柵極/浮置柵,柵極/浮置柵是什么意思

　多極電子管中最靠近陰極的一個電極，具有細絲網或螺旋線的形狀，有控制板極電流的強度﹑改變電子管的性能等作用。

　　結型場效應管有兩種結構形式。它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。結型場效應管也具有三個電極，它們是：G——柵極；D——漏極；S——源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。絕緣柵雙極晶體管本質上是一個場效應晶體管，只是在漏極和漏區之間多了一個P型層。根據國際電工委員會IEC／TC（CO）1339文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。

多極電子管中最靠近陰極的一個電極，具有細絲網或螺旋線的形狀，有控制板極電流的強度﹑改變電子管的性能等作用。

結型場效應管有兩種結構形式。它們是N溝道結型場效應管（符號圖為（1））和P溝道結型場效應管（符號圖為（2））。從圖中我們可以看到，結型場效應管也具有三個電極，它們是：G——柵極；D——漏極；S——源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。

絕緣柵雙極晶體管本質上是一個場效應晶體管，只是在漏極和漏區之間多了一個P型層。根據國際電工委員會IEC／TC（CO）1339文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。圖2－53所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。為了兼顧長期以來人們的習慣，IEC規定：源極引出的電極端子（含電極端）稱為發射極端（子），漏極引出的電極端（子）稱為集電極端（子）。這又回到雙極晶體管的術語了。但僅此而已。

IGBT的結構剖面圖如圖2－53所示。它在結構上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個P+基板（IGBT的集電極），形成PN結j1，并由此引出漏極、柵極和源極則完全與MOSFET相似。

由圖2－54可以看出，IGBT相當于一個由MOSFET驅動的厚基區GTR，其簡化等效電路如圖2－55所示。圖中Rdr是厚基區GTR的擴展電阻。IGBT是以GTR為主導件、MOSFET為驅動件的復合結構。N溝道IGBT的圖形符號有兩種，如圖2－56。所示。實際應用時，常使用圖2－56b所示的符號。對于P溝道，圖形符號中的箭頭方向恰好相反，如圖2－57所示。

IGBT的開通和關斷是由柵極電壓來控制的。當柵極加正電壓時，MOSFET內形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導通，此時，從P+區注到N一區進行電導調制，減少N一區的電阻Rdr值，使高耐壓的IGBT也具有低的通態壓降。在柵極上加負電壓時，MOSFET內的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關斷。

柵極保護電路

IGBT的柵極出現過壓的原因:

1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓.

2.電容密勒效應引起的柵極過壓.

為防止IGBT的柵極-發射極過壓情況發生,應在IGBT的柵極與發射極之間并接一只幾十千歐的電阻,如上圖所示.此電阻應盡量靠近柵極與發射極.