驅(qū)動器/接收器,驅(qū)動器/接收器原理是什么?

5V雙RS232驅(qū)動器/接收器

T1780/LT1781雙RS驅(qū)動器/接收器具有單5V電源、低功耗（只有40mW)、±15kV ESD保護（在RS232線端不需要昂貴的TransZorbs）。只用0.1μF外部電容器便可工作在120k Baud(對于負載RL=3K,CL=2500pF),250kBaud（對于負載RL=3,CL=1000pF)。LT1780/LT1781與EIA RS232標準是完全一致的。它的輸出能承受±30V而不損壞。在關(guān)閉或斷電條件下其驅(qū)動器和接收器的輸出處于高阻抗態(tài)。LT1780/LT1781的應(yīng)用包括：便攜計算機,電池供電的系統(tǒng),電源發(fā)生器,終端,調(diào)制解調(diào)器等。其典型的應(yīng)用電路如圖1所示。

T1780/LT1781雙RS驅(qū)動器/接收器具有單5V電源、低功耗（只有40mW)、±15kV ESD保護（在RS232線端不需要昂貴的TransZorbs）。只用0.1μF外部電容器便可工作在120k

Baud(對于負載RL=3K，CL=2500pF)，250kBaud（對于負載RL=3,CL=1000pF)。

LT1780/LT1781與EIA

RS232標準是完全一致的。它的輸出能承受±30V而不損壞。在關(guān)閉或斷電條件下其驅(qū)動器和接收器的輸出處于高阻抗態(tài)。LT1780/LT1781的應(yīng)用包括：便攜計算機，電池供電的系統(tǒng)，電源發(fā)生器，終端，調(diào)制解調(diào)器等。

接收器：

接收器可以更大量采用數(shù)字集成電路。當(dāng)然接收器的數(shù)字電路越靠近天線，便越能發(fā)揮接收的優(yōu)勢。因此有人認為可將模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器置于射頻系統(tǒng)的輸出端，以便直接進行射頻取樣。這個設(shè)計看似較為可取，但這里產(chǎn)生另一個問題，我們不得不加以考慮。

為了能夠預(yù)先抑制不需要的帶外信號，以及滿足模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器所要求的頻率范圍，已接收的信號在輸入模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器之前必須先加以濾波，以及接受自動增益控制。因此很多數(shù)字接收器采用折衷的辦法，先由輸出端的第一及第二中頻級將模擬信號轉(zhuǎn)為數(shù)字信號，使帶外信號還未進入模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器之前先行接受濾波，也確保部分信號在未進入模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器之前先行在模擬級接受自動增益控制，以盡量避免帶內(nèi)信號過驅(qū)動模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器，使信號在進行模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換之前可以達到最大的信號增益。此外，我們?nèi)舨捎弥蓄l取樣及數(shù)字接收技術(shù)，便無需另外加設(shè)中頻級如混頻器、濾波器及放大器，有助減低成本，而且系統(tǒng)設(shè)計工程師若采用可編程數(shù)字濾波器取代固定的模擬濾波器，便可充分發(fā)揮設(shè)計上的靈活性。

器件：

德州儀器(TI)日前宣布推出一款針對N通道互補驅(qū)動功率MOSFET的4A高速同步驅(qū)動器TPS28225。該款2MHz驅(qū)動器簡化了大電流單相與多相應(yīng)用中的電源設(shè)計，如電壓穩(wěn)壓器模塊(VRM)設(shè)計、筆記本電腦、帶有二次側(cè)同步整流器的隔離式電源以及對效率要求極高的DC/DC轉(zhuǎn)換器等。

TI的TPS28225驅(qū)動器以4.5V至8.8V電壓控制MOSFET柵極，從而實現(xiàn)了高效率和低電磁干擾(EMI)，在7V至8V電壓范圍內(nèi)，每相位電流超過40A時器件效率達到最高。TPS28225實現(xiàn)了14ns自適應(yīng)停滯時間控制、14ns傳輸延遲時間、2A大電流電源以及4A吸入驅(qū)動功能。該驅(qū)動器的其他特性還包括低阻抗吸入(典型值為0.4歐姆)與源電流(典型值為1歐姆)功能 ；可接受寬泛的電壓輸入信號范圍(3V至24V范圍)；單引腳上支持Space-saving(輸入)與PowerGood(輸出)信號；獨特的輸入級可與所有業(yè)界標準的模擬與數(shù)字控制器相兼容；提供針對窄占空比信號的智能管理功能。

針對較低柵極驅(qū)動器，驅(qū)動器的0.4歐姆阻抗可使功率MOSFET的柵極低于閾值電平，以確保高dV/dT相位節(jié)點轉(zhuǎn)換時不會出現(xiàn)貫通電流。內(nèi)部二極管充電的自舉電容器使器件能在半橋配置下使用N通道MOSFET。TPS28225提供的三態(tài)脈寬調(diào)制(PWM)輸入與TITPS40091等所有多相控制器相兼容。斷電模式則能使負載免受反向輸出電壓的影響。

TPS28225 MOSFET驅(qū)動器現(xiàn)已投入量產(chǎn)，可通過TI及其授權(quán)分銷商訂購獲得。該器件采用低成本的8引腳SOICDFN封裝與散熱增強型3毫米×3毫米8引腳DFN封裝兩種封裝版本。

IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器，它采用高壓集成電路技術(shù)和無閂鎖CMOS技術(shù)，并采用雙直插式封裝，可用于工作母線電壓高達600V的系統(tǒng)中。其輸入與標準的CMOS電平兼容，輸出驅(qū)動特性可滿足交叉導(dǎo)通時間最短的大電流驅(qū)動輸出級的設(shè)計要求。其懸浮通道與自舉技術(shù)的應(yīng)用使其可直接用來驅(qū)動一個工作于母線電壓高達600V的、在高邊或低端工作的N溝道MOSFET或IGBT。

2 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理

IR2117的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理框圖如圖2所示。它在內(nèi)部集成有一個施密特觸發(fā)器，一個脈沖增益電路，兩個欠壓檢測及保護電路，一個電平移位網(wǎng)絡(luò)，一個與非門，一個由兩個MOSFET組成的互補功放輸出級、一個RS觸發(fā)器以及一個脈沖濾波器共九個單元電路。

正常工作時，若IR2127的邏輯電源部分及輸出電源部分不欠壓，則來自用戶控制脈沖形成單元的信號先由施密特觸發(fā)器整形，再經(jīng)脈沖增益環(huán)節(jié)放大后，由電平移位網(wǎng)絡(luò)進行電平移位與匹配，再經(jīng)RS觸發(fā)器觸發(fā)后由互補推挽輸出級輸出驅(qū)動外接的MOSFET或IGBT。一旦輸入邏輯部分電源或輸出功放級懸浮電源中有一個出現(xiàn)欠壓，則兩部分中將有一個輸出信號被封鎖而使輸出驅(qū)動脈沖變?yōu)榈碗娖健?

4.1 應(yīng)用注意事項

在使用IR2117時，首先應(yīng)注意如下幾點：

（1）若VB由Vcc采用自舉技術(shù)得到，則接于引腳Vcc與VB之間的二極管應(yīng)為超快恢復(fù)二極管，其反向耐壓要大于600V。

（2）在使用自舉技術(shù)產(chǎn)生VB時，接于VB與VS之間電容應(yīng)為高穩(wěn)定、低串聯(lián)電感、高頻率特性的優(yōu)質(zhì)電容，可選滿足該要求的瓷片電容或鉭電容，電容容量為0.1～1μF均可，該電容量將隨IR2117工作頻率的提高而下降。

（3）利用IR2117可直接驅(qū)動電流容量較小的MOSFET或IGBT，但對電流容量大于100A以上的MOSFET或IGBT，et IR2117直接驅(qū)動就不合適了，此時應(yīng)考慮對輸出脈沖進行功放。（4）可用來驅(qū)動工作母線電壓不高于600V系統(tǒng)中的MOSFET或IGBT，但實際使用時應(yīng)考慮回路中電感的存在以及Ldi/dt等因素引起的電壓過沖，因此，通常應(yīng)用于母線電壓不高于400V（如國內(nèi)電網(wǎng)對單交流整流后的310V）的系統(tǒng)中。

（5）可用來驅(qū)動高端或低端通道中的一個MOSFET或IGBT。

（6）從IR2117到被驅(qū)動的MOSFET或IGBT的引線應(yīng)盡可能短，其往返引線長度應(yīng)限于200mm以內(nèi)，并應(yīng)盡可能使用絞線或同軸電纜屏蔽線，最好將被驅(qū)動的MOSFET或IGBT與IR2117裝于同一印制板上用印刷線條直接相連。

應(yīng)用舉例

IR2117的結(jié)構(gòu)及特點決定了它可用來驅(qū)動一個高端或低端MOSFET或IGBT，圖4給出了應(yīng)用IR2117驅(qū)動MOSFET而設(shè)計的斬波器的系統(tǒng)原理圖，圖中PWM的脈沖形成由專用集成電路TL494來獲得，VB應(yīng)用自舉技術(shù)獲得，圖4(a)與圖4(b)分別給出了IR2117用來驅(qū)動高端和低端MOSFET的主電路原理圖。