單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)和等效電路
2010年02月27日 15:56 m.xsypw.cn 作者：佚名 用戶評論（0）
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單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)和等效電路
單結(jié)晶體管的外形圖如圖1所示。在一個低摻雜的N型硅棒上利用擴(kuò)散工藝形成一個高摻雜P區(qū)，在P區(qū)與N區(qū)接觸面形成PN結(jié)，就構(gòu)成單結(jié)晶體管(UJT)。其結(jié)構(gòu)如圖2(a)，P型半導(dǎo)體引出的電極為發(fā)射極E；N型半導(dǎo)體的兩端引出兩個電極，分別為基極B1和基極B2，B1和B2之間的N型區(qū)域可以等效為一個純電阻，即基區(qū)電阻RBB。該電阻的阻值隨著發(fā)射極電流的變化而改變。單結(jié)晶體管因有兩個基極，故也稱為雙基極晶體管。其符號如圖2(b)所示。
圖1 單結(jié)晶體管的外形圖
單結(jié)晶體管的等效電路如圖2(c)所示，發(fā)射極所接P區(qū)與N型硅棒形成的PN結(jié)等效為二極管D；N型硅棒因摻雜濃度很低而呈現(xiàn)高電阻，二極管陰極與基極B2之間的等效電阻為rB2，二極管陰極與基極B1之間的等效電阻為rB1；rB1的阻值受E-B1間電壓的控制，所以等效為可變電阻。
圖2 單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖和等效電路
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