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驅(qū)動器/接收器,驅(qū)動器/接收器原理是什么?

2010年03月08日 13:27 m.xsypw.cn 作者:佚名 用戶評論(0
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驅(qū)動器/接收器,驅(qū)動器/接收器原理是什么?

5V雙RS232驅(qū)動器/接收器

T1780/LT1781雙RS驅(qū)動器/接收器具有單5V電源、低功耗(只有40mW)、±15kV ESD保護(在RS232線端不需要昂貴的TransZorbs)。只用0.1μF外部電容器便可工作在120k Baud(對于負(fù)載RL=3K,CL=2500pF),250kBaud(對于負(fù)載RL=3,CL=1000pF)。LT1780/LT1781與EIA RS232標(biāo)準(zhǔn)是完全一致的。它的輸出能承受±30V而不損壞。在關(guān)閉或斷電條件下其驅(qū)動器和接收器的輸出處于高阻抗態(tài)。LT1780/LT1781的應(yīng)用包括:便攜計算機,電池供電的系統(tǒng),電源發(fā)生器,終端,調(diào)制解調(diào)器等。其典型的應(yīng)用電路如圖1所示。

T1780/LT1781雙RS驅(qū)動器/接收器具有單5V電源、低功耗(只有40mW)、±15kV ESD保護(在RS232線端不需要昂貴的TransZorbs)。只用0.1μF外部電容器便可工作在120k

Baud(對于負(fù)載RL=3K,CL=2500pF),250kBaud(對于負(fù)載RL=3,CL=1000pF)。

LT1780/LT1781與EIA

RS232標(biāo)準(zhǔn)是完全一致的。它的輸出能承受±30V而不損壞。在關(guān)閉或斷電條件下其驅(qū)動器和接收器的輸出處于高阻抗態(tài)。LT1780/LT1781的應(yīng)用包括:便攜計算機,電池供電的系統(tǒng),電源發(fā)生器,終端,調(diào)制解調(diào)器等。

接收器:

接收器可以更大量采用數(shù)字集成電路。當(dāng)然接收器的數(shù)字電路越靠近天線,便越能發(fā)揮接收的優(yōu)勢。因此有人認(rèn)為可將模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器置于射頻系統(tǒng)的輸出端,以便直接進行射頻取樣。這個設(shè)計看似較為可取,但這里產(chǎn)生另一個問題,我們不得不加以考慮。

為了能夠預(yù)先抑制不需要的帶外信號,以及滿足模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器所要求的頻率范圍,已接收的信號在輸入模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器之前必須先加以濾波,以及接受自動增益控制。因此很多數(shù)字接收器采用折衷的辦法,先由輸出端的第一及第二中頻級將模擬信號轉(zhuǎn)為數(shù)字信號,使帶外信號還未進入模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器之前先行接受濾波,也確保部分信號在未進入模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器之前先行在模擬級接受自動增益控制,以盡量避免帶內(nèi)信號過驅(qū)動模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,使信號在進行模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換之前可以達到最大的信號增益。此外,我們?nèi)舨捎弥蓄l取樣及數(shù)字接收技術(shù),便無需另外加設(shè)中頻級如混頻器、濾波器放大器,有助減低成本,而且系統(tǒng)設(shè)計工程師若采用可編程數(shù)字濾波器取代固定的模擬濾波器,便可充分發(fā)揮設(shè)計上的靈活性。

器件:

德州儀器(TI)日前宣布推出一款針對N通道互補驅(qū)動功率MOSFET的4A高速同步驅(qū)動器TPS28225。該款2MHz驅(qū)動器簡化了大電流單相與多相應(yīng)用中的電源設(shè)計,如電壓穩(wěn)壓器模塊(VRM)設(shè)計、筆記本電腦、帶有二次側(cè)同步整流器的隔離式電源以及對效率要求極高的DC/DC轉(zhuǎn)換器等。

TI的TPS28225驅(qū)動器以4.5V至8.8V電壓控制MOSFET柵極,從而實現(xiàn)了高效率和低電磁干擾(EMI),在7V至8V電壓范圍內(nèi),每相位電流超過40A時器件效率達到最高。TPS28225實現(xiàn)了14ns自適應(yīng)停滯時間控制、14ns傳輸延遲時間、2A大電流電源以及4A吸入驅(qū)動功能。該驅(qū)動器的其他特性還包括低阻抗吸入(典型值為0.4歐姆)與源電流(典型值為1歐姆)功能 ;可接受寬泛的電壓輸入信號范圍(3V至24V范圍);單引腳上支持Space-saving(輸入)與PowerGood(輸出)信號;獨特的輸入級可與所有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的模擬與數(shù)字控制器相兼容;提供針對窄占空比信號的智能管理功能。

image:bk063741j1-1.jpg

針對較低柵極驅(qū)動器,驅(qū)動器的0.4歐姆阻抗可使功率MOSFET的柵極低于閾值電平,以確保高dV/dT相位節(jié)點轉(zhuǎn)換時不會出現(xiàn)貫通電流。內(nèi)部二極管充電的自舉電容器使器件能在半橋配置下使用N通道MOSFET。TPS28225提供的三態(tài)脈寬調(diào)制(PWM)輸入與TITPS40091等所有多相控制器相兼容。斷電模式則能使負(fù)載免受反向輸出電壓的影響。

TPS28225 MOSFET驅(qū)動器現(xiàn)已投入量產(chǎn),可通過TI及其授權(quán)分銷商訂購獲得。該器件采用低成本的8引腳SOICDFN封裝與散熱增強型3毫米×3毫米8引腳DFN封裝兩種封裝版本。

IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動集成電路。IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器,它采用高壓集成電路技術(shù)和無閂鎖CMOS技術(shù),并采用雙直插式封裝,可用于工作母線電壓高達600V的系統(tǒng)中。其輸入與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS電平兼容,輸出驅(qū)動特性可滿足交叉導(dǎo)通時間最短的大電流驅(qū)動輸出級的設(shè)計要求。其懸浮通道與自舉技術(shù)的應(yīng)用使其可直接用來驅(qū)動一個工作于母線電壓高達600V的、在高邊或低端工作的N溝道MOSFET或IGBT。

2 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理

IR2117的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理框圖如圖2所示。它在內(nèi)部集成有一個施密特觸發(fā)器,一個脈沖增益電路,兩個欠壓檢測及保護電路,一個電平移位網(wǎng)絡(luò),一個與非門,一個由兩個MOSFET組成的互補功放輸出級、一個RS觸發(fā)器以及一個脈沖濾波器共九個單元電路。

正常工作時,若IR2127的邏輯電源部分及輸出電源部分不欠壓,則來自用戶控制脈沖形成單元的信號先由施密特觸發(fā)器整形,再經(jīng)脈沖增益環(huán)節(jié)放大后,由電平移位網(wǎng)絡(luò)進行電平移位與匹配,再經(jīng)RS觸發(fā)器觸發(fā)后由互補推挽輸出級輸出驅(qū)動外接的MOSFET或IGBT。一旦輸入邏輯部分電源或輸出功放級懸浮電源中有一個出現(xiàn)欠壓,則兩部分中將有一個輸出信號被封鎖而使輸出驅(qū)動脈沖變?yōu)榈碗娖健?

4.1 應(yīng)用注意事項

image:bk063741j1-2.jpg

在使用IR2117時,首先應(yīng)注意如下幾點:

(1)若VB由Vcc采用自舉技術(shù)得到,則接于引腳Vcc與VB之間的二極管應(yīng)為超快恢復(fù)二極管,其反向耐壓要大于600V。

(2)在使用自舉技術(shù)產(chǎn)生VB時,接于VB與VS之間電容應(yīng)為高穩(wěn)定、低串聯(lián)電感、高頻率特性的優(yōu)質(zhì)電容,可選滿足該要求的瓷片電容或鉭電容,電容容量為0.1~1μF均可,該電容量將隨IR2117工作頻率的提高而下降。

(3)利用IR2117可直接驅(qū)動電流容量較小的MOSFET或IGBT,但對電流容量大于100A以上的MOSFET或IGBT,et IR2117直接驅(qū)動就不合適了,此時應(yīng)考慮對輸出脈沖進行功放。(4)可用來驅(qū)動工作母線電壓不高于600V系統(tǒng)中的MOSFET或IGBT,但實際使用時應(yīng)考慮回路中電感的存在以及Ldi/dt等因素引起的電壓過沖,因此,通常應(yīng)用于母線電壓不高于400V(如國內(nèi)電網(wǎng)對單交流整流后的310V)的系統(tǒng)中。

(5)可用來驅(qū)動高端或低端通道中的一個MOSFET或IGBT。

(6)從IR2117到被驅(qū)動的MOSFET或IGBT的引線應(yīng)盡可能短,其往返引線長度應(yīng)限于200mm以內(nèi),并應(yīng)盡可能使用絞線或同軸電纜屏蔽線,最好將被驅(qū)動的MOSFET或IGBT與IR2117裝于同一印制板上用印刷線條直接相連。

應(yīng)用舉例

IR2117的結(jié)構(gòu)及特點決定了它可用來驅(qū)動一個高端或低端MOSFET或IGBT,圖4給出了應(yīng)用IR2117驅(qū)動MOSFET而設(shè)計的斬波器的系統(tǒng)原理圖,圖中PWM的脈沖形成由專用集成電路TL494來獲得,VB應(yīng)用自舉技術(shù)獲得,圖4(a)與圖4(b)分別給出了IR2117用來驅(qū)動高端和低端MOSFET的主電路原理圖。

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