晶閘管(可控硅)應(yīng)用手冊(cè)
參數(shù)說(shuō)明
1. | 參數(shù)表中所給出的數(shù)據(jù),ITSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元件所能滿足的最小值, Qr、VTM、VTO、rT指元件可滿足(不超過)的最大值。 |
2. | 通態(tài)平均電流額定值ITAV(IFAV) |
? | ITAV(IFAV)指在雙面冷卻條件下,保證散熱器溫度55℃時(shí),允許元件流過的最大正弦半波電流平均值。ITAV(IFAV)對(duì)應(yīng)元件額定有效值IRMS=1.57 ITAV。實(shí)際使用中,若不能保證散熱器溫度低于55℃或散熱器與元件接觸熱阻遠(yuǎn)大于規(guī)定值,則元件應(yīng)降額使用。 |
3. | 晶閘管通態(tài)電流上升率di/dt |
| 參數(shù)表中所給的為元件通態(tài)電流上升率的臨界重復(fù)值。其對(duì)應(yīng)不重復(fù)測(cè)試值為重復(fù)值的2倍以上,在使用過程中,必須保證元件導(dǎo)通期任何時(shí)候的電流上升率都不能超過其重復(fù)值。 |
4. | 晶閘管使用頻率 |
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晶閘管可工作的最大頻率由其工作時(shí)的電流脈沖寬度tp,關(guān)斷時(shí)間tq以及從關(guān)斷后承受正壓開始至其再次開通的時(shí)間tV決定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根據(jù)工作頻率選取元件時(shí)必須保證元件從正向電流過零至開始承受正壓的時(shí)間間隔tH>tq,并留有一定的裕量。隨著工作頻率的升高,元件正向損耗Epf和反向恢復(fù)損耗Epr隨之升高,元件通態(tài)電流須降額使用。 |
二. | 元件的選擇 |
| 正確地選擇晶閘管、整流管等電力電子器件對(duì)保證整機(jī)設(shè)備的可靠性及降低設(shè)備成本具有重要意義。元件的選擇要綜合考慮其使用環(huán)境、冷卻方式、線路型式、負(fù)載性質(zhì)等因素,在保證所選元件各參數(shù)具有裕量的條件下兼顧經(jīng)濟(jì)性。由于電力電子器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛,具體應(yīng)用形式多種多樣,下面僅就晶閘管元件在整流電路和單項(xiàng)中頻逆變電路中的選擇加以說(shuō)明。 |
1. | 整流電路器件選擇 |
| 工頻整流是晶閘管元件最常用的領(lǐng)域之一。元件選用主要考慮其額定電壓和額定電流。 |
(1) | 晶閘管器件的正反向峰值電壓VDRM和VRRM:應(yīng)為元件實(shí)際承受最大峰值電壓UM的2-3倍,即VDRM/RRM=(2-3)UM。各種整流線路對(duì)應(yīng)的UM值見表1。 |
(2) | 晶閘管器件的額定通態(tài)電流IT(AV):晶閘管的IT(AV)值指的是工頻正弦半波平均值,其對(duì)應(yīng)的有效值ITRMS=1.57IT(AV)。為使元件在工作過程中不因過熱損壞,流經(jīng)元件的實(shí)際有效值應(yīng)在乘以安全系數(shù)1.5-2后才能等于1.57IT(AV)。假設(shè)整流電路負(fù)載平均電流為Id,流經(jīng)每個(gè)器件的電流有效值為KId,則所選器件的額定通態(tài)電流應(yīng)為: IT(AV)=(1.5-2)KId / 1.57=Kfd*Id Kfd為計(jì)算系數(shù)。對(duì)于控制角α=0O時(shí),各種整流電路下的Kfd值見表1。選擇元件IT(AV)值還應(yīng)考慮元件散熱方式。一般情況下風(fēng)冷比水冷相同元件的額定電流值要低;自然冷卻情況下,元件的額定電流要降為標(biāo)準(zhǔn)冷卻條件下的三分之一。 |
| 表1:整流器件的最大峰值電壓UM及通態(tài)平均電流計(jì)算系數(shù)Kfd |
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整流電路 |
單相半波 |
單項(xiàng)雙半波 |
單項(xiàng)橋式 |
三相半波 |
三相橋式 |
帶平衡電抗器 的雙反星型 |
UM |
U2 |
U2 |
U2 |
U2 |
U2 |
U2 |
Kfd α=0O |
電阻負(fù)載 |
1 |
0.5 |
0.5 |
0.375 |
0.368 |
0.185 |
電感負(fù)載 |
0.45 |
0.45 |
0.45 |
0.368 |
0.368 |
0.184 | |
| 注:U2為主回路變壓器二次相電壓有效值;單項(xiàng)半波電感負(fù)載電路帶續(xù)流二極管。 |
2. | 中頻逆變?cè)倪x擇 |
| 一般400HZ以上的工作條件下,應(yīng)考慮使用KK器件;頻率在4KHz以上時(shí),可考慮使用KA器件。這里主要介紹一下并聯(lián)逆變電路中元件的選擇(見圖一)。 |
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(1) | 元件正向和反向峰值電壓VDRM、VRRM |
| 元件正向和反向峰值電壓應(yīng)取其實(shí)際承受最大正、反向峰值電壓的1.5-2倍。假設(shè)逆變器直流輸入電壓為Ud,功率因數(shù)為cosψ則: VDRM/RRM=(1.5-2)πUd /(2cosψ) |
(2) | 元件的額定通態(tài)電流IT(AV) |
| 考慮到元件在較高頻率下工作時(shí),其開關(guān)損耗非常顯著,元件的額定通態(tài)電流應(yīng)按實(shí)際流過其有效值I的2-3倍來(lái)考慮,即 IT(AV)=(2-3)I/1.57 假設(shè)逆變器直流輸入電流為Id,則所選器件IT(AV)為 IT(AV)=(2-3)×Id/(1.57 ) |
(3) | 關(guān)斷時(shí)間tq |
| 并聯(lián)逆變線路中,KK元件的關(guān)斷時(shí)間選擇要根據(jù)觸發(fā)引前時(shí)間tf和換流時(shí)間tr來(lái)決定。一般取:
|
? | tq=(tf-tr)× |  | ? |
? | (當(dāng)功率因數(shù)為0.8時(shí)tf約為周期的十分之一,tr按元件di/dt小于或等于100A/μS來(lái)確定) |
? | 在頻率較高時(shí),可通過減小換流時(shí)間tr,并適當(dāng)犧牲功率因數(shù)增加tf的方法來(lái)選擇具有合適tq值的元件 |
? | 以上簡(jiǎn)略介紹了整流和逆變工作條件下元件的選擇。在許多情況下,除了元件的額定電壓、電流外,還要根據(jù)具體條件選擇元件的門極參數(shù)、通態(tài)壓降以及斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt和通態(tài)電流臨界上升率di/dt。 |
三. | 元件的保護(hù) |
? | 晶閘管元件的電壓和電流過載能力極差,尤其是耐壓能力,瞬時(shí)的過壓就會(huì)造成元件永久性的損壞。為了使元件能長(zhǎng)期可靠地運(yùn)行,必須針對(duì)過壓 和過電流發(fā)生的原因采取保護(hù)措施。 |
1. | 過壓保護(hù) |
? |
晶閘管工作過程中可能承受的過壓主要有以下幾種:一種是由于裝置拉、合閘、負(fù)載打火等引起的過壓;一種是由于元件關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的關(guān)斷電壓;還有因雷擊等原因從電網(wǎng)侵入的浪涌電壓。為限制過電壓的幅值低于元件的正反向峰值電壓,可采取以下保護(hù)措施(見圖二)。
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(1) | 在變壓器一次側(cè)接上避雷器,在二次側(cè)加裝阻容保護(hù)、硒堆、壓敏電阻等非線性電阻元件進(jìn)行保護(hù)。在整流直流側(cè)采取壓敏電阻和泄能保護(hù)裝置,以防止元件承受過電壓。 |
(2) | 在晶閘管陰陽(yáng)極兩端直接進(jìn)行保護(hù)。晶閘管關(guān)斷過程中主電流過零反向后迅速由反向峰值恢復(fù)至零電流,此過程可在元件兩端產(chǎn)生達(dá)正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。電阻R選無(wú)感電阻,通常取5-30Ω;電容C通常在0.1-1μF,耐壓選元件耐壓的1.1-1.5倍。具體R、C取值可根據(jù)元件型號(hào)及工作情況調(diào)試決定。注意保證電阻R的功率,尤其在中頻逆變電路中,使之不會(huì)因發(fā)熱而損壞。 |
2. | 過流保護(hù) |
? | 晶閘管元件在短時(shí)間內(nèi)具有一定的過流能力,但在過流嚴(yán)重時(shí),不采取保護(hù)措施,就會(huì)造成元件損壞。在線路設(shè)計(jì)和元件選擇時(shí)應(yīng)考慮負(fù)載短路和過載情況,確保在異常情況下設(shè)備能自動(dòng)保護(hù)。一般有以下幾種措施(見圖三)。 |
? |  |
(1) | 在進(jìn)線中串接電抗器限制短路電流,使其他保護(hù)方式切斷電流前元件短時(shí)間內(nèi)不致?lián)p壞; |
(2) | 線路采用過流檢測(cè)裝置,由過流信號(hào)控制觸發(fā)器抑制過流,或接入過流繼電器。 |
(3) | 安裝快速熔斷器。快速熔斷器的動(dòng)作時(shí)間要求在10ms以內(nèi),熔斷體的額定電流IKR可按以下原則選取: 1.57IT(AV)≥IKR≥IT |
? | IT(AV)為元件額定電流,IT為元件實(shí)際工作電流有效值 |
四. | 晶閘管門極觸發(fā) |
? | 參數(shù)表中所給晶閘管IGT、VGT為能觸發(fā)元件至通態(tài)的最小值,實(shí)際使用中,晶閘管門極觸發(fā)IGT、VGT應(yīng)遠(yuǎn)大于此值。 |
? | 應(yīng)用中門極觸發(fā)電流波形對(duì)晶閘管開通時(shí)間、開通損耗以及di/dt承受能力,都有較大影響。為保證元件工作在最佳狀態(tài),并增強(qiáng)抗干擾性能,對(duì)儀元公司所有晶閘管,建議門極觸發(fā)脈沖電流幅值:IGM=2~5A(<10A),上升率:diG/dt≥2A/μs,上升時(shí)間:tr≤1μs。即采用極陡前沿的強(qiáng)觸發(fā)脈沖(見圖四)。 |
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五. | 元件串并聯(lián)使用 |
? |
元件串并聯(lián)使用時(shí),線路上應(yīng)采取門極強(qiáng)觸發(fā)脈沖、均流、均壓措施,還須挑選開通、恢復(fù)特性一致的元件。特別是元件串聯(lián)工作于較高di/dt的逆變線路中時(shí),其反向恢復(fù)特性對(duì)動(dòng)態(tài)均壓起主要作用。
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六. | 散熱器與元件的安裝 |
? | 元件的冷卻方式有加裝散熱器自然冷卻,風(fēng)冷和水冷等方式,為了使元件充分地發(fā)揮其額定性能并加強(qiáng)使用中的可靠性,除必須科學(xué)地選擇散熱器外還需正確地安裝。只有正確地安裝散熱器才能保證其與元件芯片間的熱阻Rj-hs滿足數(shù)據(jù)表中的要求。 在元件與散熱器的安裝時(shí),應(yīng)注意以下事項(xiàng): |
1. | 散熱器的臺(tái)面必須與元件臺(tái)面尺寸相匹配,防止壓扁、壓歪損壞器件。 |
2. | 散熱器臺(tái)面必須具有較高的平整、光潔度。建議散熱器臺(tái)面粗糙度小于或等于1.6μm,平整度小于或等于30μm。安裝時(shí)元件臺(tái)面與散熱器臺(tái)面應(yīng)保持清潔干凈無(wú)油污等臟物。 |
3. | 安裝時(shí)要保證元件臺(tái)面與散熱器的臺(tái)面完全平行、同心。安裝過程中,要求通過元件中心線施加壓力以使壓力均勻分布在整個(gè)接觸區(qū)域。用戶手工安裝時(shí),建議使用扭矩扳手,對(duì)所有緊固螺母交替均勻用力,壓力的大小要達(dá)到數(shù)據(jù)表中的要求。 |
4. | 在重復(fù)使用水冷散熱器時(shí),應(yīng)特別注意檢查其臺(tái)面是否光潔、平整,水腔內(nèi)是否有水垢和堵塞,尤其注意臺(tái)面是否出現(xiàn)下陷情況,若出現(xiàn)了上述情況應(yīng)予以更換。 水冷散熱器安裝圖見下圖(圖五): |
? | |
? | 在使用中需注意,風(fēng)冷方式加裝散熱器后,一般要求風(fēng)速不低于6m/s;水冷方式要求水冷散熱器水流量不小于4×103 ml/min,進(jìn)水溫度5℃-35℃,水質(zhì)ρ≤2.5KΩcm。 儀元公司可提供SS水冷系列和SF風(fēng)冷系列以及各類非標(biāo)及組件散熱器,為元件配套使用。 根據(jù)元件通態(tài)額定平均電流推薦配置的標(biāo)準(zhǔn)型散熱器型號(hào)見下表。
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? |
元件通態(tài)額定平均電流 |
推薦散熱器型號(hào) |
水冷 |
風(fēng)冷 |
100A-200A |
SS11 |
SF12 |
300A |
SS12 |
SF13 |
400A |
SF13、SF14 |
500A-600A |
SS12、SS13 |
SF15 |
800A |
SS13 |
SF16 |
1000A |
SS14 |
SF17 |
1000A-3000A |
SS14 |
? | |
? | 其中SF系列風(fēng)冷散熱器是指在強(qiáng)迫風(fēng)冷(風(fēng)速≥6m/s)條件下的推薦配置,用戶在使用時(shí)應(yīng)根據(jù)實(shí)際散熱條件并考慮可靠性要求進(jìn)行選擇。對(duì)于1000A以上元件一般不推薦使用風(fēng)冷散熱器,若使用風(fēng)冷散熱器,則元件額定電流需降額使用。 |
? | 用戶未作特別要求時(shí),儀元公司所提供的成套元件都按標(biāo)準(zhǔn)配置安裝散熱器。 |