漸進(jìn)的倍增曲線圖表
● 極寬的工作溫度范圍
應(yīng)用
● 測(cè)距/激光雷達(dá)
● 光學(xué)通信系統(tǒng)
● 激光掃描儀
● 光譜方面
● 熒光探測(cè)
● 醫(yī)學(xué)領(lǐng)域
SAR/SARP系列實(shí)物圖
Si-EPI-APDs
?
規(guī)格(@ M=100, 最高敏感度)
?
部件編號(hào).
|
孔鏡
(微米)
|
波長(zhǎng)范圍
(納米)
|
峰值靈敏度
(納米)
|
響應(yīng)度
(瓦特 /安培)
|
封裝
|
擊穿電壓
|
擊穿電壓溫度系數(shù)
(伏/攝氏度)
|
暗電流 (納安)
|
噪聲電流
(皮安/赫茲平方根)
|
(皮法)
|
上升
時(shí)間
(皮秒)
|
SAE230Nx
|
230
|
550-1050
|
905
|
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